?
本系列的上、下兩篇文章探討了防反保護電路的設(shè)計。?上篇?介紹了各種脈沖干擾以及在汽車電子產(chǎn)品中設(shè)計防反保護電路的必要性，同時回顧了 PMOS 方案保護電路的特性；本文為下篇，將討論使用 NMOS 和升降壓驅(qū)動 IC 實現(xiàn)的防反保護電路。
?
?
設(shè)計具有 NMOS 和驅(qū)動IC 的防反保護電路時，NMOS 需放置在高邊，驅(qū)動IC也從高邊取電，這里將產(chǎn)生一個大于輸入電壓 (VIN) 的內(nèi)部電壓，給 NMOS 提供 (VGS)驅(qū)動供電。
?
根據(jù)驅(qū)動電源產(chǎn)生的原理，驅(qū)動IC可以采用電荷泵方案或升降壓（Buck-Boost）方案。具體描述如下：
電荷泵防反保護方案: 電荷泵方案具有較低的總體BOM 需求，從而可降低成本。該方案非常適合小電流應用，例如汽車 USB 供電設(shè)備 (PD) 大功率充電模塊。
升降壓防反保護方案: 升降壓方案提供強大的驅(qū)動能力和出色的EMC 性能。該方案非常適合大電流和高性能環(huán)境，例如汽車域控制器和音響系統(tǒng)。
?
圖 1 顯示了電荷泵方案與升降壓方案的特性。
圖 1：電荷泵方案與升降壓（Buck-Boost）方案
?
圖2顯示了具有電荷泵拓撲的NMOS驅(qū)動簡化工作原理圖。
圖 2：電荷泵拓撲的工作原理圖
CLK周期描述如下：
S1和S2導通
C0?由內(nèi)部對地電壓源充電
S3和S4導通
C1?由 C0?上的電壓充電
C0?是具有快速充電和放電速度的小電容，而 C1?則是具有大負載能力的大電容。因此，通過S1和S2（以及S3和S4）的頻繁切換， C0?上的電荷可以不斷傳輸給 C1，而 C1?的負端連接至電池電壓 (VBATT)。最終，NMOS由一個大于 VBATT?的電壓驅(qū)動。
?
圖 3 顯示了具有升降壓拓撲的 NMOS 驅(qū)動簡化工作原理圖。
圖 3：升降壓拓撲的工作原理圖
在升降壓拓撲中，功率MOSFET放在低邊。當 S_BAT 導通時， VIN?對電感充電，電感電壓為負；當S_BAT關(guān)斷時，電感將通過二極管釋放能量，電感電壓為正，并為 C1充電。當 C1?上的電壓超過 VBATT?時，NMOS柵極將被驅(qū)動。
?
在防反保護驅(qū)動 IC 中采用升降壓驅(qū)動 IC 有兩個明顯優(yōu)勢：增強驅(qū)動電流能力并提高 EMC 性能。
?
?
升降壓拓撲可以提供更大的驅(qū)動電流能力和更快的輸入干擾響應能力。例如，輸入疊加100kHz，峰峰值2V條件下進行實測。測量結(jié)果如圖 4所示，其中包含輸入防反保護 MOSFET 的源極電壓（粉色）、通過防反保護 MOSFET 的漏極電壓（淺藍色）、MOSFET 驅(qū)動 VGS?（紅色）和負載電流（綠色）。
圖 4：升降壓拓撲的測量波形（疊加交流紋波脈沖 = 100kHz，峰-峰值 = 2V）
波形顯示出，驅(qū)動IC實時監(jiān)測了NMOS的漏極與源極。在測試條件下，輸入電壓 （VIN） 與源極電壓 (VS)一致，而系統(tǒng)電壓則與漏極電壓 (VD)一致。
?
如果 VS?低于 VD，則 VIN?低于系統(tǒng)電壓，MOSFET 驅(qū)動關(guān)斷，體二極管提供防反保護功能防止電容電流回流；如果 VS?超過 VD，則 VIN?超過系統(tǒng)電壓，MOSFET 驅(qū)動導通，可避免體二極管導通影響效率。
?
如果采用電荷泵型防反驅(qū)動，由于其驅(qū)動電流能力不強，在輸入電壓快速波動時，容易產(chǎn)生門極驅(qū)動脈沖丟失或者常開的異常現(xiàn)象。
?
我們對電荷泵防反保護電路進行測量。測量結(jié)果如圖 5所示，其中包括防反保護 MOSFET 的輸入源極電壓（黃色）、輸出漏極電壓（紅色）、驅(qū)動 VGS（綠色）和負載電流（藍色）。
當柵極驅(qū)動脈沖丟失時，MOSFET不會被驅(qū)動。與此同時，體二極管導通將導致大量熱損耗。而且在導通時，將產(chǎn)生較大的充電電流尖峰。
?
當柵極驅(qū)動脈沖常開的時間內(nèi)，MOSFET 通常也會導通。與此同時，電解電容會反復充放電，從而導致發(fā)熱嚴重。
?
?
升降壓拓撲還可以提升 EMC 性能。電荷泵雖然沒有電感，但它是一種容性開關(guān)電源，由于效率低需要極高的工作頻率。通常情況下，集成電容小（在 pF 范圍內(nèi)）而外部電容大（在 μF 范圍內(nèi)）。因此，電荷泵的開關(guān)頻率 (fSW) 常超過 10MHz，這種高頻率將導致 EMI 問題。
?
采用升降壓驅(qū)動 IC 可提高效率。通過采用固定峰值電流控制，較小負載對應較低的 fSW。因此，升降壓拓撲可提升 EMC 性能（參見圖 6）。
圖 6：升降壓拓撲的恒定峰值電流
?
MPQ5850-AEC1 是一款智能二極管控制芯片，它可以替代肖特基二極管，驅(qū)動外部 NMOS實現(xiàn)反向輸入保護。該器件采用 TSOT23-8 封裝，非常適合汽車冷啟動條件。
?
圖 7 對電荷泵拓撲與采用升降壓拓撲的MPQ5850-AEC1進行了EMC 性能比較。左邊的電荷泵拓撲可能會存在潛在的EMC 問題，而右邊的MPQ5850-AEC1 方案能完美通過國標等級５測試。
圖7：電荷泵拓撲與MPQ5850-AEC1的比較
?
采用最佳的防反保護電路設(shè)計對通過各種脈沖干擾測試標準非常重要。與傳統(tǒng)的 PMOS電路相比，NMOS 電路提高了驅(qū)動電流能力和 EMC 性能。MPS的 MPQ5850-AEC1 可提供反向輸入保護功能并滿足EMC標準。欲了解更多詳情，請瀏覽MPS行業(yè)領(lǐng)先的?
來源：MPS
????? ??????????????? ? ? ? ? ? ? ??--END--
