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氮化鎵 (GaN) 是一款寬帶隙半導體，與傳統的硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 和絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 相比，它可以實現更高的功率密度和效率。德州儀器 GaN 器件具有更快的開關速度，可幫助您實現超過 500kHz 的開關頻率，從而將磁性元件尺寸縮減高達 60%、提升性能并降低系統成本。
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課程目錄
以下為基于 GaN 的高壓與高功率電源設計優化課程的目錄：
為什么要使用 GaN 進行大功率設計
使用 TI GaN 的汽車車載充電器 (OBC) 設計示例
電源構建的實際考慮
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