READ命令見下圖，用于對打開的行的burst讀取訪問，burst長度在模式寄存器中設置。BA0和BA1選擇bank，地址輸入選擇起始列位置。A10的值確定是否使用自動預充電A10=1使能。如果選擇“自動預充電”，將在讀取burst結束時對正在訪問的行進行預充電并關閉；如果未選擇“自動預充電”，則該行將保持打開狀態以供后續訪問。
DQS與輸出數據一起由LPDDR SDRAM驅動，完全對齊，控制器內部對DQS延遲到DQ的中間再根據DQS邊沿采樣DQ。
在完成讀取burst后，沒有啟動其他讀取命令，則DQ將變為高阻態。
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CK是核心，因為都是以CK時鐘為參考來進行的，所以其抖動，占空比等等都有嚴格的要求，否則無法正常通訊。
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對于讀，該參數很重要，即CK上升沿到DQS上升沿的距離。
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DQS上升沿到DQ有效之間的距離。
理論上讀時要求DQS和DQ是對齊的，實際有間隔，要求該間隔不大于tDQSQmax。
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DQ有效到CK上升沿的間隔。
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tAC=tDQSCK+tDQSQ
tAC和tDQSCK都是以CK上升沿為基準，一個是和DQ有效的距離，一個是和DQS上升沿的間隔，兩者差tDQSQ就是DQS上升沿和DQ有效之間的間隔，由于讀使用DQS邊沿去采樣DQ，所以對tDQSQ非常關心，決定了DQS至少要延遲多少才能去采樣DQ。
控制內部會調整DQS延遲，延遲到DQ中心即最佳采樣位置。
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tLZ:DQ & DQS low-impedance time from CK/#CK
tHZ:DQ & DQS high-impedance time from?CK/#CK
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DQ從DQS邊沿開始的保持時間。
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在模式寄存器中定義，如下CL=3是默認值，可選CL=2和CL4
CAS延遲定義：當CL=3時，第一個數據在READ命令對應上升沿時鐘后的（2*tCK+tAC）處有效。既簡單的可以理解為第3個時鐘內有效。
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BURST TERMINATE命令用于截斷讀取burst（未使用自動預充電時A10=0）。BURST TERMINATE命令之前最近的READ命令將被截斷。注意，BURST TERMINATE命令針對所有bank。此命令不能用于寫burst 終止。
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DQS的初始低狀態被稱為讀取前導碼preamble；與最后一個數據輸出數據對齊的低狀態被稱為讀取后同步碼postamble。
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參數如下
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來自讀取burst的數據可以通過隨后的read命令進行級聯或截斷。來自新burst的第一個數據跟隨在已完成burst的最后一個元素或正在被截斷的較長burst的最后所數據之后。新的READ命令應在第一個READ命令之后X個周期發出，其中X等于所需數據輸出對的數量（2n預取架構需要對為單位）。如圖所示。
(1)第一個讀命令
(2)第一個讀命令之后，間隔2個周期，發送第二讀命令
(3)留給數據傳輸的周期是2個周期，所以第一個命令傳輸了4個數據。如果是burst 4剛好傳完，burst 8和以上則被截斷。
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READ命令可以在前一個READ命令之后的任何時鐘周期上啟動。非連續讀取如圖所示。
(1)第一個讀命令
(2)第一個讀命令之后，間隔3個周期，發送第二讀命令
(4)留給數據傳輸的周期是3個周期，如果是burst 4則傳輸完還剩余一個周期。
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可以在一個或多個page中執行全速隨機讀取訪問，如圖所示
(1)發送第一個讀命令
(2)連續發送第二命令，這樣每個命令間隔一個周期，傳輸2個數據，剩下的被截斷。相當于完全隨機讀取。
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可以使用burst TERMINATE命令BST來截斷來自任何READ?burst的數據，如圖所示。BURST TERMINATE延時等于讀取（CAS）延時即CL，即應在read命令之后X個周期發出BURST TERMINATE命令，其中X等于所需的數據對數。 簡而言之就是需要讀多少對數據就在都命令多少個周期后發BST命令。
(1)讀命令
(2)一個周期后 BST命令終止，只發送了一個數據對。
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必須先完成或截斷來自READ?burst的數據，然后才能發出后續的WRITE命令。如果需要截斷，則必須使用BURST TERMINATE命令，如圖tDQSS的情況所示。
(1)讀命令
(2)一個周期后發，終止命令，可以發送1個數據對。
(3)2個周期后寫命令。
如果burst為2則完全不需要BST命令，因為一個周期足夠發送完。
Burst大于2則只傳了一個數據對，剩余的截斷。
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讀取burst之后可以是到同一bank的預充電命令，或者用預充電命令截斷讀取burst（前提是未使能自動預充電A10=0）。PRECHARGE命令應在READ命令之后X個周期發出，其中X等于所需數據對的數量。如圖所示。
在PRECHARGE命令之后，在滿足tRP之前，不能向同一bank發出后續命令。注意，行預充電時間的一部分在最后一個數據輸出的訪問期間被隱藏。
在讀取被執行到完成的情況下，在最佳時間發出的預充電命令提供了與啟用自動預充電的讀取burst相同的操作。PRECHARGE命令的缺點是它要求命令和地址總線在適當的時間可用以發出命令。PRECHARGE命令的優點在于，它可以用于截斷突發。
(1)讀
(2)2個周期后預充電命令，此間可以發送2個數據對
(3)tRP之后(以上一個預充命令上升沿為基準)才能發送新的命令。
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tRCD決定了打開行ACTIVE之后多久可以發送讀寫命令。
CL即CAS決定了讀數據命令發出多久之后數據可以返回到總線上。
tRP即決定了發送預充電之后多久可以發送新的命令。
以上三個參數覆蓋了最為普遍的操作過程，即
1)打開行
2)讀寫行
3)預充關閉行
為什么選擇這幾個參數作為速度評價參數呢，正是因為它代表了最普遍的一般操作，實際行內可以連續隨機讀，并不需要每次操作都要以上三個步驟效率可以快的更多。所以用最為一般來代替速度評價是合理的。
這里要忍不住來吐槽下各國產廠家，都喜歡加一大長串定語來定義自己第一，只要定語夠長，人人都是第一，實際就不是使用普遍操作環境來定義，就屬于你懂的操作?。?！真正有良心的，有信心的，有能力的，都會關系實際通常的應用場景的體驗，那才是接近真實的。
以上分享了LPDDR的讀寫時序，重點在于DQS，可說能否正確讀寫主要在于DQS和DQ的相位關系。DDR采用的是source synchronous的設計，即數據傳輸不再使用CK采樣，而是增加了DQS信號，DQS由發送端驅動接收方根據其邊沿進行采樣DQ。
不管是讀還是寫，都是接收端看到的DQS邊沿在DQ的中間采樣就是最優的。這樣保證最優的采樣窗口。實際是讀時顆粒驅動DQS和DQ邊緣對齊，由控制器接收端對DQS延遲到DQ中心采樣。寫時控制器驅動DQS到DM的中心，顆粒不需要作延遲處理。這樣做的目的是把決定權都交給控制器，因為顆粒產量大控制成本的收益更可觀，所以盡量顆粒簡單點，而控制器可以靈活的使用traing算法去調整DQS，比顆粒去調整也更靈活。
