2項新技術：SiCMOS無需外延；襯底成本降30%

SiC器件成本較高，所以產業界一直在進行技術創新，以降低成本。最近，小編留意到2項SiC設備新技術：

這兩項技術目前查不到更多的資料，僅供參考、討論，歡迎大家留言發表看法。

9月7日，韓國電工技術研究院（KERI）宣布，他們與匈牙利設備企業SEMILAB簽訂了“SiC功率半導體離子注入及其評估技術”技術轉讓協議。

SiC MOSFET等功率半導體有很多優點，但其晶圓制造工藝非常具有挑戰性。通常是在高導電性SiC襯底上形成外延層，然后在外延層上來制造SiC芯片。但是KERI表示，在這一過程中，SiC外延層表面會變得粗糙，導致電子遷移率降低，而且現階段SiC外延片的價格也很高昂，阻礙了SiC器件的大規模生產和應用。

所以為了解決這個問題，KERI采用了新的方法——將離子注入到沒有外延層的半絕緣碳化硅襯底上。

眾所周知，碳化硅材料堅硬，需要高能離子注入，再進行高溫熱退火以激活離子，因此是一項難以實施的技術。然而，KERI表示，他們憑借自身10年來在碳化硅專用離子注入設備方面的操作經驗，成功地獲得了相關技術。

KERI先進半導體研究中心主任Kim Hyoung Woo博士說，“離子注入技術可以通過增加SiC器件中的電流，來取代昂貴的外延片，從而大大降低工藝成本，這項技術有望提高碳化硅功率半導體的價格競爭力，并極大地促進大規模生產。”

作為這項離子注入技術的受讓方，SEMILAB預測，通過此次技術轉讓，他們將能夠實現高質量SiC的標準化。SEMILAB計劃利用 KERI開發的專用設備，來評估SiC功率半導體的離子注入工藝。

SEMILAB韓國公司總裁Park Su-yong說，“通過開發專用設備，我們將能夠對SiC襯底上的注入工藝進行在線監測，以實現注入系統的即時、準確和低成本生產控制，以及退火前注入的在線監測。這將為確保具有出色均勻性和可重復性的高質量離子注入的穩定大規模生產工藝奠定堅實基礎。

通常SiC晶錠切割采用的是砂漿線多線切割或者金剛線切割，這種技術已經非常成熟，但問題就是切割時參數的晶錠損耗太高了，所以很多企業在開發新技術嘗試解決這個問題。

最近，日本媒體報道了一項SiC晶錠切割技術——日本DryChemicals公司開發出一種工藝，自稱可將SiC襯底的生產成本降低 20-30%。

DryChemicals公司認為，之所以晶錠切割損耗高，是因為在切割時磨料產生了上下漂移，導致切割不夠精準。

據該公司主管Masao Ikeda透露，他們的做法是——在進行正式切割前，先在SiC晶錠上制作一些小凹槽，這些凹槽可以讓磨料有效穿透，這樣就可以防止切割漂移，從而最大限度地減少對襯底表面的損害。

他們認為這項凹槽技術有幾個優勢：

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