

SiC MOSFET是推動電動汽車、光伏、服務器等高功率應用節能與小型化的關鍵。羅姆第4代SiC MOSFET憑借超低導通電阻、低開關損耗和支持15V柵-源電壓等特點,進一步提升了能效。為實現更高功率密度,精確測量芯片結溫并進行有效熱管理,是確保其性能與長期可靠性的基礎。
針對實際應用中的熱特性分析挑戰,羅姆發布了第4代SiC MOSFET的熱特性分析指南,助力各位工程師實現高效設計,點擊即可下載。

內容概要
本應用說明針對具有體二極管瞬態電壓特性的羅姆第4代SiC MOSFET,提供了更準確、可重復性更高的熱特性分析指南。市場上的SiC MOSFET(包括羅姆第4代SiC MOSFET在內)都出現了這種瞬態行為。可以使用VSD(T,t)方法代替標準的VSD(T)方法,以提高熱特性分析的準確性。
簡要討論使用體二極管電壓作為溫度敏感電參數(TSEP:Temperature Sensitive Electrical Parameter)所面臨的挑戰及實用對策,研究討論測試參數影響并給出參數選擇指南。為說明問題,還介紹了基于JEDEC Standard JESD51-14 Transient Dual Interface(TDI)方法的熱阻測量實際案例。


更多資料推薦
面向下一代800 VDC架構發布電源解決方案白皮書
SiC模塊并聯驅動振蕩的抑制方法
第4代SiC MOSFET評估板使用說明書

相關產品
- TOLL封裝SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品
- 二合一SiC模塊“DOT-247”
- SiC塑封型模塊“HSDIP20”
- 第4代SiC MOSFET
咨詢或購買產品
掃描二維碼填寫相關信息
將由工作人員與您聯系

> END <

點擊閱讀原文 了解更多信息