據科學城北碚園區官微消息，日前，重慶鑫晟光電科技有限公司（以下簡稱：鑫晟光電）、舟蘇光電科技（重慶）有限責任公司（以下簡稱：舟蘇光電）與西部（重慶）科學城北碚園區開發建設有限公司簽約，VCSEL芯片生產基地與化合物光量子芯片IDM項目正式落戶園區。園區將建設集設計、制造、封裝、檢測為一體的光化合物芯片生產基地以及1條年產1.3萬片的VCSEL芯片產線和檢驗測試線。
據了解，鑫晟光電聚焦VCSEL芯片核心制造環節，為全球客戶提供全流程流片服務，覆蓋消費電子、智能汽車、光通信等多領域；舟蘇光電主營業務覆蓋電子元器件制造、光電子器件及半導體分立器件的研發與銷售、集成電路設計及芯片制造等領域。
根據合作協議，鑫晟光電計劃投資10億元，分兩期建設VCSEL芯片生產基地項目。其中，一期項目建設1條年產1.3萬片的VCSEL芯片產線和檢驗測試線，預計9個月后投產，5年內累計實現產值約8億元；二期項目聚焦產業鏈生態發展，企業與高校或國家級、省級實驗室共同打造光芯片聯合實驗室，并引入聯合孵化的集成電路類上下游關聯企業。
舟蘇光電一期項目建設涵蓋設計、制造、封裝、檢測的光化合物芯片生產基地，同時聯合重慶大學輸變電裝備技術全國重點實驗室打造量子傳感研究中心。建成周期預計為9個月，投產起5年內累計實現營業收入約7億元。二期項目將擴大現有生產線，同時建設新一代光電共封模塊生產研發基地。
