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■目錄
■系統應用需求
■步驟1_確定應用需求
■步驟2_根據應用需求選擇反饋電路和偏置電壓VB
■步驟3_確定最小和最大直流輸入電壓VMIN和VMAX，并基于輸入電壓和PO選擇輸入存儲電容CIN的容量
■步驟4_輸入整流橋的選擇
■步驟5_確定發射的輸出電壓VOR以及鉗位穩壓管電壓VCLO
■步驟6_對應相應的工作模式及電流波形設定電流波形參數KP
■步驟7_根據VMIN和VOR確定DMAX
■步驟8_計算初級峰值電流IP、輸入平均電流IAVG和初級RMS電流IRMS
■步驟9_基于AC輸入電壓，VO、PO以及效率選定MOS管芯片
■步驟10_設定外部限流點降低的ILIMIT降低因數KI
■步驟11_通過IP和ILIMIT的比較驗證MOS芯片選擇的正確性
■步驟12_計算功率開關管熱阻選擇散熱片驗證MOS芯片選擇的正確性
■步驟13_計算初級電感量LP
■步驟14_選擇磁芯和骨架，再從磁芯和骨架的數據手冊中得到Ae，Le，Al和BW的參考值
■步驟16_計算次級繞組圈數Ns以及偏置繞組圈數NB
■步驟17_確定初級繞組線徑參數OD、DIA、AWG
■步驟18_步驟23-檢查Bm、CMA、以及lg。如果有必要可以通過改變L、Np或Ns磁芯/骨架的方法對其進行迭代，知道滿足規定的范圍
■步驟24 –確認Bp≤4200高斯。如有必要，減小限流點降低因數Ki
■步驟25 –計算次級峰值電流Isp
■步驟26 –計算次級RMS電流Irms
■步驟27 –確定次級繞組線徑參數ODs、DIAs、AWGs
■步驟28 –確定輸出電容的紋波電流Iripple
■步驟29 –確定次級及偏置繞組的最大峰值反向電壓PIVs，PIVb
■步驟30 –參照表8，基于VOR及輸出類型選擇初級鉗位電路中使用的鉗位穩壓管以及阻斷二極管
■步驟31 –根據表9選擇輸出整流管
■步驟32 –輸出電容的選擇
■步驟33 –后級濾波器電感L和電容C的選擇
■步驟34 –從表10選擇偏置繞組的整流管
■步驟35 –偏置繞組電容的選擇
■步驟36 –控制極引腳電容及串聯電阻的選擇
■步驟37 –根據圖3、4、5及6中所示的參考反饋電路的類型，選用相應的反饋電路元件
■步驟38 –環路動態補償設計
