韓國媒體報導，三星正計劃將其位于中國西安的工廠升級至?286 層堆棧的 NAND Flash 快閃存儲器制程技術，以應對當前的市場低迷，并抵御來自長江存儲等中國半導體公司日益激烈的競爭狀態。先前長江存儲宣布，已開始大規模生產 294 層堆棧的 NAND Flash 快閃存儲器。
BusinessKorea 報導指出，自 2023 年以來，三星一直在推動西安工廠的主流 128 層堆棧 NAND Flash 快閃存儲器制程向 236 層堆棧技術發展。而為了提升其競爭力，三星這次決定安裝一條 286 層堆棧的 NAND Flash 快閃存儲器生產線，該產線計劃在上半年引進所需的新設備，并計劃在下半年建立完成一條月產 2,000 至 5,000 片晶圓的產線。這項發展，預計是三星保持技術領先地位和確保長期產品競爭力策略的一部分。
報導指出，中國西安工廠是三星唯一的海外存儲器生產基地，對該公司全球供應鏈至關重要，生產了該公司約?40% 占比 NAND Flash 快閃存儲器。未來升級到 286 層堆棧制程之后，預計將顯著增強該工廠的生產能力。
而因為先前的美國拜登政府，決定在?2023 年給予三星經過驗證的最終用戶 (VEU) 地位，這一地位使得三星可以在中國生產 200 層以上堆棧的 NAND Flash 快閃存儲器，進一步在美國限制向中國出口先進半導體制造設備的制裁措施下，提供了一定的回旋空間，這使三星能夠在面臨地緣政治緊張局勢情況下，能繼續在中國進行其先進的 NAND Flash 快閃存儲器制造流程。
報導引用市場人士的說法表示，三星在國內提升先進?NAND Flash生 產技術的同時，也在中國的進行相關的技術升級，這種雙重策略凸顯了三星企圖維持在國內外的競爭優勢的作法。因為自 2024 年下半年以來，三星一直致力于將 400 層堆棧的 NAND Flash 生產技術應用于韓國平澤一號工廠量產線，并可能在 2025 年下半年實現初步量產步驟。
報導表示，三星日前公布了2024年第四季的業績時表示，將加速向 236 層和 286 層堆棧的 NAND Flash 的生產技術發展，以確保長期的產品競爭力。然而，盡管取得了這些進步，但三星預計 2025 年第一季每月 42 萬片的 NAND Flash 產量，仍較 2024 年第四季減少約 25%。這主因是為了反映受價格上漲和利率上漲等經濟因素，使得當前手機和 PC 市場需求下滑所導致的供過于求現象。不過，人工智能資料中心等市場需求仍日益成長，推動三星等專注于高效能、高容量的 NAND Flash 產品的生產。
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