瑞薩推出用于數據中心的NX6375AA系列半導體激光二極管

全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子株式會社日前宣布推出新系列半導體激光二極管“NX6375AA系列”。新開發的直接調制分布式反饋激光二極管（DFB LD）支持25 Gbps×4波長運行，作為100 Gbps光收發器的光源，用于數據中心服務器和路由器之間的通信。

NX6375AA系列能夠讓系統開發人員開發出高速光收發器，即便在高溫環境下也可高穩定地運行。新系列可以在數據中心所用服務器和路由器上使用。NX6375AA系列產品即將量產。

近年來，隨著云計算在物聯網時代的普及，處理大量數據的數據中心規模和處理能力預計將以每年59%的速度遞增。對用于數據中心的服務器和路由器之間實現通信的光收發器來說，目前需要提高傳輸速率，并且預計100Gbps系統將取代當前主流的40Gbps系統，年增長率將達到75%。

然而，隨著系統發熱量不斷增加（與通信速度成正比），可能使系統操作狀態變得不穩定，因此，在高溫環境下實現穩定操作和更高的通信速度已成為光收發器的主要問題。

瑞薩電子從2004年開始推出該領域的半導體LD，當時通信速率為10 Gbps。新NX6375AA LD系列支持100 Gbps系統，這些系統有助于提高用戶光收發器設備的速度和可靠性，預計將通過解決上述這一領域的問題成為未來通信系統的主流設備。

新NX6375AA系列的主要特點：

（1）業內首款在Tc = -5℃至85℃的工作溫度范圍內實現高達28 Gbps /波長的穩定工作
LD不僅支持4個波長的100 Gbps，而且能夠支持高達112 Gbps的系統。此外，LD使用了瑞薩電子獨特的嵌入式結構，并采用鋁鎵銦砷（AlGaInAs）作為其材料。因此，通過優化DFB結構（注2），LD可以在Tc = -5℃至85℃的寬工作溫度范圍內實現最大28 Gbps的傳輸速率。

LD系列中的4個波長分別為1270、1290、1310和1330納米（nm），它們支持100Gbps CWDM（注3）的波長間隔。

（2）確保實現MTTF 100,000小時的高可靠性
為了使這些LD在數據中心環境中安全使用，瑞薩電子使用選擇性外延層生長工藝用于晶片生長，在有源層中控制晶體缺陷，并形成保護性抗氧化層（瑞薩電子的獨特技術）。由于在制造期間可以避免鋁材料氧化，這些激光二極管的平均故障時間（MTTF）能夠達到業界領先的100,000小時，確保實現了高可靠性。

瑞薩電子計劃積極擴展其針對100 Gbps高速通信應用的LD產品線。瑞薩電子還在努力擴大其LD在低溫方向的工作溫度范圍，以滿足通信基站等應用的需要。此外，瑞薩電子可以通過將這些LD與瑞薩電子高速光接收設備和瑞薩電子微控制器（MCU）組合，提供具有更高附加值的解決方案。

定價和供貨

NX6375AA系列樣品現已上市，售價為每波長50美元。今日開始量產，預計于2017年4月針對4個波長達到月產100,000件的規模。（價格和供貨情況如有變更，恕不另行通知。）