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7月27日，納微半導體在官網公布了其2026年第二季度財報，其中包括多個亮點信息：
該季度公司總營收環比增長22%，達7131萬元人民幣；
該季度公司高功率產品所在市場的營收同比增長了50%以上，反映出產品結構改善；
該季度收入增長主要來自于AI數據中心以及電網和能源基礎設施訂單。
根據財報，今年二季度，納微半導體的凈收入為1052.9萬美元（折合約7131萬元人民幣），非GAAP毛利率為39.5%，環比上漲50個基點；非GAAP營業虧損為1140萬美元。同時，預計2026年第三季度的凈收入將增至1350萬美元。
納微半導體總裁兼首席執行官克里斯·亞歷山大（Chris Allexandre）表示，今年二季度的收入增長，主要得益于“Navitas 2.0”戰略轉型，即從傳統移動/低端電子消費市場轉向AI數據中心及能源基礎設施。預計到今年年底，納微半導體將完成轉型，屆時高功率市場銷售額將占公司總銷售額1/3以上。
納微半導體透露，基于GaN和SiC的產品訂單量在不斷增加，積壓訂單和訂單出貨比達到創紀錄水平。目前部分產品已被應用于多個客戶的新型項目，其中包括下一代人工智能數據中心。
在本次財務會議上，納微半導體還披露了他們在AI數據中心供電架構三段式變化當中的產品布局及進展：
第一階段：10kV→800V（SST）
采用GeneSiC超高壓SiC技術（1.2/3.3/6.5kV）。目前，納微半導體計劃在今年第三季度推出第三代6.5 kV SiC技術產品，在2027年初則推出1.2kV JFET產品系列。
第二階段：800V→48V DC-DC
采用高壓GaN+SiC+中壓GaN組合，目標客戶為臺達電子/光寶科技/偉創力。目前，初步工程樣品已通過早期客戶評估，預計于2026年底開始為量產爬坡做準備。值得一提的是，納微半導體與Global Foundries合作的8英寸GaN芯片制造項目將在2026年底前完成所有客戶測試和驗證工作，首批合格產品預計將在2027年初推出。
第三階段：48V→12V DC-DC
采用新型80-200V中壓GaN。相關產品計劃在今年第四季度交付最終工程樣品，同樣預計于2026年底開始為量產爬坡做準備。
納微半導體表示，基于這三個階段對SiC和GaN的需求，到2023年，其可服務市場（SAM）將實現每年60%-75%的增長，規模達到35億美元以上。同時，納微半導體還預計未來兩個季度將繼續保持兩位數環比增長，全年營收實現中個位數增長。
本文發自【行家說三代半】，專注第三代半導體（碳化硅和氮化鎵）行業觀察。
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