2026年度IEEE Fellow中有多位集成電路領(lǐng)域?qū)W者當(dāng)選：
1、葉甜春
中國科學(xué)院微電子研究所
當(dāng)選理由：以表彰其對(duì)中國具有社會(huì)影響的先進(jìn)制造裝備科學(xué)技術(shù)的貢獻(xiàn)
葉甜春于1986年8月獲得復(fù)旦大學(xué)學(xué)士學(xué)位；1986年9月進(jìn)入中國科學(xué)院微電子中心工作，長期從事集成電路制造技術(shù)、新型器件及微細(xì)加工技術(shù)領(lǐng)域的研究工作，作為課題負(fù)責(zé)人和核心骨干完成了國家“七五”至“十五”攻關(guān)、攀登計(jì)劃、863、973、中科院知識(shí)創(chuàng)新工程等十幾項(xiàng)科研課題的研究任務(wù),在深亞微米及納米加工技術(shù)、超高頻化合物半導(dǎo)體器件研究、新型器件等方面取得多項(xiàng)具有國內(nèi)領(lǐng)先或國際先進(jìn)水平的科研成果。
2、吳華強(qiáng)
清華大學(xué)
當(dāng)選理由：以表彰其對(duì)憶阻器與存算一體技術(shù)領(lǐng)域的貢獻(xiàn)
吳華強(qiáng)教授現(xiàn)任清華大學(xué)黨委常委、副校長。長期從事憶阻器與存算一體芯片技術(shù)研究，開展從底層器件到頂層架構(gòu)協(xié)同創(chuàng)新，在國際上率先研制憶阻器多陣列存算一體系統(tǒng)和全系統(tǒng)集成的片上學(xué)習(xí)芯片，取得一系列特色鮮明的系統(tǒng)性創(chuàng)新成果，推動(dòng)了后摩爾時(shí)代集成電路新原理器件、計(jì)算架構(gòu)及前沿理論的深入發(fā)展。
3、童美松
同濟(jì)大學(xué)
當(dāng)選理由：以表彰其對(duì)對(duì)計(jì)算電磁學(xué)方法的杰出貢獻(xiàn)
童美松長期從事電磁場與微波天線技術(shù)領(lǐng)域的教學(xué)和科研工作，主攻計(jì)算電磁學(xué)、天線技術(shù)、微波成像技術(shù)、芯片電子封裝技術(shù)等方向研究。
4、張薇
香港科技大學(xué)
當(dāng)選理由：表彰其對(duì)FPGA的敏捷設(shè)計(jì)流程和嵌入式系統(tǒng)安全的軟硬件協(xié)同所做出的貢獻(xiàn)！
張薇教授團(tuán)隊(duì)兩獲ICCAD最佳論文獎(jiǎng)（2017、2022）。
5、汪涵
香港大學(xué)
當(dāng)選理由：表彰其對(duì)2D晶體管技術(shù)的貢獻(xiàn)
6、葉主輝Geoffrey Choh-Fei Yeap
臺(tái)積電
當(dāng)選理由：表彰其在先進(jìn)節(jié)能邏輯技術(shù)的發(fā)展中發(fā)揮領(lǐng)導(dǎo)作用并做出貢獻(xiàn)
葉主輝帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)整合臺(tái)積電的技術(shù)開發(fā)，注入嶄新的視角，引領(lǐng)臺(tái)積電5/4/3/2nm CMOS技術(shù)的定義、開發(fā)和認(rèn)證，全面達(dá)成時(shí)程和成本的既定目標(biāo)。他曾在高通、摩托羅拉等單位工作。
7、Huiling Shang
臺(tái)灣半導(dǎo)體制造公司
當(dāng)選理由：以表彰其對(duì)高遷移率SiGe溝道FinFET和全柵極CMOS技術(shù)方面的貢獻(xiàn)
1994年浙江大學(xué)本，1997年中國科學(xué)院微電子所碩士，2001年Lehigh University博士；2001年加入IBM T. J. Watson研究中心
8、楊育佳Yee-Chia Yeo
新加坡國立大學(xué)
當(dāng)選理由：表彰其對(duì)對(duì)高遷移率FinFET工藝技術(shù)的貢獻(xiàn)
2002年伯克利大學(xué)畢業(yè)，師從胡正明。2014年至2022年都奮斗在全球科技戰(zhàn)最前線,擔(dān)任臺(tái)積電研發(fā)處長,參與研發(fā)最先進(jìn)的半導(dǎo)體晶片。
9、陳智Chih Chen
臺(tái)灣陽明交通大學(xué)
當(dāng)選理由：以表彰其對(duì)電子互連和封裝技術(shù)，特別Cu/SiO2混合鍵合的貢獻(xiàn)
10、梁永齊Yung C. Liang
National University of Singapore
當(dāng)選理由：以表彰其對(duì)電力電子應(yīng)用設(shè)計(jì)功率半導(dǎo)體器件和集成電路做出的創(chuàng)新貢獻(xiàn)
for innovative contributions in designing power semiconductor devices and integrated circuits for power electronic applications
氮化鎵和碳化硅器件與集成電路、寬禁帶傳感器、MEMS器件、鐵電器件
11、林志隆Chih-Lung Lin
臺(tái)灣成功大學(xué)
當(dāng)選理由：以表彰其對(duì)顯示技術(shù)和薄膜電路設(shè)計(jì)方面對(duì)電子器件的貢獻(xiàn)
12、薛春
穆罕默德·本·扎耶德人工智能大學(xué)Mohamed bin Zayed University of Artificial Intelligence (MBZUAI)
當(dāng)選理由：以表彰其對(duì)對(duì)非易失性存儲(chǔ)系統(tǒng)性能優(yōu)化的貢獻(xiàn)
13、楊佳玲Chia-Lin Yang
臺(tái)灣大學(xué)
當(dāng)選理由：以表彰其對(duì)對(duì)內(nèi)存層次結(jié)構(gòu)中的跨層設(shè)計(jì)方法和內(nèi)存系統(tǒng)中的計(jì)算做出了貢獻(xiàn)
14、Zhengya Zhang
密歇根大學(xué)
當(dāng)選理由：表彰其對(duì)高性能和節(jié)能數(shù)字信號(hào)處理器設(shè)計(jì)的貢獻(xiàn)
15、龔頌斌Songbin Gong
伊利諾伊大學(xué)
當(dāng)選理由：以表彰其對(duì)射頻聲波器件的研究和商業(yè)化做出了貢獻(xiàn)
獲華中科技大學(xué)學(xué)士學(xué)位，弗吉尼亞大學(xué)博士學(xué)位
