射頻微波晶體管的發展現狀及分析

射頻微波晶體管分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管是指pnp 或npn 型這類有兩種極性不同的載流子參與導電機構的晶體管，也稱晶體三極管（BJT）。單極晶體管只有一種載流子參與導電機構，通常指場效應晶體管（F E T ）。另外兩種擴展類型的晶體管就是異質結雙極晶體管（H B T ）和高電子遷移率晶體管（H E M T ），它們也分別屬于雙極晶體管和場效應晶體管。下面分別對這幾種類型的晶體管及引申類型進行描述和性能分析。

硅雙極晶體管是最早的固態射頻功率器件，由于雙極晶體管是縱向器件，基極擊穿電壓和功率密度都很高。硅基雙極晶體管通常工作于28 V電壓下，頻率可達5GHz，尤其可應用在高功率（1kW）脈沖雷達中。硅基射頻功率器件除了在高頻率上有高增益外，其他屬性與普通雙極晶體管一樣。BJT 的正溫度系數往往會導致電流上翹、預熱效應和擊穿效應，因此必須仔細調整基極偏壓。特征頻率fT反映了晶體管的微波放大性能，它是當共發射極短路電流增益|hfe|=1的頻率。分析可知，晶體管的特征頻率與其結構參數密切相關。為了提高fT，應對晶體管的設計和工藝采取一些措施，如減小發射極面積、減小基區寬度或適當選擇基區摻雜濃度，從而減小發射極到集電極總的時延。但它總會受到工藝條件的限制，因此微波雙極晶體管的特征頻率不可能很高。當要求頻率更高時，場效應管將顯得更加優越。

FET 屬于電子半導體器件，源極和漏極之間形成溝道，溝道內的載流子傳導受控于柵極電壓形成的溝道電場。JFET 主要應用于分立元件電路，小信號應用M O S 管，功率放大用L D M O S 和G a A sMESFET ，其中GaAs MESFET 可用于低功率放大，也可用于高功率放大。金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）用絕緣柵構建而成，大多是采用雙向擴散工藝生產的。由于絕緣柵不傳導直流電流，偏置容易，負溫度系數使漏電流隨溫度升高而減小，防止了熱擊穿并允許多個管子并聯?；鶚O無電荷存儲加快了開關速度， 消除了副諧波振蕩?？v向射頻功率MOSFET 應用于VHF 和UHF 頻段。Gemini 封裝器件在HF 波段發送功率1kW，在VHF 波段可以發送幾百瓦。VMOS 管通常工作電壓為12，28 或50V。

LDMOS 主要應用于UHF 和微波頻率低端，因為源端直接接地消除了焊接線電感，這樣不會產生負反饋，減少高頻段的增益。LDMOS 器件通常工作電壓為28 V，頻率2 GHz，可獲得輸出功率120W。和該頻率范圍內的其他器件相比，這種器件成本較低，同時具有高功率增益、高效率、線性度好、單工作電壓和固有良好熱結構等優點，因此它是目前900 MHz和2 GHz頻率上高功率晶體管優先選擇的器件。

功率應用結型場效應晶體管（JFET）通常也叫作靜態感應晶體管（SIT）?；赟i，SiGe 和SiC，UHF 頻段上的射頻JFET 可以獲得良好的功率和效率。JFET目前在微波與射頻集成電路中很少使用，因為它的截止頻率低且跨導和夾斷電壓離散性大。

GaAs 金屬半導體FET（GaAs MESFET）是具有GaAs 基和肖特基柵結的JFET。它們比Si 基器件遷移率高，能夠高效地工作在較高頻率上。GaAs MESFET 廣泛應用于微波功率放大，封裝形式2 GHz 頻率上達到200 W，20 GHz 上達到40 W。與MOSFET 或JFET 相比，有較低的夾斷電壓，通常工作于5～10 V。大多數MESFET 是耗盡型器件，需要負柵極偏壓。由于輸入電容隨電壓變化，其線性度較差，輸出電容也隨偏壓和頻率而變化。提高fT需要提高跨導gm和減小柵源之間的分布電容Cgs，柵源分布電容可以通過縮短柵長獲得，因此短柵能夠改善微波場效應管的高頻性能。

