

本文檔的目的與結(jié)構(gòu)
- 驗(yàn)證復(fù)現(xiàn)性: 明確正向電壓 VF、端子間電容 Ct、反向恢復(fù)時(shí)間 trr 等主要參數(shù)的仿真復(fù)現(xiàn)精度。
- 明確局限性: 說明在標(biāo)準(zhǔn)模型中未被考慮的約束條件,如自發(fā)熱、封裝寄生參數(shù)等。
- 優(yōu)化設(shè)計(jì)質(zhì)量: 通過正確理解模型的描述能力與局限性,避免因過度依賴仿真結(jié)果導(dǎo)致設(shè)計(jì)失誤,并提供可最大限度減少返工的設(shè)計(jì)指南。
注: SiC?SBD 以及 IGBT 內(nèi)置用 FWD (Free Wheeling Diode) 采用行為模型,因此不在本應(yīng)用指南的覆蓋范圍內(nèi)。

以下為羅姆已量產(chǎn)的二極管產(chǎn)品類型:
- 肖特基勢壘二極管: SBD
- 快恢復(fù)二極管: FRD
- 普通整流二極管: REC
- 齊納二極管: ZD
- TVS 二極管 (Transient Voltage Suppressor)
- 開關(guān)二極管
高頻專用二極管
- 頻帶開關(guān)二極管
- PIN 二極管 (p-intrinsic-n)
- 檢波肖特基勢壘二極管
咨詢或購買產(chǎn)品
掃描二維碼填寫相關(guān)信息
將由工作人員與您聯(lián)系


羅姆提供的模型分為緊湊模型與子電路模型兩種。
A. 緊湊模型(.MODEL 格式)
基于 SPICE 標(biāo)準(zhǔn)二極管方程(以肖克利方程為基礎(chǔ)進(jìn)行物理參數(shù)擴(kuò)展的方程),用單一器件公式定義 PN 結(jié)的電氣特性。計(jì)算負(fù)荷極低,在直流分析、瞬態(tài)分析中收斂性優(yōu)異,適合用于大規(guī)模系統(tǒng)電路的基本動(dòng)作驗(yàn)證與損耗粗略計(jì)算。
B. 子電路模型(.SUBCKT 格式)
對于單一公式難以從物理層面描述的特性——如齊納二極管擊穿起始區(qū)(膝點(diǎn)特性/拐點(diǎn)特性)的平緩開啟、TVS 二極管大電流鉗位時(shí)的非線性行為等,通過組合多個(gè)內(nèi)部器件、控制電源與修正公式實(shí)現(xiàn)高精度復(fù)現(xiàn)。相比緊湊模型,其與實(shí)測數(shù)據(jù)的擬合精度極高,適合保護(hù)電路鉗位電壓評估等需要精密分析的設(shè)計(jì)場景。
更多內(nèi)容
ROHM二極管仿真模型概要
ROHM雙極晶體管仿真模型概要
ROHM半導(dǎo)體激光仿真模型概要
> END <

點(diǎn)擊閱讀原文 了解更多信息