《金融時(shí)報(bào)》稱，蘋(píng)果已開(kāi)啟長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM內(nèi)存芯片內(nèi)部測(cè)試；同時(shí)，蘋(píng)果牽頭美國(guó)科技企業(yè)游說(shuō)美國(guó)監(jiān)管部門(mén)，希望實(shí)現(xiàn)更大范圍使用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)芯片。
據(jù)英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》2026年7月8日援引知情人士消息，蘋(píng)果已開(kāi)啟長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM內(nèi)存芯片內(nèi)部測(cè)試，規(guī)劃將該芯片搭載于面向中國(guó)市場(chǎng)發(fā)售的設(shè)備。同時(shí)，蘋(píng)果牽頭美國(guó)科技企業(yè)游說(shuō)美國(guó)監(jiān)管部門(mén)，希望放寬限制、實(shí)現(xiàn)更大范圍使用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)芯片，但現(xiàn)階段蘋(píng)果尚未承諾將國(guó)產(chǎn)DRAM投入規(guī)模化量產(chǎn)。
（CNBC援引《金融時(shí)報(bào)》報(bào)道）
相關(guān)消息于2026年6月底首次曝光，同期蘋(píng)果還同步與長(zhǎng)江存儲(chǔ)洽談NAND閃存采購(gòu)事宜，兩條國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)供應(yīng)鏈均針對(duì)國(guó)行設(shè)備布局，目前所有合作方案均未敲定最終協(xié)議。
存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)性缺貨
2025年起全球AI數(shù)據(jù)中心建設(shè)爆發(fā)，HBM高帶寬內(nèi)存需求倍數(shù)增長(zhǎng)，三星、SK海力士、美光將大量先進(jìn)產(chǎn)能轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的服務(wù)器級(jí)存儲(chǔ)，消費(fèi)級(jí)DRAM、NAND供給持續(xù)收縮，芯片價(jià)格失控上漲。
供應(yīng)鏈分析師郭明錤指出，存儲(chǔ)供需缺口將持續(xù)擴(kuò)大至2027年，2026年分配給消費(fèi)電子的內(nèi)存產(chǎn)能，預(yù)計(jì)2027年將有15%至20%轉(zhuǎn)移至數(shù)據(jù)中心。受LPDDR供應(yīng)緊張拖累，蘋(píng)果A20芯片2026下半年至2027一季度實(shí)際出貨量，或較原定目標(biāo)下滑10%至20%。此前蘋(píng)果已因存儲(chǔ)成本暴漲上調(diào)MacBook和iPad售價(jià)，成本與供貨雙重壓力倒逼蘋(píng)果尋找第二存儲(chǔ)供應(yīng)商。
（路透社報(bào)道蘋(píng)果漲價(jià)）
分散供應(yīng)鏈單一依賴
長(zhǎng)期以來(lái)蘋(píng)果DRAM全部采購(gòu)自三星、SK海力士、美光三家企業(yè)，供應(yīng)鏈高度集中，在漲價(jià)周期完全喪失議價(jià)權(quán)。郭明錤對(duì)比2022年蘋(píng)果評(píng)估長(zhǎng)江存儲(chǔ)的行為表示，當(dāng)年采購(gòu)國(guó)產(chǎn)閃存核心目的是壓低成本，本次對(duì)接長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)核心訴求是管控供應(yīng)風(fēng)險(xiǎn)，屬于“不得不為”的戰(zhàn)略布局。
為何布局長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)？
美國(guó)銀行研報(bào)明確提出，蘋(píng)果布局長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)核心商業(yè)考量之一，是將國(guó)產(chǎn)DRAM作為談判籌碼。在2026下半年至2027年與三星、SK海力士、美光洽談供貨合約時(shí)，借助國(guó)產(chǎn)備選供應(yīng)商掌握議價(jià)主動(dòng)權(quán)，對(duì)沖存儲(chǔ)芯片持續(xù)漲價(jià)帶來(lái)的成本壓力。
即便長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)僅能供給少量低端機(jī)型，也能緩解蘋(píng)果單一貨源斷供風(fēng)險(xiǎn)。蘋(píng)果國(guó)行設(shè)備單獨(dú)導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)方案，可分流跨洋物流、關(guān)稅摩擦帶來(lái)的供應(yīng)不確定性，減少海外產(chǎn)能分配傾斜對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)機(jī)型出貨的沖擊。
另外，此前蘋(píng)果曾因高度依賴亞洲制造供應(yīng)鏈承受美國(guó)政策壓力，引入國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)可適度平衡供應(yīng)鏈地域集中度。同時(shí)僅將國(guó)產(chǎn)芯片限定中國(guó)市場(chǎng)發(fā)售，能一定程度緩和美方監(jiān)管層面的抵觸情緒，平衡中美兩地市場(chǎng)政策環(huán)境。
大規(guī)模商用難度高
地緣政策門(mén)檻：長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已被美國(guó)國(guó)防部列入“中國(guó)軍事企業(yè)清單”，美國(guó)現(xiàn)行對(duì)華半導(dǎo)體出口管制形成硬性約束，蘋(píng)果游說(shuō)政策豁免存在極大不確定性，美國(guó)國(guó)會(huì)多名議員公開(kāi)反對(duì)蘋(píng)果接入中國(guó)存儲(chǔ)供應(yīng)鏈體系。
技術(shù)工藝差距：蘋(píng)果LPDDR5X要求1.1V工作電壓并搭載ECC糾錯(cuò)功能，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)現(xiàn)有芯片制程相對(duì)老舊，芯片寄生電容、漏電電流偏高，功耗、散熱表現(xiàn)難以匹配iPhone高端機(jī)型嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。
專利訴訟隱患：三星、SK海力士、美光持有海量DRAM核心專利，蘋(píng)果若大規(guī)模采用長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)芯片，極易卷入跨國(guó)專利侵權(quán)糾紛，帶來(lái)巨額法務(wù)與賠償成本。
變數(shù)仍然存在
在全球存儲(chǔ)緊缺大環(huán)境下，多家海外終端廠商已開(kāi)啟國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)驗(yàn)證，但普遍以NAND閃存為主，DRAM大規(guī)模合作案例極少。
另外，多數(shù)海外終端品牌僅小規(guī)模測(cè)試國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)，不敢大規(guī)模落地。一方面受美國(guó)對(duì)華半導(dǎo)體管制政策制約，另一方面長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能優(yōu)先供給國(guó)內(nèi)互聯(lián)網(wǎng)、終端頭部企業(yè)，海外客戶可分配產(chǎn)能有限。
整體來(lái)看，蘋(píng)果是目前公開(kāi)報(bào)道中，唯一主動(dòng)游說(shuō)美國(guó)政府、試圖批量導(dǎo)入國(guó)產(chǎn)DRAM的國(guó)際頭部消費(fèi)電子巨頭。截至目前，蘋(píng)果、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)均未對(duì)相關(guān)測(cè)試與采購(gòu)傳聞作出官方回應(yīng)，最終合作落地規(guī)模、導(dǎo)入機(jī)型仍存在極大變數(shù)。
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