一.前言

    前面我們介紹了NAND的讀原理，現在繼續來介紹編程和擦除原理。本文先介紹編程原理。前面介紹CELL時就介紹了編程和擦除實際都是做電子的”搬運工”,和那句廣告詞，我們不生產水，我們只做大自然的搬運工一樣一樣的。
    通過大力出奇跡，加高電壓產生強電場，讓電子通過隧穿效應穿過絕緣層到達浮柵，撤掉電場之后，電子就"困"在了浮柵之中，實現了掉電保持。

二.編程

2.1編程基本原理

我們先來介紹編程原理。

前面我們介紹過,NAND存儲原理本質是浮柵中電子的移入移出，對應的就是編程和擦除操作。電子移入移出的原理是隧道氧化物 tunnel oxide注入和噴射 injection and ejection 電子，這是由Fowler-Nordheim（FN）隧道效應實現的。

tunneling current (JF N )隧道電流由以下公式得到

可以看到JFN是tunnel oxide隧道氧化物中電場強度的指數關系。

在編程操作期間，當向控制柵極CG施加高正電壓Vprogram，電子從襯底注入閃存單元的浮柵。該電壓加到同一個PAGE公用的Word Line上，所以編程最小單位就是PAGE。