異質結是20世紀80年代發展起來的新型半導體材料，其工作頻率已進入毫米波段，且噪聲低、功率大，是微波功率所必需的器件。異質結是由兩種不同的半導體材料構成的結，微波波段的異質結通常是AlGaAs/GaAs 或InGaAs/GaAs。HFETs 和HEMT 是屬于異質結MESFET，其結構是在半絕緣GaAs 襯底上生長一層未摻雜的GaAs，再生長一層n-AlGaAs，形成異質結，然后在AlGaAs 上分別制作肖特基結和歐姆接觸，引出源、柵、漏三個電極。在異質結中G a A s 一側有一層二維電子氣（2 D E G ），由于G a A s 中不含電離施主，電子所受的散射將大大減小，從而導致很高的遷移率，進而改善了高頻性能。

贗配H E M T（P H E M T）通過采用I n G a A s 溝道進一步改善了基本的HEMT。就GaAs 來說，In所增加的遷移率增加了帶隙的不連續性，進而增加了大量的二維電子氣內載流子。然而，InGaAs 溝道和GaAs 基片之間的晶格失配也會增加，這限制了In 的含量只能達到22%。使用PHEMT 功率放大器效率45 GHz 后開始下降，PHEMT 可以應用的頻率高達80 GHz。功率輸出從L 波段的40 W 到V 波段的100 mW。InP HEMT 是將AlInAs/GaInAs 異質結置于InP 襯底上，晶格匹配程度較高，允許In的含量達到約50%。遷移率更高，依次增加了電子速度、導帶不連續性、二維電子氣和高跨導。InP HEMT 通常比PHEMT 和GaAs HEMT 的效率提高兩倍。

變質H E M T （M H E M T ）是使高I n 含量的溝道建立在GaAs 襯底上。高的電子遷移率和高峰值飽和速率能夠產生比P H E M T 器件更高的增益。M H E M T 由于相當低的擊穿電壓（＜ 3 V ）一般在較低功率應用。

通常情況下，HBT 是基于混合物半導體材料AlGaAs/GaAs。AlGaAs 發射結做的盡可能窄以減小基極電阻?；鶚O是p 型摻雜 GaAs 薄層，勢壘由異質結（A l G a A s / G a A s）產生，因此，基極摻雜可以減小其電阻。目前，AlGaAs/GaAs HBT能夠產生幾瓦的功率輸出，廣泛地應用在無線手機中，同時GaAs HBT 也應用在頻率X 波段MMIC 電路中，甚至高達20 GHz 功率放大器中。

SiGe HBT 是使用SiGe 襯底，增加了工作頻率，減小了基底電阻。然而，和GaAs HBT 相比其效率和夾斷電壓較低。報道的SiGe HBT 在L 波段輸出功率超過了200 W。

InP HBT 使用InP 襯底，進一步提高了遷移率，從而提高了高頻性能。另外，InP HBT 有低的開啟電壓和膝電壓，這能夠產生高的增益和效率。集電結中的InP 增加了擊穿電壓，能夠產生高的輸出功率。目前為止，已經展示了頻率為20 GHz大約0.5 W的功率輸出，但是可以預料工作在50～60 GHz 是有可能的。

SiC MESFET的寬帶隙能夠產生高的遷移率和大的夾斷電壓。因此，SiC MESFET 具有和GaAsM E S F E T 一樣的頻率響應，但是夾斷電壓是S iLDMOS 的兩倍。產生10 W/mm 的功率密度，是GaAs MESFET 的10 倍。SiC 襯底的高熱電導率尤其適用于高功率應用。SiC MESFET 通常工作在48V 的供電電壓下。當前可以得到10 W功率輸出的器件，60 W 或者更高已經在實驗室得到驗證。

