近日，碳化硅領域新增了3起相關合作案，涉及企業包括英飛凌、意法半導體及通富微電等。
●?英飛凌＋英飛源技術：合作開拓新能源汽車充電樁市場，應用1200 V CoolSiC? MOSFET器件。
●?通富微電＋意法半導體：合作研發碳化硅模塊自動化產線并實現了規模量產。
●?韓國KERI＋瑞典RISE：簽署科技合作業務協議，目標SiC領域。
英飛凌＋英飛源技術：?
SiC技術進軍充電樁領域
9月20日，據英飛凌官網宣布，他們已于深圳英飛源科技（Infypower）達成合作，英飛凌將為英飛源科技提供?1200 V CoolSiC? MOSFET功率半導體器件，以提高電動汽車充電站的效率。
據介紹，英飛凌的 1200 V CoolSiC? MOSFET具有高閾值電壓和簡化的柵極驅動，通過集成英飛凌的SiC產品，英飛源科技的 30 kW 直流充電模塊可提供寬恒定功率范圍、高功率密度、最小電磁輻射和干擾、高保護性能和高可靠性。
兩家公司在電動汽車充電解決方案領域的合作，將為電動汽車充電站行業提供更為優秀的系統級技術解決方案。SiC的獨特性能使其更適用于超級充電站和超緊湊型壁掛式直流充電站，與傳統的硅基解決方案相比，SiC 技術在電動汽車充電站中的應用可將效率提高 1%，從而降低能源損耗和運營成本。
英飛源科技成立于2014年3月，是全球領先的電能變換產品及系統解決方案提供商，公司以電力電子及智能控制技術為核心，專注于儲能、充電等新能源領域電源設備的研發、生產、銷售與服務。
通富微電＋意法半導體：?
合作開發SiC模塊產線
9月18日，通富微電公布了最新的“投資者關系活動記錄表”，當中披露了其在集成電路封裝測試業務中的相關進展。
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據公告，2023上半年，通富微電在功率半導體等領域取得重要突破——憑借在功率半導體封測領域的多年實踐，上半年通富微電配合意法半導體等行業龍頭，完成了碳化硅模塊自動化產線的研發并實現了規模量產，在光伏儲能、新能源汽車電子等領域的封測市場份額得到了穩步提升。
通富微電成立于1997年10月，是目前國內知名的集成電路封裝測試企業之一。2023 年上半年，通富微電實現營收99.08 億元；歸母凈利潤為-1.88億元。
韓國KERI＋瑞典RISE：
簽署SiC科技合作業務協議
9月18日，據韓媒報道，韓國電氣研究院（KERI）宣布已與瑞典國家研究所（RISE）簽訂了“為激活以國家戰略技術為中心的共同研究的業務協議（MOU）”，研究方向包括SiC技術。
據悉，未來兩個組織將在電力半導體、二次電池等國家戰略科學技術領域開展聯合研究、舉辦講座和研討會、人員和信息交流等合作。RISE已在碳化硅領域進行了領先的研究，并與全球企業一起積累了商業化成果。
據“行家說三代半”本月初的報道，KERI還曾與匈牙利設備企業SEMILAB簽訂了“SiC功率半導體離子注入及其評估技術”技術轉讓協議。該技術可以通過增加SiC器件中的電流，來取代昂貴的外延片，從而大大降低工藝成本，這項技術有望提高碳化硅功率半導體的價格競爭力，并極大地促進大規模生產。
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