
2026年6月30日,江波龍mSSD高速存儲(chǔ)介質(zhì)產(chǎn)能迎來(lái)重要里程碑,公司宣布已建設(shè)完成mSSD月產(chǎn)能百萬(wàn)級(jí)交付能力,具備穩(wěn)定且規(guī)模化量產(chǎn)交付條件,可充分匹配市場(chǎng)增量需求,后續(xù)產(chǎn)能仍具備持續(xù)擴(kuò)容、翻倍釋放的空間。
江波龍精準(zhǔn)把握當(dāng)下存儲(chǔ)市場(chǎng)應(yīng)用趨勢(shì),快速迭代傳統(tǒng)產(chǎn)品設(shè)計(jì)理念,創(chuàng)新推出適配AI多樣化應(yīng)用場(chǎng)景需求的mSSD高速存儲(chǔ)介質(zhì),產(chǎn)品綜合競(jìng)爭(zhēng)力獲得了市場(chǎng)廣泛認(rèn)可。依托蘇州封測(cè)制造基地成熟的SiP系統(tǒng)級(jí)集成存儲(chǔ)方案技術(shù)與產(chǎn)業(yè)化體系,公司已全面具備mSSD高速存儲(chǔ)介質(zhì)自主封測(cè)、規(guī)模化量產(chǎn)與穩(wěn)定交付的核心能力。

2025年10 月,江波龍mSSD首批樣品在蘇州封測(cè)制造基地成功下線,正式開(kāi)啟產(chǎn)業(yè)化落地進(jìn)程。面向當(dāng)下端側(cè)AI存儲(chǔ)市場(chǎng)需求,江波龍依托SiP集成封裝技術(shù)創(chuàng)新迭代傳統(tǒng)存儲(chǔ)形態(tài),產(chǎn)品在性能、品質(zhì)、功能方面的綜合表現(xiàn),已在客戶端實(shí)際應(yīng)用中得到充分驗(yàn)證。2026年6月,公司順利完成產(chǎn)線打磨、工藝優(yōu)化與產(chǎn)能爬坡,成功建成月產(chǎn)能百萬(wàn)級(jí)的穩(wěn)定交付能力,目前已與聯(lián)想、華碩等行業(yè)知名客戶展開(kāi)深度合作。
相較于PCBA板級(jí)組裝方案,江波龍mSSD基于傳統(tǒng)SSD技術(shù)體系完成進(jìn)階迭代與升級(jí)突破,創(chuàng)新采用SiP系統(tǒng)級(jí)集成封裝技術(shù),將主控芯片、閃存芯片、電源管理芯片及各類被動(dòng)元器件高度集成于單一封裝體內(nèi),把焊點(diǎn)減少至0個(gè),從而跳出傳統(tǒng)BGA顆粒+PCB貼片的固有制造框架,突破常規(guī)貼片組裝帶來(lái)的空間、布線與堆疊上限,從封裝架構(gòu)層面革新存儲(chǔ)產(chǎn)品生產(chǎn)模式,實(shí)現(xiàn)了芯片晶圓到終端產(chǎn)品“Office is Factory”模式。
PCIe Gen4、Gen5兩代mSSD高速存儲(chǔ)介質(zhì)均搭載聯(lián)蕓科技主控芯片。針對(duì)不同的性能、功耗差異與發(fā)熱特性,江波龍創(chuàng)新定制了專屬散熱架構(gòu)與材料方案,從而解決在集成封裝下的積熱降頻、性能衰減難題,大幅提升峰值性能持續(xù)輸出能力。
PCIe Gen4 mSSD單盤容量提供256GB~4TB選擇,順序讀寫可達(dá)7400MB/s、6500MB/s,4K隨機(jī)讀寫可達(dá)1000K IOPS、820K IOPS,可實(shí)現(xiàn)121秒穩(wěn)定峰值性能輸出。產(chǎn)品采用高導(dǎo)熱鋁合金支架搭配石墨烯貼片與強(qiáng)導(dǎo)熱硅膠的復(fù)合散熱方案,依托多重導(dǎo)熱介質(zhì)協(xié)同作用,快速疏導(dǎo)核心熱量,避免局部積熱堆積,有效延緩高負(fù)載運(yùn)行下的發(fā)熱積熱進(jìn)程。同時(shí),mSSD兼容OTG功能,可豐富外接拓展場(chǎng)景,適配更多端側(cè)設(shè)備使用需求;并支持Opal、Pyrite、SM4等通用加密協(xié)議,有效保障端側(cè)本地?cái)?shù)據(jù)與隱私安全。
PCIe Gen5 mSSD在性能和容量上帶來(lái)了全面升級(jí)。其順序讀寫性能最高可達(dá)11GB/s、10GB/s,隨機(jī)讀寫性能最高可達(dá)2200K、1800K IOPS,單盤容量最高支持8TB。針對(duì)傳輸速率更快、功耗密度更高、發(fā)熱壓力更大的PCIe Gen5高速版本,產(chǎn)品率先應(yīng)用VC相變液冷散熱方案,集成均熱器、TIM1導(dǎo)熱膠、石墨烯散熱片、VC均熱板、鋁合金散熱拓展卡等多重散熱組件,構(gòu)建全域立體散熱體系,大幅提升芯片熱量傳導(dǎo)與散出效率,可實(shí)現(xiàn)超過(guò)181秒峰值性能長(zhǎng)效輸出,連續(xù)讀取超1991GB,峰值性能持續(xù)時(shí)間較Gen4版本提升約1.5倍,從容應(yīng)對(duì)高速傳輸帶來(lái)的高強(qiáng)度熱負(fù)荷。
這套創(chuàng)新的散熱設(shè)計(jì),兼顧了mSSD輕薄集成的形態(tài)優(yōu)勢(shì),顯著拉長(zhǎng)高性能輸出時(shí)長(zhǎng)。
常規(guī)SSD生產(chǎn)流程復(fù)雜,閃存顆粒、主控芯片、電源管理芯片等,需分別在不同工廠完成封裝與測(cè)試,再轉(zhuǎn)運(yùn)至SMT工廠貼片組裝并重復(fù)檢測(cè)。整個(gè)鏈路工序多、周期長(zhǎng)、成本高,容易造成量產(chǎn)庫(kù)存積壓,生產(chǎn)靈活性不足。依托SiP系統(tǒng)級(jí)集成封裝方案,mSSD省去多道封裝、測(cè)試與焊接工序,大幅縮短生產(chǎn)周期、降低生產(chǎn)成本,并減少庫(kù)存壓力。在相同物理尺寸下,該方案還優(yōu)化了內(nèi)部空間利用率,進(jìn)一步提升單位空間存儲(chǔ)密度;電氣性能與可靠性也得到顯著提升,從PCBA質(zhì)量等級(jí)提升至芯片封裝質(zhì)量等級(jí)(DPPM≤100)。
憑借封裝架構(gòu)的底層優(yōu)勢(shì),這套SiP集成方案可兼容 PCIe Gen4、Gen5、未來(lái)Gen6多代高速規(guī)格,同步覆蓋消費(fèi)級(jí)、工業(yè)級(jí)、車規(guī)級(jí)多可靠性標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)能力,實(shí)現(xiàn)跨等級(jí)柔性量產(chǎn),減少產(chǎn)線換型與物料管控成本,支撐產(chǎn)品快速迭代落地,也是 mSSD 能夠高效衍生消費(fèi)級(jí)、行業(yè)級(jí)多形態(tài)產(chǎn)品的重要技術(shù)支撐。

