GaN (GaN)公司將在 2024 年第四季度通過專利申請激增和近期收購來整合其專利組合

法國索菲亞-安提波利斯 – 2025 年 2 月 19 日 │活躍的GaN (GaN) 技術領域不斷改變著半導體行業，專利活動也取得了顯著進展。GaN的獨特性能使其成為高性能功率和射頻應用的關鍵材料。 最近的數據顯示，支撐該領域研發工作的知識產權活動取得了重大進展。本文全面概述了GaN技術的最新趨勢及突破性發明，并重點關注專利活動和知識產權策略。在 KnowMade，我們通過 GaN專利監測器密切關注此新興領域。

要點概述

GaN技術的最新專利活動凸顯出它在半導體創新中所扮演的關鍵角色。過去一段時間中，已發布超過 540 個新的GaN專利系列，展現出充滿活力的發明貢獻格局。此外，已有超過 300 個專利系列已取得授權，標志著在確保GaN創新特定知識產權方面取得進展。同時，在 2024 年最后一個季度，約有 130 項GaN相關專利被放棄或到期，其中包括 Macom 和 Wolfspeed 等射頻GaN（RF GaN）主要知識產權參與者的基本專利。

7 項專利轉讓說明了GaN領域的所有權動態，顯示關于GaN技術的戰略調整。繼收購功率GaN行業早期垂直GaN器件供應商的幾項舉措之后，于去年年初Nexgen Power Systems 的多項專利重新分配給了 onsemi，而多項專利權于 2024 年下半年從 Odyssey Semi 轉移到 Power integrations。今年，富士通，GaN電子專利領域歷史悠久的知識產權參與者與大多數現有GaN功率器件市場參與者的關鍵制造合作伙伴臺積電達成了另一項交易。該交易增強了臺積電在射頻（RF）和功率GaN技術領域的知識產權地位。

值得注意的是，出現了 10 項知識產權合作，突顯了GaN研發方面的合作努力。本季度，知識產權合作由例如美國的麻省理工學院和美國海軍等領先研究組織和政府機構推動。法律環境反映出美國一起知識產權訴訟案件的結案情況，而歐洲領域沒有新的專利異議。GaN行業中出現了 20 多家新公司，凸顯出人們日益增長的興趣，并對五家領先的GaN公司進行了全面的知識產權分析：Innoscience、Infineon、ROHM、TSMC 和 ST。

值得關注的新發明

在晶圓和外延晶圓領域，博世憑借其發明脫穎而出，推動了厚 GaN外延層生長的襯底技術，例如將非晶層應用于硅等傳統襯底，或使用包含不同于多晶氮化鋁(poly-AlN)或多晶碳化硅（Poly-SiC）的多晶基體的工程襯底，不同于信越、Soitec 和 Qromis 等公司的做法。

在器件領域，EPC 的創新型氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)設計具有多層和多厚度屏障。該設計從柵極到漏極逐漸增加二維電子氣 (2DEG) 密度。with GaN transistors having different threshold voltages, including d-mode and e-mode devices for example. 通過在不同厚度的屏障層上形成柵極，可以形成單片GaN功率 IC，其中GaN晶體管具有包括 d-mode和 e-mode器件等不同閾值電壓。

在包裝和模塊領域，Denso、Mirise Technologies 和豐田汽車之間的合作旨在通過改善安裝半導體封裝的接線板的散熱來解決基于GaN功率設備中的關鍵熱管理挑戰。總體而言，本季度的亮點是 Macom、Qorvo 和住友電工等幾家領先的射頻GaN（RF GaN）公司在射頻GaN（RF GaN）封裝和模塊方面的專利活動。

電路與應用領域證實了其活動力，于2024 年第四季度期間，幾家關鍵的功率GaN市場參與者積極在該領域申請專利。其中包括 Navitas Semiconductor，該公司披露了用于功率轉換器電路的GaN功率級柵極過驅動的新電路和方法。

不斷發展的營銷策略：知識產權監控的意義所在

隨著GaN技術日益突出，各公司正在調整其營銷策略，以突出該領域的創新和合作舉措。 各公司旨在利用GaN的獨特優勢將自己定位在半導體進步的前沿。戰略合作伙伴關系和GaN專利組合的擴展提供競爭優勢，這可能會在未來幾年進一步促進知識產權合作和轉移。 為了找出GaN 細分領域的新興參與者和機會，各公司也在進行市場分析。此外，在半導體市場快速發展的過程中，關于新GaN發明的技術優勢和應用的透明溝通可以增強信任并提升品牌聲譽。通過配合這些策略，各公司尋求增強其在GaN技術領域的存在感，在快速變化的環境中發揮其變革潛力。

這正是我們的GaN專利監控服務為GaN公司展現其全部潛力之處。我們的專家重點介紹關鍵進展，揭示通過專利情況做出改變的公司，以便您隨時了解技術生態系統。

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