自從1947年發明了雙極結型晶體管以后，器件工程師投入了很大精力，以提高射頻晶體管的速度和工作頻率。50年代開發了第一個頻率為1 GHz左右Ge BJT。之后，Si 基和GaAs 基 BJT 在高頻段獲得應用。1970 年，性能好的Si BJT 在頻率為1，2 和4 GHz 提供的最小噪聲系數分別為1.3，2.6 和4 dB，而頻率分別為1.2，2 和4 GHz 提供的輸出功率分別為100，20 和5 W。1968 年，對GaAsBJT 的研究興趣變淡，更多轉到了GaAs FET 上。1966 年，C.Mead 提出了第一個GaAs MESFET，并奠定了在射頻電子領域的應用。一年后，報道了fmax 為3 GHz 的晶體管。1970 年，fmax 達到30 GHz左右，超過了當時其他類型的晶體管。1973 年頻率達到100 GHz。70年代中期，低噪聲和功率GaAsM E S F E T 獲得了商用。

80年代后，隨著頻率范圍和要求的提高， IIIVHEMT 和III-V HBT 獲得發展。70 年代后期，貝爾實驗室通過實驗將未摻雜的GaAs 和n 型摻雜的AlGaAs 組成外延生長異質結構，證實了二維電子氣（2DEG）的存在。2DEG 的電子遷移率比GaAs的要高很多。因此，工程師對利用高電子遷移率的2DEG開發晶體管結構產生了較大的興趣并進行了大量的研究。早期的HEMT 是由AlGaAs/GaAs 異質結材料組成，具有比GaAs MESFET 好的射頻性能，尤其是在最小噪聲系數和輸出功率方面，但是性能的改善并沒有達到預期效果。這樣，80 年代中期，引入了AlGaAs/InGaAs 異質結，這個時期有兩種主要類型的H E M T ，分別是A l G a A s /InGaAs/ GaAs 和InAlAs/InGaAs/InP HEMT。對于In0.2Ga0.8As 異質結，就形成了GaAs PHEMT。GaAs PHEMT 在90 年代早期開始商用化，目前廣泛應用于低噪聲和功率放大。InP HEMT 比GaAspHEMT 性能更優，并隨著技術的成熟得到更廣泛的應用。

雙極晶體管的異質結想法幾乎和雙極晶體管同時出現。1948 年，W.Skockldy 闡述了由寬帶隙發射極和窄帶隙基區組成雙極晶體管的優勢。這種結構，HBT 能獲得高的fT 和fmax。隨著外延生長技術的改進，尤其是分子束外延（M B E ），能獲得高質量的異質結構。80 年代早期出現了GaAs HBT，目前具有AlGaAs 和InGaP 發射極的GaAs HBT 已經商用化并大量用于無線通信的功率放大。在開發InP HBT 上也投入了大量的工作，InP HBT 具有比GaAs HBT 更高的fT 和fmax。另外，出于對成本的考慮，在滿足性能的情況下，用硅基器件代替化合物半導體器件是研究的一個方向，因此使用硅基開發了SiGe HBT器件，由SiGe 基極層嵌入到Si發射結和Si集電結之間形成。1987年開發了第一個SiGeHBT，目前先進的SiGe HBT 的fT 和fmax 能達到200GHz。

90 年代晶體管的研究朝三個方向方向發展：一個是Si MOSFET，主要是連續尺度縮小和短柵SiMOS 工藝的日益成熟使得其在GHz 較低段成為主要應用對象，比如頻率為2.5 GHz 的LDMOSFET 和小信號RFCMOS 電路已經獲得商用。第二個方向是寬帶隙半導體的研究，如SiC 和III 氮化物，以大功率輸出為目的，主要器件有SiC MESFEF 和AlGaN/GaN HEMT，SiC MESFET 已經獲得商用化，fT 和fmax 超過100 GHz 的AlGaN/GaN HEMT 同時具有高輸出功率密度也被報道。第三個方向是變質HEMT（G a A s M H E M T ）的研究。

