大家好,我是記得誠。
最近逛論壇,看到一個帖子,如下:
電路圖如下,是個低功耗電池電壓采集方案,多次通電后,Q1無情的冒煙了。
VDD是低功耗外設電壓,低功耗下VDD=0V,喚醒后VDD=3.3V。

電路的工作原理是這樣的,低功耗下VDD=0V,Q2和Q1關閉;喚醒后VDD=3.3V,Q2和Q1導通,VBAT通過R1和R9分壓,進行ADC檢測。
Q1 PMOS用的型號為:AO3401,Q2 NMOS用的是:AO3400。ANDY-張:邏輯是對的,檢查元器件封裝和元器件屬性。ifc315:VBAT端存在高壓或者靜電,Q1的G-S間被擊穿了。
智能diy:感覺是Q2導通不完全,導致Q1也導通不完全,排除靜電擊穿,一般靜電擊穿不冒煙,感覺R8應該去除。bendn:會不會AO3401的G極沒有串接電阻,下管對AO3401的控制信號直連的G極,如果下管打開特別快的話,因為AO3401的G、S之間存在寄生電容,就會形成這樣一個瞬時的大電流通路,是不是就可能引起G極的絕緣層損傷,多次沖擊過后就可能引起絕緣層擊穿徹底短路,進而導致MOS管冒煙。而且因為米勒電容的存在,Q1在導通的過程中,還會出現這樣一個電流通路,也就是Q1的D、S之間電流剛剛達到最大時,此時D、S之間電壓還是6V沒變,電流是從S極通過導電溝道流到D極,然后再經過G、D之間的寄生的這個米勒電容到達G極,最終通過Q2導通到地。我又仔細分析了一下,感覺更可能是Q2控制著Q1,使得Q1導通過快,MOS管的導通電流變化過快,進而在MOS管的寄生電感上面產生很大的感抗,形成振蕩電路,最后出現高壓擊穿MOS,改進的措施還是在Q1的G極上面串接一個小電阻,或者在Q1的G極和S極接上一個小電容,使得MOS開啟緩慢一些減弱振蕩。
因為你這個電路沒有高負載的地方,所以應該不是發熱引起的損壞,更像是產生的高壓損壞,高壓損壞在你這個電路這里只能是振蕩引起。
然后你這個Q1打開慢一些無所謂,交叉損耗很小,不像是電源的開關控制,那種的電流很大,打開太慢的話,開關交叉損耗就會很大,會出現熱損壞。825cow:這個不應該燒MOS的,后面負載都是10K級的。ifc315:不知道都是怎么計算的,導通太快引起損壞都出來了;R7是10k,開關速度能快到哪里去哦。
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