在于舊金山舉行的 IEEE 國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球晶圓代工巨頭臺積電公布了其備受矚目的 2 納米（N2）制程技術的更多細節，展示了該技術在性能、功耗和晶體管密度方面的顯著進步。
臺積電在會上重點介紹了其 2 納米“納米片（nanosheets）”技術。據介紹，相較于前代制程，N2 制程在性能上提升了 15%，功耗降低了高達 30%，能效顯著提升。此外，得益于環繞式柵極（GAA）納米片晶體管和 N2 NanoFlex 技術的應用，晶體管密度也提高了 1.15 倍。N2 NanoFlex 技術允許制造商在最小的面積內集成不同的邏輯單元，進一步優化了制程的性能。
通過從傳統的 FinFET（鰭式場效應晶體管）技術過渡到專用的 N2“納米片”技術，臺積電實現了對電流更有效的控制，使得制造商能夠根據不同的應用場景微調參數。納米片技術采用堆疊的窄硅帶結構，每條硅帶都被柵極包圍，相比 FinFET 技術，能夠實現更精確的電流控制。
與 3 納米及其衍生制程相比，臺積電的 N2 制程在性能上實現了顯著的提升。鑒于其明顯的代際改進，預計包括蘋果和英偉達在內的行業巨頭將大規模采用該制程。然而，伴隨性能提升的，是晶圓價格的上漲。據悉，N2 制程晶圓的價格將比 3 納米制程高出 10% 以上。
據估計，一片 N2 晶圓的價格可能在 2.5 萬至 3 萬美元之間，具體價格將取決于臺積電的最終定價。相比之下，3 納米晶圓的價格約為 2 萬美元。考慮到初期良率和試生產等因素，N2 制程的初期產量將受到限制，意味著其普及速度在初期可能會相對緩慢。
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