聯發科運用CoWoS與EMIB-T兩種技術路徑，旨在提升ASIC產品設計靈活性，在成本、性能和量產之間實現最佳平衡。
芯片設計大廠聯發科在7月31日舉行的法說會（投資者說明會）上首次確認，在人工智能定制芯片（AI ASIC）項目中，除了繼續采用臺積電的CoWoS先進封裝技術外，已同步導入英特爾的EMIB-T先進封裝技術。
從模糊表態到明確落地
事實上，聯發科在今年4月底的法說會上已透露，公司正同時投資兩種不同的先進封裝技術，但當時并未明確第二種方案的合作伙伴。
直至本次法說會，聯發科首席執行官蔡力行才正式揭曉答案，并給出了更為清晰的定位：聯發科作為數據中心客戶的重要合作伙伴，正通過與臺積電深度協同的設計優化，以及與主要先進封裝伙伴的緊密配合，結合自身在2納米等先進制程設計上的積累和強大的架構工程能力，幫助客戶運用CoWoS與EMIB-T兩種技術路徑，開發各類超大芯片尺寸的高性能ASIC產品。
據聯發科披露，其第一代數據中心ASIC將按計劃在2026年第四季度進入量產階段，預計可貢獻超20億美元營收。此外，據聯發科CEO蔡力行在法說會上表示，2027年全球數據中心ASIC市場總規模預計可達700億至800億美元，聯發科目標在該市場中獲取15%至20%份額。
（聯發科企業ASIC服務）
“雙軌并行”的考量
聯發科同時押注臺積電CoWoS與英特爾EMIB-T兩條封裝路線，背后有多重戰略考量。
首先，封裝已成為芯片整體解決方案的核心競爭維度之一，而不再僅僅依附于制程工藝。在AI基礎設施需求井噴的背景下，客戶對超大型AI芯片的設計需求日趨多元，單一封裝技術已無法完全滿足市場。
其次，供應鏈安全與風險分散是核心考量。過去，先進的AI芯片封裝主要由CoWoS主導，但隨著AI ASIC向超大芯片（達到光罩尺寸甚至超越光罩尺寸）發展，單封裝技術路徑不僅存在產能瓶頸，更帶來供應鏈集中風險。聯發科同時采用CoWoS和EMIB-T，體現了公司多元化的封裝戰略，旨在提升ASIC產品設計靈活性，減少對單一供應鏈的依賴。
第三，成本與交付周期的差異化匹配。不同客戶在成本敏感度和性能需求上存在顯著差異。EMIB-T被認為在特定場景下具備顯著的成本優勢，而CoWoS則在技術成熟度與生態完整性上領先。通過“雙軌并行”，聯發科可根據不同客戶需求，在成本、性能和量產能力之間實現最佳平衡。
EMIB-T技術解析
EMIB-T的全稱為Embedded Multi-die Interconnect Bridge with Through-Silicon Vias（嵌入式多芯片互連橋（硅通孔版）），是英特爾EMIB 2.5D封裝平臺的最新升級版本。其核心機制是在有機基板內部嵌入小尺寸硅橋（Silicon Bridge）來連接多顆芯片裸片，從而替代傳統大面積的硅中介層（Interposer），在維持高帶寬、高密度互連并支持高帶寬內存（HBM）集成的同時，顯著降低封裝制造成本。
（英特爾EMIB-T技術展示）
與既有EMIB架構相比，EMIB-T進一步加入了硅通孔（TSV）技術，大幅提升了電源與信號傳輸效率，賦予大型AI芯片與芯粒（Chiplet）架構更高的設計彈性。
英特爾公開路線圖顯示，EMIB-T于2026年可支持約8倍光罩尺寸，并計劃到2028年擴展至超過12倍，容納超過24顆HBM與38個EMIB-T橋接。
與CoWoS對比
EMIB-T的核心優勢在于其獨特的架構設計所帶來的綜合效益。由于采用嵌入式硅橋替代了傳統的大面積硅中介層，省去了昂貴的中介層材料，業界評估其封裝成本可比CoWoS低約50%，具體降幅取決于設計方案對中介層的依賴程度。
與此同時，EMIB-T與IP和制程節點無關，客戶能夠將采用不同架構、由不同第三方晶圓廠或英特爾內部制程節點制造的芯片自由封裝在一起，從而大幅簡化供應鏈并提升設計靈活性。
在物理擴展性上，有機基板不受晶圓尺寸限制，可支持120×180毫米等更大封裝面積，更適合集成多顆芯粒與HBM。
此外，EMIB-T通過TSV技術將供電路徑電阻降低超過30%，對HBM4級內存的供電需求尤為關鍵。
相比之下，CoWoS的優勢則體現在互連性能、生態成熟度與量產穩定性上。其大面積硅中介層可在整個封裝范圍內提供數千條短距離連接，特別適合需要廣泛連通性的復雜拓撲。
（臺積電CoWoS-S示意圖）
在產業生態方面，CoWoS已被英偉達、AMD、谷歌、亞馬遜等全球四大AI芯片設計巨頭廣泛采用，2025年消耗了超過90%的CoWoS封裝產能，供應鏈配套與生態系統極為成熟。
而在量產穩定性上，臺積電CoWoS已進入大規模量產階段，英特爾EMIB-T則預計要到2027年才開始大規模量產，盡管目前良率已突破九成，但距離大規模商業交付仍需進一步驗證。
產業影響與展望
聯發科“雙軌并行”的策略不僅關乎自身ASIC業務發展，更折射出全球先進封裝產業格局的深刻變化。隨著AI芯片向多芯粒架構演進，封裝技術正從“制造附屬”轉變為“核心競爭維度”。英特爾憑借EMIB-T切入市場，有望打破臺積電在高端AI封裝領域的一家獨大局面；而臺積電則通過CoWoS-L、CoPoS（面板級封裝）等技術持續鞏固領先地位。
對聯發科而言，同時掌握CoWoS與EMIB-T兩條技術路徑，意味著其能夠在供應鏈緊張時靈活調配產能，在客戶談判中占據更有利地位，并為不同層級客戶提供從高性能到高性價比的完整解決方案。未來，隨著英特爾EMIB-T在2027年進入量產，以及臺積電CoWoS產能的持續擴張，這場先進封裝領域的“雙雄對決”將直接影響全球AI基礎設施的供應格局與成本結構。
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