山東有研艾斯12英寸集成電路用大硅片項目：達產后全國市場占有率達20%

山東有研艾斯12英寸集成電路用大硅片項目：達產后全國市場占有率達20%

據大眾日報報道，總投資62億元的山東有研艾斯12英寸集成電路用大硅片產業化項目，全部達產后預計全國市場占有率達20%。

山東有研艾斯半導體材料有限公司總經理閆志瑞表示，“預計廠房在今年11月份封頂，明年6月份具備設備進場的條件，2023年第四季度投產。”

今年5月16日，有研艾斯12英寸硅片項目開工，該項目總投資62億元，將建設12英寸硅片加工廠房、動力站、化學品輸送、環保消防等輔助設施。

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半導體硅片？

半導體材料是芯片制作的基底，制作半導體的材料繁多，目前主要以硅基和化合物材料共生共存的半導體材料格局。常見的半導體材料有硅，砷化鎵，氮化鎵和碳化硅。隨著科學技術的發展，硅材料在半導體制作上逐漸趨向物理極限，因此無法滿足一些超高規格電子產品對高功率，高頻率和高壓等苛刻條件。目前，可以通過以硅材料為襯底，化合物材料在硅材料外延生長制成單晶片，也能滿足射頻芯片、功率器件對高頻、高壓、高功率的需求，這在一定程度上緩解了硅材料性質的劣勢。

相比于其他半導體材料，硅材料有著更大的應用領域與需求量。硅半導體主要運用于邏輯器件、存儲器、分立器件。化合物半導體如砷化鎵，氮化鎵和磷化銦等，主要應用于光電子、射頻、功率等具備高頻、高壓、高功率特性器件。在目前的電子產品應用中，對化合物材料的需求遠低于硅材料，僅有軍工、安防、航天 等少部分需要超高規格的應用領域，才需采用化合物單晶材料。

圖表 1：半導體材料

資料來源：公開資料整理

即使目前半導體材料已發展至第三代：碳化硅、氮化鎵和金剛石等，但主流依舊以硅材料為主，90%以上的半導體產品以硅元素制作。主要因為硅元素具有以下優勢：1）安全無毒，對環境無害，屬于清潔能源。2）天然絕緣體，可通過加熱形成二氧化硅絕緣層，防止半導體漏電現象，因此在晶圓制造時減去表面沉積多層絕緣體步驟，降低晶圓制造生產成本。3）儲量豐富，硅元素在地殼中占到27.7%，降低半導體的材料成本。4）制作工藝成熟，以硅材料制作的半導體硅片技術發展，從1970年的2英寸硅片進步至2020年的18英寸硅片。經過長時間的發展，與其他半導體材料相比較，硅材料的應用技術更加成熟且更具有規模效益，在這樣的條件下，硅材料顯得“物美價廉”，這樣的特質給予了硅材料不可替代的行業地位。

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