近日，據上杭融媒公眾號消息，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目迎來新進展。
目前最新進展是該項目整個主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發樓、宿舍正在進行內部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動力中心正在內部調試，預計8月可進行機電設備的入駐；此外，正在進行外部場地的平整以及污水管網的挖掘和鋪建。整體來看，項目正有序推進中。此前7月初，根據龍巖市融媒體中心報道，該項目預計9月份試產。
福建#晶旭半導體 基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產項目，位于上杭工業園區南崗金銅產業園，總投資16.8億元，項目建設136畝工業廠區，將建成全球首條超寬禁帶半導體高頻濾波芯片生產線。項目建成后，不僅可以填補國內氧化鎵壓電薄膜新材料領域的空白，更將為上杭縣新材料產業發展注入強勁動力。
福建晶旭半導體科技有限公司成立于2020年，是一家專注于#氧化鎵 基通訊射頻濾波器晶圓材料及芯片研發生產和服務的高新技術企業。其技術團隊從2005年開始研究5G聲波濾波器制備，擁有光電集成芯片和化合物單晶薄膜材料專利100多項，特別在5G核心器件射頻濾波器壓電薄膜材料芯片制備技術上，處于領先地位。
氧化鎵（Ga?O?）是一種寬禁帶半導體材料，其中ε相氧化鎵（ε-Ga?O?）具有優異的壓電性能和高頻特性（能響應極高頻率的電信號），利用這種特性，可制成聲波濾波器芯片，通過電信號激發氧化鎵薄膜的機械振動，篩選出特定頻率的信號（如5G通信所需的高頻信號），同時過濾掉雜波，實現信號的 “提純”。
隨著5G、6G、衛星通信等技術發展，信號頻率從傳統的sub-6GHz向更高的毫米波（24GHz以上）邁進。氧化鎵基濾波器在高頻段下的信號損耗更低、穩定性更高，能滿足高速率、大容量通信的需求，可以覆蓋通信、航天、國防等關鍵領域。
目前，全球高頻濾波器市場長期被國外企業壟斷，且傳統材料在高頻段的性能瓶頸明顯。如福建晶旭半導體的相關項目建成后，將成為全球首條氧化鎵基高頻濾波器芯片量產線，填補國內在該領域的空白，對半導體產業鏈自主可控具有重要意義。
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