聚焦端側(cè)AI應(yīng)用需求, 江波龍于2026年3月集中完成多項(xiàng)核心硬件與技術(shù)布局。在芯片布局上,公司推出自研SPU™存儲(chǔ)處理單元,該芯片采用5nm制程工藝,搭載存內(nèi)無(wú)損壓縮技術(shù),可在不損耗數(shù)據(jù)完整性的前提下高效壓縮存儲(chǔ)數(shù)據(jù),平均壓縮比超過(guò)2:1,大幅節(jié)省mSSD容量,有效降低終端整體硬件成本。
同時(shí)在配套軟件技術(shù)層面,公司已推出iSA™存儲(chǔ)智能體、HLCache™高級(jí)緩存技術(shù),與SPU硬件形成軟硬協(xié)同賦能。其中,iSA™存儲(chǔ)智能體可實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)與算力芯片平臺(tái)的智能聯(lián)動(dòng)調(diào)度,有效提升端側(cè)AI任務(wù)的效率與響應(yīng)速度;HLCache™高級(jí)緩存技術(shù)依托主控芯片、固件及系統(tǒng)級(jí)架構(gòu)的全方位創(chuàng)新,讓mSSD承接原本由DRAM緩存承載的溫冷數(shù)據(jù),在保障終端設(shè)備流暢運(yùn)行體驗(yàn)的前提下,有效降低設(shè)備DRAM內(nèi)存占用,幫助客戶優(yōu)化整機(jī)BOM成本。

未來(lái),通過(guò)軟硬件協(xié)同應(yīng)用,mSSD有望在讀寫性能、容量利用率、成本控制、智能調(diào)度等多維度實(shí)現(xiàn)全方位升級(jí),同時(shí)憑借存儲(chǔ)介質(zhì)靈活拓展的特性,可衍生出多類型存儲(chǔ)形態(tài),適配AI PC、AI BOX等各類AI終端設(shè)備與細(xì)分應(yīng)用場(chǎng)景。在此基礎(chǔ)上,相關(guān)方案將在旗下行業(yè)類、消費(fèi)類存儲(chǔ)品牌全面落地布局,并同步推動(dòng)PCIe Gen5 mSSD全平臺(tái)生態(tài)適配建設(shè),以此加速方案在端側(cè)AI等高附加值場(chǎng)景規(guī)模化商用落地,通過(guò)持續(xù)落地豐富行業(yè)應(yīng)用案例,進(jìn)一步深挖SiP集成封裝存儲(chǔ)介質(zhì)的產(chǎn)業(yè)化價(jià)值。