作者 | 吳旭光
9月4日，第十三屆半導體設備與核心部件及材料展（簡稱：CSEAC 2025）在無錫舉行。作為CSEAC展會的重要組成部分，2025半導體制造與材料董事長論壇備受矚目，該論壇由上海報業集團旗下財聯社、《科創板日報》以及CSEAC展會主辦方共同聯合主辦。
在“2025半導體制造與半導體專用材料董事長論壇”上，中國電子材料行業協會半導體材料分會秘書長林健圍繞半導體材料技術突破、產業鏈協同及全球化布局等核心議題進行了話題分享。
在致辭環節，林健明確提出，應把第三代及超寬禁帶半導體材料為核心抓手，加快關鍵領域自主可控進程，為我國半導體產業高質量發展注入強勁動力。
▌產業現狀：結構升級態勢顯著 寬禁帶材料成增長新引擎
半導體產業在現代經濟和科技發展中占據著舉足輕重的地位，它支撐著整個信息社會的運行。
半導體材料是半導體產業的基石，是推動現代科技革命和產業升級的核心驅動力，更是國家科技自主可控的戰略高地。
近期，我國半導體材料實現了快速發展。在半導體硅材料領域，盡管全球硅材料出貨面積同比下滑，但在國內去年出貨面積逆勢增長22.5%，達35.64億平方英寸，銷售額穩定在123億元。此外，寬禁帶半導體等領域同樣捷報頻傳。
2024年，國內砷化鎵材料市場規模約3.5億元，全球占比提升至15%；磷化銦材料雖規模實現全球3%的市場份額突破。在碳化硅襯底領域，國內出貨量達128.8萬片，同比增長44.1%，全球出貨量占比超43%，產業規模效應初步顯現。
值得關注的是，繼山東天岳先進、山西爍科率先突破12英寸碳化硅單晶拉制技術后，目前國內已有六家單位成功掌握該技術，標志著我國在寬禁帶材料高端領域逐步縮小與國際差距。
▌技術突破：從寬禁帶到超寬禁帶 多項成果達國際先進水平
聚焦半導體材料技術前沿進展，林健認為，我國已在第三代及超寬禁帶半導體材料領域實現多點突破。
在氮化鎵（GaN）領域，蘇州納維團隊在國內成功研制出6英寸氮化鎵體單晶材料，其2英寸襯底的位錯密度指標達到世界領先水平，為高性能氮化鎵器件產業化奠定基礎；氧化鎵（Ga?O?）技術突破更具里程碑意義。
據悉，中國電科46所于2023年2月率先拉制出6英寸氧化鎵單晶后，2025年3月浙大鎵仁團隊采用鑄造法成功制備出全球首顆8英寸氧化鎵單晶，大幅提升我國在超寬禁帶材料領域的話語權。
此外，電科46所與奧趨光電分別實現4英寸、3英寸氮化鋁（AlN）單晶材料突破；西安交大王宏興團隊則完成2英寸異質結外延單晶金剛石材料的商業化生產，填補了我國在超寬禁帶半導體材料商業化應用領域的部分空白。
這些技術成果的落地，標志著我國半導體材料正從“跟跑”向“并跑”甚至“領跑”轉變。
▌趨勢與挑戰：材料驅動產業變革 多重瓶頸亟待突破
展望半導體新材料未來發展，與會專家紛紛表示，全球半導體產業已進入“材料創新驅動發展”的新階段。
據市場三方數據統計，預計2025年全球半導體市場規模將突破7000億美元，同比增長13%以上；半導體材料市場規模達747億美元，增速16.8%。其中，碳化硅材料市場規模將達20億美元，同比增幅20%，成為增速最快的細分領域之一。
展望未來，業界一致認為，未來5-10年，隨著材料創新與產業鏈協同深化，半導體新材料將引領新一輪科技革命，推動社會向智能化、綠色化轉型。
同時，在半導體材料產業加速發展的進程中，一系列深層次的挑戰仍有待突破。
林健對此表示，在高端材料領域，我國與國際先進水平仍有差距，ArF/DUV/EUV光刻氣、高端前驅體、先進濕電子化學品等關鍵材料依賴進口；資金投入不足與高端人才短缺問題突出，制約產業創新速度；國際貿易摩擦與技術封鎖加劇，給供應鏈穩定帶來不確定性。
在此背景下，國內企業需積極應對、尋求突破。
▌協同破局：多舉措并舉凝聚合力 協會搭建產業服務橋梁
針對產業痛點，林健呼吁并提出五方面發展路徑：一是加大研發投入，構建“材料—裝備—工藝—軟件”一體化攻關體系，深化產學研協同；二是完善人才培養與引進機制，建立“基礎研究—工程化—量產運營”全鏈條人才梯隊；三是強化產業鏈協同，推動晶圓廠與材料企業聯合開展工藝驗證，加速材料國產化替代；四是推進標準化與國際化，以標準制定提升行業話語權，助力企業拓展海外市場；五是構建多源供應鏈，降低關鍵材料單點依賴風險。
作為半導體材料產業發展中的橋梁和紐帶，中國電子材料協會在產業協同中發揮著關鍵作用。
林健進一步表示，中國電子材料協會通過組織行業交流、發布產業報告、參與政策制定等方式，為企業搭建信息共享與合作平臺；同時推動半導體材料國產化替代，鼓勵企業與科研機構聯合攻克技術難題，為產業發展營造良好環境。
展望未來，隨著全球半導體產業加速向“材料驅動”轉型，我國半導體材料產業迎來戰略機遇期。
