高效領先的功率半導體讓英飛凌在節能減排方面，一直走在全球科技公司的前列。其中寬禁帶半導體技術的優勢已經在許多產品應用中得到驗證。不僅如此，憑借其高頻、高效、高功率密度、耐高溫高壓等特點，寬禁帶半導體技術高度契合節能減排需求并將在能源轉型中為減緩氣候變化做出重要貢獻。
即將于3月9日在慕尼黑舉行的2023寬禁帶開發者論壇上，將由英飛凌科技工業功率控制事業部總裁Peter Wawer博士以“寬帶隙如何實現綠色能源與推動低碳化”的主題發表演講，為活動拉開序幕，論壇上還將會有三位嘉賓分享新的技術與應用趨勢以及開發經驗。
分享嘉賓：
Ranganathan Gurunathan博士
布魯姆工程副總裁
SiC MOSFET用于SOFC燃料電池和SOEC電解氫功率變換
Alpha J. Zhang博士
Delta上海設計中心主任
SiC MOSFET實現高能效解決方案助力“低碳化”
Qinghong Yu博士
施耐德電氣高級首席技術專家:
搭載SiC MOSFET的UPS逆變器設計
此外，本次展會中的技術專家分會場
將以多個主題展開探討:
CoolSiC? MOSFET在開關過程中電性能參數穩定性；
CoolGaN? AC雙向開關；
適用于SiC單管的高級.XT擴散焊技術；
面向電動汽車充電應用或無風扇PSU的最新評估板......
除工業領域專家之外，本論壇也將邀請到英飛凌汽車電子領域專家一同參與分享，探討新一代CoolSiC?技術以及重點介紹基于寬禁帶技術的電動汽車車載充電解決方案和逆變器解決方案等應用。
我們期待與您在論壇相聚！
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【英飛凌工業半導體】
