3月3日，美國喬治敦大學“新興技術觀察項目（ETO）”發布了一份研究報告稱，中國在芯片設計與制造領域的研究論文產出方面處于全球領先地位。根據該報告，2018-2023年全球共發表約47.5萬篇與芯片設計和制造相關的論文，五年間增長率為8%。這一增速雖低于人工智能（AI）或大型語言模型（LLM）等熱門領域（如AI論文同期增長76%），但芯片設計與制造研究仍保持了穩定的增長態勢。
據悉，這一數據基于包含英文標題或摘要的文章統計，未涵蓋無英文摘要的非公開研究。若納入中文論文（尤其是中國學者的非英文研究），實際論文數量可能顯著增加。
該報告數據顯示，在芯片設計與制造論文領域，中國以絕對優勢領先于其他國家。其中，34%的論文有來自中國機構的作者參與，15%的論文有美國作者參與，18%的論文有歐洲作者參與。
同時，在高被引文章（定義為每年發表文章中被引用次數排名前10%的文章）中，中國作者的比例高達50%，遠超美國（22%）和歐洲（17%）。韓國和德國分別位列第三和第四位，但與中、美仍有較大差距。
此外，全球前十大高產機構中，9家為中國機構（如中國科學院、清華大學等）。其中，中國科學院以 2018-2023 年期間發布的 14,387 篇文章位居榜首。法國國家科學研究中心（CNRS）在文章數量上位列全球第三。
通過對2018-2023年期間高被引文章的分析，可以發現芯片設計與制造領域的研究熱點。在被引用次數最高的十篇芯片設計與制造文章中，許多研究聚焦于半導體應用中的二維材料，如石墨烯和 MXenes，過渡金屬及其化合物也是熱門研究對象，包括鐵磁性過渡金屬和過渡金屬二硫化物等。
總體來看，中國作為芯片設計和制造方面最大的研究論文產出國，領先于美國等其他高產國家。
不過，值得一提的是，根據美國信息技術與創新基金會（ITIF）在2024年8月發布的一份研究報告稱，盡管中國企業在半導體設計和傳統半導體芯片生產方面取得了進展，但在大批量生產尖端邏輯半導體芯片方面相對于全球領先企業落后約5年，在存儲芯片和半導體制造設備方面同樣落后。
同時，美國在EDA工具、核心IP和邏輯芯片等核心研發密集型活動中占據主導地位。但美國ITIF也認為，中國正在努力縮小半導體生產過程中各個方面的差距，并正在全面開發真正的知識產權（IP）和創新能力。
