據麥姆斯咨詢報道，2025年12月19日至12月21日，中國科學院上海技術物理研究所研究員李淘將參加《第76期“見微知著”培訓課程：紅外探測與成像技術》并進行授課，具體信息如下：
授課主題：短波紅外InGaAs焦平面探測器
授課老師簡介：
李淘，博士，中國科學院上海技術物理研究所研究員、博士生導師，中國科學院青年創新促進會會員，中國光學學會紅外與光電器件專業委員會委員。他近年來一直在新型短波紅外InGaAs焦平面探測器方面從事應用基礎研究，主要研究方向包括航天用短波紅外InGaAs探測器、數字化短波紅外InGaAs探測器、集成偏振微結構的InGaAs探測器、近紅外II區生物醫學熒光成像用InGaAs探測器和智能化InGaAs探測器等。他主持國家自然科學基金、中國科學院聯合基金、預研等多個科研項目，參與多個航天工程項目。他在國內外期刊上發表論文20余篇，申請發明專利10項。
授課背景及內容：
短波紅外InGaAs焦平面探測器具有探測率高、均勻性好等優點，其是發展小型化、低功耗和高可靠性短波紅外光電成像系統的理想選擇之一，在航天遙感、微光夜視、醫療診斷、安全監控等領域具有廣泛應用。近十年來，中國科學院上海技術物理研究所圍繞高靈敏度常規波長（0.9～1.7 μm）InGaAs焦平面、延伸波長（1.0～2.5 μm）InGaAs 焦平面以及新型多功能InGaAs探測器取得了良好進展。在常規波長InGaAs焦平面方面，從256×1、512×1像元等線列向320×256、640×512、4000×128、1280×1024像元等多種規格面陣方面發展，室溫暗電流密度優于5 nA/cm2，室溫峰值探測率優于5×1012 cm·√Hz/W。在延伸波長InGaAs焦平面方面，發展了高光譜高幀頻1024×256、1024×512像元面陣，暗電流密度優于10 nA/cm2和峰值探測率優于 5×1011 cm·√Hz/W@200 K。在新型多功能InGaAs探測器方面，通過片上集成微納光學結構實現了寬譜段響應InGaAs探測器及 InGaAs偏振探測器。本課程詳解短波紅外InGaAs焦平面探測器及讀出電路關鍵技術，并展望未來發展趨勢。
上海技物所1.7 μm短波紅外InGaAs焦平面探測器組件及成像圖片
1024 × 256延伸波長InGaAs焦平面探測器組件及其信號統計分布圖
課程提綱：
1. 短波紅外InGaAs光電探測材料；
2. 短波紅外InGaAs焦平面探測器設計；
3. 短波紅外InGaAs焦平面探測器制造；
4. 短波紅外InGaAs焦平面讀出電路；
5. 短波紅外InGaAs焦平面探測器封裝和測試；
6. 短波紅外InGaAs焦平面探測器發展趨勢：數字化、多維化、智能化。
培訓詳情：
https://www.memstraining.com/training-76.html
延伸閱讀：
《短波紅外、中波紅外和制冷型紅外成像-2025版》
