據(jù)麥姆斯咨詢報道，英飛凌科技股份公司近日宣布，已成功開發(fā)出全球首項300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項突破將極大地推動GaN功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展。相較于200mm晶圓，300mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進，也因為晶圓直徑的擴大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了2.3倍，效率也顯著提高。
300mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓
基于GaN的功率半導(dǎo)體正在工業(yè)、汽車、消費、計算和通信應(yīng)用中快速普及，包括AI系統(tǒng)電源、太陽能逆變器、充電器和適配器以及電機控制系統(tǒng)等。先進的GaN制造工藝能夠提高器件性能，為終端客戶的應(yīng)用帶來諸多好處，包括更高的效率、更小的尺寸、更輕的重量和更低的總成本。此外，憑借可擴展性，300mm制造工藝在客戶供應(yīng)方面具有極高的穩(wěn)定性。
英飛凌科技首席執(zhí)行官Jochen Hanebeck
英飛凌已在其位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導(dǎo)體晶圓廠中，利用現(xiàn)有300mm硅生產(chǎn)設(shè)備的整合試產(chǎn)線，成功地生產(chǎn)出300mm GaN晶圓。英飛凌正通過現(xiàn)有的300mm硅和200mm GaN的成熟產(chǎn)能發(fā)揮其優(yōu)勢，同時還將根據(jù)市場需求進一步擴大GaN產(chǎn)能。憑借300mm GaN制程技術(shù)，英飛凌將推動GaN市場的不斷增長。據(jù)估計，到2030年末，GaN市場規(guī)模將達到數(shù)十億美元。
英飛凌位于奧地利菲拉赫（Villach）的功率半導(dǎo)體晶圓廠
這一開創(chuàng)性的技術(shù)成就彰顯了英飛凌在全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者地位。英飛凌正通過布局300mm GaN技術(shù)，打造更具成本效益價值、能夠滿足客戶系統(tǒng)全方位需求的產(chǎn)品，以加強現(xiàn)有解決方案并使新的解決方案和應(yīng)用領(lǐng)域成為可能。2024年11月，英飛凌將在慕尼黑電子展（electronica）上向公眾展示首批300mm GaN晶圓。
由于GaN和硅的制造工藝十分相似，因此300mm
GaN技術(shù)的一大優(yōu)勢是可以利用現(xiàn)有的300mm硅制造設(shè)備。英飛凌現(xiàn)有的大批量300mm硅生產(chǎn)線非常適合試產(chǎn)可靠的GaN技術(shù)，既加快了實現(xiàn)的速度，又能夠有效利用資本。300mm
GaN的全規(guī)模化生產(chǎn)將有助于實現(xiàn)GaN與硅的成本在同一RDS(on)級別能夠接近，這意味著同級的硅和GaN產(chǎn)品的成本將能夠持平。
300mm GaN是英飛凌戰(zhàn)略創(chuàng)新領(lǐng)導(dǎo)地位的又一里程碑，將助推英飛凌低碳化和數(shù)字化使命的達成。
