此次升級(jí)不僅是技術(shù)解決方案的飛躍，更是對(duì)創(chuàng)新精神的一次深刻體現(xiàn)，旨在擴(kuò)展全面的測(cè)試能力，提供一站式解決方案，打造一個(gè)開放、協(xié)作、共贏的生態(tài)平臺(tái)，攜手用戶共同應(yīng)對(duì)新技術(shù)測(cè)試的挑戰(zhàn)。
第三代半導(dǎo)體不是一個(gè)全新的話題，其蓬勃發(fā)展的態(tài)勢(shì)已經(jīng)形成，對(duì)應(yīng)的測(cè)試需求與日俱增。泰克公司作為測(cè)試測(cè)量領(lǐng)域的佼佼者，一直致力于提升企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力，創(chuàng)新研發(fā)第三代半導(dǎo)體的測(cè)試解決方案。
泰克將本土化作為核心競(jìng)爭(zhēng)力之一，自2022年在中國(guó)成立先進(jìn)半導(dǎo)體開放實(shí)驗(yàn)室以來(lái)，已累計(jì)免費(fèi)為超過(guò)300人次提供服務(wù)，測(cè)試器件種類超過(guò)1000種，是國(guó)內(nèi)面向第三代半導(dǎo)體功率器件方向，測(cè)試能力卓越，綜合能力領(lǐng)先的實(shí)驗(yàn)室；同時(shí)也是客戶實(shí)測(cè)和交流的平臺(tái)。
為了更好的銜接客戶測(cè)試需求，應(yīng)對(duì)新技術(shù)應(yīng)用場(chǎng)景，現(xiàn)在實(shí)驗(yàn)室再次升級(jí)，泰克創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室V2.0橫空出世，設(shè)備再更新，能力再升級(jí)。此次升級(jí)包括了GaN器件開關(guān)測(cè)試和動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試、SiC功率器件的短路測(cè)試、雪崩測(cè)試，以及更全面的靜態(tài)參數(shù)和電容參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。此外，實(shí)驗(yàn)室還引入了全新的面向第三代半導(dǎo)體功率器件的可靠性測(cè)試系統(tǒng)，以滿足日益增長(zhǎng)的測(cè)試需求。
泰克創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室致力于打造一個(gè)完整的生態(tài)平臺(tái)，通過(guò)線上線下多元化的互動(dòng)方式，促進(jìn)行業(yè)內(nèi)外的交流與合作。實(shí)驗(yàn)室的重新揭幕，不僅標(biāo)志著其在測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域的新里程碑，也預(yù)示著泰克本土化進(jìn)程的進(jìn)一步深化加強(qiáng)。泰克將與合作伙伴更密切的合作，以泰克測(cè)試解決方案為核心，開發(fā)更多本土化方案，來(lái)解決中國(guó)客戶的實(shí)際痛點(diǎn)。
我們將以更全面的測(cè)試能力，與客戶一起打磨產(chǎn)品，驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)，為國(guó)產(chǎn)第三代半導(dǎo)體企業(yè)提供優(yōu)質(zhì)良好的服務(wù)，共同推動(dòng)第三代半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。
DPT1000A動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
DPT1000A功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，于2021年首度推出，旨在解決客戶在功率器件動(dòng)態(tài)特性表征中常見的疑難問(wèn)題。
泰克公司結(jié)合自身在時(shí)域波形測(cè)量領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗(yàn)，與國(guó)內(nèi)系統(tǒng)集成商一道，共同定義并開發(fā)了這套面向新一代功率器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)。這套系統(tǒng)具備高測(cè)試帶寬，低寄生參數(shù)，兼容性強(qiáng)，系統(tǒng)靈活方便升級(jí)的特點(diǎn)，系統(tǒng)推出后得到廣大測(cè)試工程師的廣泛認(rèn)可。
除了常規(guī)的開關(guān)參數(shù)和反向恢復(fù)測(cè)試外，DPT1000A還可以完成雪崩測(cè)試，短路測(cè)試，測(cè)試期間種類涵蓋Si MOSFET，IGBT，PMOS，SiC，GaN等，系統(tǒng)具備極高的靈活性，適配多種測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。