經過RF 晶體管近40 多年的發展，工作頻率連續提高，這主要是通過縮小關鍵器件的尺寸，引入異質結和利用新型半導體材料獲得的。最近幾年的研究，也是在以前研究的基礎上，不斷改進工藝，優化結構，加入新型材料以及降低成本。Yi-FengWu等人報道了頻率為8 GHz、功率密度為9.8 W/mm 的AlGaN/GaN HEMT。K. K. Chu 等人實現了獨立的GaN介質上功率密度為9.4W/mm的AlGaN/GaN HEMT，其中工作電壓為50V，工作頻率為10GHz，相應的功率附加效率為40%。J. S. Moon報道了用于厘米波高性能的凹陷柵AlGaN/GaNH E M T，工作頻率3 0 G H z，連續波功率密度為5.7W/mm，PAE 為45%，漏極效率為58%，Vds 為20 V。A. Minko等人則驗證了一種以高阻抗硅為基底的0.17 μ m T 型柵長度的AlGaN/GaN HEMT。Keith Nellis等人對線性手機功率放大器雙極技術進行比較，分別為GaAs HBT，Si BJT，SiGe HBT和InP HBT。Zoran Radivojevic等人[6]提出了為了改善LDMOS 性能的新型材料層狀銅，提高了器件的熱性能和熱傳導率。

通過以上對射頻微波晶體管的回顧，可以看到，各種類型、不同頻率、不同性能的晶體管不斷地被開發研制成功。與過去相比，在設計放大器時，有了更多的選擇，但選擇的難度也加大了。過去這種技術很多是應用到軍事上，設計時只考慮性能而不考慮成本，而目前更多的用于民用，需要在滿足性能的情況下獲得最低的成本。從技術發展的形勢看，晶體管的研究和應用主要從幾個方面發展：大用戶市場（工作頻率在2.5 GHz 以下），以Si MOSFET，Si CMOS，BiCOMS，SiGe HBT等為主要發展和研究對象，主要是其低成本的優勢，這主要利用先進的工藝技術克服硅基半導體所固有的缺陷，改進性能，滿足該類晶體管的放大要求。文獻都對CMOS晶體管及其放大器進行了比較和報道。在頻率2.5 GHz 以上，主要應用和研究對象屬于GaAs 基晶體管，包括有（MESFET，H E M T ，H B T 等）。超過4 0 G H z 頻率高性能的應用主要采用InP 基晶體管。后兩種晶體管通常采用異質結構、In 含量的摻雜濃度、以及柵極尺寸等來改善晶體管的性能，比如功率密度、晶體管特征頻率等。文獻報道了工作頻率在100GHz左右的H E M T 。從材料價格考慮，以上三種是逐步增大。以寬帶隙半導體（S i C ，G a N ）作為基底的晶體管也取得了進展，K. K. Chu 等人報道了這種類型的晶體管。作為一個放大器設計或者是系統設計工程師，應該對射頻微波晶體管有一個全面的了解，在選擇晶體管或者射頻微波放大器時，主要考慮的因素有工作頻率、性能要求及成本，有時基本滿足性能要求的情況下，成本是第一要考慮的。要根據實際情況作出恰到好處的選擇。隨著工藝技術的提高，Si基晶體管與相應的放大器適用頻率和應用范圍會不斷擴大，越來越多的性能極佳、成本較低的Si基晶體管被研制出來。適用更高性能、更高頻率的晶體管也會獲得進一步的發展，成本也會隨著工藝的日益成熟而下降。

作者：南敬昌，黎淑蘭，劉元安，唐碧華

來源：趨勢與展望