三星現(xiàn)在已經(jīng)開始了下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)過程。在韓國(guó)水原的一次研討會(huì)上，三星負(fù)責(zé)測(cè)試和系統(tǒng)封裝（TSP）的副總裁透露，隨著未來內(nèi)存本身性能的擴(kuò)大，封裝技術(shù)也需要不斷發(fā)展。該公司證實(shí)，它已經(jīng)處于下一代DDR6內(nèi)存的早期開發(fā)階段，將采用MSAP技術(shù)。
根據(jù)三星的說法，MSAP已經(jīng)被其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手（SK海力士和美光）用于DDR5。那么，MSAP有什么新特點(diǎn)呢？MSAP修正后的半加成工藝允許DRAM制造商創(chuàng)建具有更精細(xì)電路的內(nèi)存模塊。這是通過在以前未被觸及的空位上涂抹電路圖案來實(shí)現(xiàn)的，這樣可以實(shí)現(xiàn)更好的連接和更快的傳輸速度。下一代DDR6內(nèi)存不僅將利用MSAP來加強(qiáng)電路連接，而且還將適應(yīng)DDR6內(nèi)存中增加的層數(shù)。
以前的帳篷法只能在圓形銅板上形成電路圖案的區(qū)域進(jìn)行涂層，而其他區(qū)域則被蝕刻掉。但在MSAP中，電路以外的區(qū)域都被鍍上了一層，這樣就可以形成更精細(xì)的電路。副總裁Ko說，隨著存儲(chǔ)芯片的容量和數(shù)據(jù)處理速度的提高，必須設(shè)計(jì)出適合這種情況的封裝。隨著層數(shù)的增加和工藝的復(fù)雜化，內(nèi)存封裝市場(chǎng)也將呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。一文看懂NAND、eMMC、UFS、eMCP、uMCP、DDR、LPDDR及存儲(chǔ)器和內(nèi)存區(qū)別
在扇出（另一種封裝技術(shù)，即把I/O終端放在芯片外面，讓芯片變得更小，同時(shí)保留球狀布局）型封裝方面，三星正在應(yīng)用扇出-晶圓級(jí)封裝（FO-WLP）和扇出-面板級(jí)封裝（FO-LP）。
三星預(yù)計(jì)其DDR6設(shè)計(jì)將在2024年之前完成，但預(yù)計(jì)2025年之后才會(huì)有商業(yè)使用的可能。就規(guī)格而言，DDR6內(nèi)存的速度將是現(xiàn)有DDR5內(nèi)存的兩倍，傳輸速度可達(dá)12800 Mbps（JEDEC），超頻后的速度可超過17000 Mbps。目前，三星最快的DDR5 DIMM的傳輸速度為7200 Mbps，在JEDEC標(biāo)準(zhǔn)下提高了1.7倍，在下一代內(nèi)存芯片的超頻速度下提高了2.36倍。除了介紹新技術(shù)外，內(nèi)存制造商強(qiáng)調(diào)了在未來我們可以看到DDR5-12600規(guī)格產(chǎn)品的出現(xiàn)，DDR5也有潛力繼續(xù)用于消費(fèi)平臺(tái)。預(yù)計(jì)今年晚些時(shí)候，隨著AMD的Zen 4和英特爾的Raptor Lake CPU平臺(tái)的推出，DDR5內(nèi)存模塊的速度會(huì)更快，調(diào)整的幅度也更大。
長(zhǎng)期優(yōu)勢(shì)供應(yīng)國(guó)內(nèi)HK現(xiàn)貨：
MT7621AT/A+MT7905DAN+MT7975DN/A
MT6261DA、MT6580M、MT6580A、MT6580P
MT6739WA、MT6739WW、MT6739CW
MT6761WB、MT6761WE、MT6761CA
MT6762WB、MT6762WD、MT6762CB、MT6762CA
MT6765WA、MT6765CA、MT6771CA、MT6771CT
MT6785、MT6769、MT6833ZA、MT6853ZA、MT6877
MT8765、MT8766、MT8768、MT8788、MT8167
Samsung ：eMCP、eMMC、LPDDR
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