第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開，詳見后文
8月4日，芯至科技宣布完成近億元天使輪融資，由惠友資本、群欣資本聯合投資。
芯至科技于2023年正式運營，總部位于上海張江，在西安、北京、廣州設有研發分支機構，致力于高性能計算基礎核心技術開發，在指令集（ISA）設計、高性能CPU、GPGPU、Coherence Fabric、HSIO、Chiplet等關鍵領域掌握核心技術。
據悉，芯至科技由一批長期在項目開發一線的核心架構師和資深專家級工程師組成開發團隊，可為客戶提供通用高性能計算芯片、通用高性能IP、特定場景定制計算芯片、特定場景定制計算內核IP、BMC定制服務和自動化測試服務。
此外，芯至科技官宣，近日與比亞迪電子達成業務合作，聯合開發高性能服務器系統。未來雙方會加強在大算力領域的合作，探索云、邊、車、端各種場景的合作機會。
來源：集微網
以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體是戰略性新興產業的核心材料，在《“十四五”規劃和2035年遠景目標綱要》中被列為重點；碳中和與新能源體系變革的背景下，在風電、光伏、新能源汽車、儲能等行業應用前景廣闊。
據行業機構預測，到2026年，碳化硅產品市場將達35億美元，氮化鎵功率產品市場需求增長到21億美元。近年來，國內企業如三安、英諾賽科、士蘭明鎵等不斷布局氮化鎵項目，全產業鏈項目約26個，國外龍頭如英飛凌等也正積極布局。
在碳化硅功率器件市場，受益于特斯拉的應用需求，意法半導體領先全球市場；Wolfspeed、安森美和羅姆等廠商跟隨。襯底、外延、芯片三個環節技術含量密集，是投資和創新重點。碳化硅6英寸襯底技術已經穩定導入產業，8英寸襯底正在探索商業化量產，其中尤以襯底大廠Wolfspeed推進最為迅速，國內企業在提供樣品或小規模供貨階段。
第三代半導體技術與材料論壇將于2023年9月21-22日在廈門召開。重點關注碳化硅、氮化鎵產業鏈前景，最新襯底、外延、器件技術與項目投資，碳化硅、氮化鎵長晶技術，凈化工程與EPC，新興化合物半導體前沿技術與應用。參觀第三代半導體重點企業與項目。
會議主題包括但不限于
國際形勢對中國第三代半導體發展的影響
第三代半導體市場及產業發展機遇
6寸與8寸SiC項目投資與市場需求
SiC長晶工藝技術與設備
凈化工程與EPC工程項目實踐
8英寸SiC國產化進程和技術突破?
SiC市場以及技術發展難題&解決方案
SiC與GaN外延片技術進展
大尺寸GaN長晶難點及技術展望
GaN材料技術進展
SiC與GaN器件與下游應用
功率器件封裝技術與材料
新興化合物半導體進展：氧化鎵、氮化鋁、金剛石、氧化鋅
工業參觀與考察（重點企業或園區）
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中國大陸8英寸晶圓廠項目表（月度更新）
中國大陸12英寸晶圓廠項目表（月度更新）
中國大陸半導體封測項目表（月度更新）
中國大陸電子特氣項目表（月度更新）
中國大陸半導體濕電子化學品項目表（月度更新）
中國大陸晶圓廠當月設備中標數據表（月度更新）
中國大陸上月半導體前道設備進口數據表（月度更新）
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