SPT1000A靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)
SPT1000A靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)可用于各類二極管、三極管、絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管、單向和雙向可控硅、普通和高速光耦、整流橋、共陰共陽(yáng)二極管等各類分立器件的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)搭配了業(yè)界領(lǐng)先的源表（SMU）和精密LCR表。使得本系統(tǒng)可以在3kV和1000/2000A的條件下實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量和參數(shù)分析，漏電流測(cè)試分辨率高達(dá)fA級(jí)，電壓測(cè)試分辨率最高可達(dá)nV級(jí)，以及3000V高壓下的寄生電容的精密測(cè)量。本系統(tǒng)不僅適用于傳統(tǒng)硅基功率器件，也可用于新型功率半導(dǎo)體器件如碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。
SPT1000A在測(cè)試夾具設(shè)計(jì)上采用一站式設(shè)計(jì)，被測(cè)件插入夾具后，可以一次性完成高壓、大電流，寄生電容相關(guān)測(cè)試，無(wú)需更換測(cè)試夾具和測(cè)試連接，簡(jiǎn)化操作步驟，提高測(cè)試效率。系統(tǒng)支持加溫測(cè)試，外置選配熱流儀可以進(jìn)行高溫低溫。
HTXB-1000B動(dòng)靜態(tài)綜合老化測(cè)試系統(tǒng)
DHTXB-1000A動(dòng)靜態(tài)綜合老化測(cè)試系統(tǒng)針對(duì)第三代半導(dǎo)體功率器件，參考AQG-324標(biāo)準(zhǔn)，根據(jù)特有的器件特性和失效機(jī)理，在加速老化條件下，有針對(duì)性的施加特定壓力條件（包括靜態(tài)壓力和動(dòng)態(tài)壓力），用以測(cè)試器件的漏流指標(biāo)，以及其他特性參數(shù)（例如閾值電壓，導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵指標(biāo)），用以表征器件的老化特性和工作壽命。
可以讓器件生產(chǎn)廠商和器件使用者在較短時(shí)間內(nèi)了解功率器件的老化特性，以及長(zhǎng)期使用條件下的性能變化，為器件實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中可能出現(xiàn)的故障進(jìn)行預(yù)判和分析。
DHTOL-1000B功率器件工況老化測(cè)試平臺(tái)
以SiC和GaN為代表的第三代半導(dǎo)體功率器件，由于其相對(duì)較短的面市歷史，目前器件的可靠性與壽命分析仍屬于科研前沿。在這一背景下，老化測(cè)試方法尚未形成統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)。然而，在一些行業(yè)領(lǐng)先廠商和標(biāo)準(zhǔn)化組織的積極推動(dòng)下，例如JEP180，針對(duì)功率器件的高溫度操作壽命（HTOL）測(cè)試方法正逐漸成為評(píng)估這些新型功率器件老化特性的新興手段。
HTOL測(cè)試方法的主要優(yōu)勢(shì)在于其能夠模擬器件在實(shí)際工作環(huán)境下的老化過(guò)程。通過(guò)在高溫條件下加速器件的退化過(guò)程，該方法能夠在較短的時(shí)間內(nèi)獲得關(guān)于器件老化特性的寶貴數(shù)據(jù)。這些數(shù)據(jù)不僅對(duì)用戶具有較高的說(shuō)服力，而且對(duì)于產(chǎn)品的保修期限和維護(hù)計(jì)劃的制定具有重要指導(dǎo)意義。
此外，通過(guò)在特定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電源電路中進(jìn)行硬開關(guān)測(cè)試，HTOL方法能夠有效預(yù)測(cè)器件在特定工作條件下的預(yù)期壽命。這不僅為產(chǎn)品的可靠性評(píng)估提供了科學(xué)依據(jù)，同時(shí)也幫助設(shè)計(jì)者深入理解器件在預(yù)期壽命周期內(nèi)的性能表現(xiàn)，從而在產(chǎn)品開發(fā)和優(yōu)化過(guò)程中做出更加精準(zhǔn)的決策。
值得一提的是，泰克將作為演講贊助單位出席我們6月份會(huì)議并發(fā)表演講。歡迎各位同仁一同出席參與！
IPF?2024?第二屆碳化硅功率器件制造與應(yīng)用測(cè)試大會(huì)
暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高峰論壇?
——峰會(huì)報(bào)名入口——
