EMC知識(shí)合集
現(xiàn)場(chǎng)測(cè)試圖
實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象
波器測(cè)試電流波形
1# P端波形
1# N端波形
? ? 案例還原，一款汽車用ECU，在做傳導(dǎo)輻射的測(cè)試時(shí)候超標(biāo)。
測(cè)試項(xiàng)：傳導(dǎo)輻射_CISPR 25(CE)
測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)：Class3
失效模式：
正極未通過(guò)：在6.12MHz超過(guò)門限值，測(cè)量值60.644dBuV，門限值45dBuV，超過(guò)門限值15.644dBuV
負(fù)極未通過(guò)：在5.96MHz超過(guò)門限值，測(cè)量值57.326dBuV，門限值45dBuV，超過(guò)門限值12.326dBuV
原因分析
波形分析
黃色：A相上橋臂，藍(lán)色：A相下橋臂
?根據(jù)測(cè)試波形，確認(rèn)傳導(dǎo)干擾的騷擾點(diǎn)頻率間隔為20KHz的整數(shù)倍，是由于PWM信號(hào)（20KHz）驅(qū)動(dòng)H橋電路引起（下圖1所示）。
?根據(jù)硬件信號(hào)測(cè)試確認(rèn)，H驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)信號(hào)無(wú)過(guò)沖現(xiàn)象（如下圖所示）。
?整改思路：調(diào)整dv/dt，di/dt---PWM開(kāi)關(guān)信號(hào)的上升和下降時(shí)間。
整改方案
整改前上下橋臂GS驅(qū)動(dòng)電壓波形
整改后上下橋臂GS驅(qū)動(dòng)電壓波形
整改前死區(qū)電壓波形
整改后死區(qū)電壓波形
?更改MCU驅(qū)動(dòng)H橋Mosfet的G極電阻值及GS間電容，延緩PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)電壓的上升和下降時(shí)間。
?更改MCU驅(qū)動(dòng)H橋Mosfet的電阻值及GS間電容，GS間電容；Mosfet的GS間驅(qū)動(dòng)電壓的上升和下降時(shí)間增大，需要保證死區(qū)時(shí)間，否則導(dǎo)致上下橋臂發(fā)生短路故障，經(jīng)測(cè)試，更改后死區(qū)時(shí)間符合設(shè)計(jì)要求。
????更改設(shè)計(jì)后的3Pcs樣件重新進(jìn)行重復(fù)CE測(cè)試，均通過(guò)Class3！
整改后1#N端
整改后1#P端
總結(jié)
? ??首先，我們需要明確傳導(dǎo)發(fā)射的基本概念。在電子設(shè)備中，由于電路元件的非線性特性、開(kāi)關(guān)操作、信號(hào)突變等因素，會(huì)產(chǎn)生高頻噪聲電流。這些電流在通過(guò)電源線時(shí)，會(huì)沿著電源線形成回路，進(jìn)而向外界輻射電磁波。這種輻射不僅可能干擾其他電子設(shè)備的正常工作，還可能對(duì)電網(wǎng)的穩(wěn)定運(yùn)行造成威脅。
????然后，在整改的時(shí)候，要根據(jù)實(shí)際的波形，結(jié)合自己的電路設(shè)計(jì)，分析出干擾的源頭在哪里，最終采取相應(yīng)的整改措施。
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