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Part 01
前言

今天就聊聊開關電源選型的核心參數r=ΔIL/Iout。
Part 02
電流紋波率r值該定多少?

這上面的公式中大部分參數都是確定的,比如輸入輸出電壓、頻率,唯獨分母里的ΔIL 是一個人為設定的自由量。這個自由量通常被定義為電流紋波率r。

這個r值的選擇,絕不僅僅是代入一個0.3算出一個L值那么簡單。選錯了r值,即便電感感值是對的,電源也可能出現嘯叫、動態掉電或者過熱。

1.行業潛規則:為什么大家常選0.3~0.4?
如果你翻閱各大電源芯片廠商TI, ADl, MPS的Datasheet,你會發現推薦的電感計算中,r值幾乎都被設定在30%到40%之間。
這是一個經典的舒適區,個人覺得原因如下:
·折中點:這是一個在電感體積(換個詞就是成本)和輸出紋波(換個詞就是性能)之間性價比最高的平衡點。
·峰值電流控制: 此時電感的峰值電流Ipeak = Iout ×(1 +r /2)大約是輸出電流的1.15 倍~1.2倍。這對于電感飽和電流Isat和MOSFET的電流應力來說,是一個非常舒適的余量。
但是,“通用”不代表”最優”。在特定場景下,我們需要打破這個規則,不走尋常路才行!

2.激進派:選擇大r值(r=50%~60%)
當我們將r設定得比較大,例如50%甚至60%,意味著ΔIL變大。根據公式,分母變大,計算出的電感量L就會變小。
那什么時候選大r值呢?
對于空間極度受限如手機、TWS耳機內部的電源。小感值的電感可以使用更小的封裝,且圈數少,DCR低。小電感意味著電流斜率di/dt大。當負載突然跳變,小電感能更順暢地跟隨電流需求,減小輸出電壓的下沖。小感值成本略低。
當然凡事都有代價,那代價是什么?
1.輸出電壓紋波惡化: ΔVout = ΔIL × ESR。紋波電流大,輸出電容上的紋波電壓就大。你必須使用更昂貴的低ESR電容,如大量MLCC并聯來壓制紋波。
2.磁芯的磁通擺幅ΔB與紋波電流成正比。過大的交流分量會導致鐵損急劇上升,電感發燙。
3.輕載時更容易進入斷續模式DCM,可能導致某些控制環路不穩或產生異響。




電感體積縮小了,但MOSFET關斷時的峰值電流達到了3A +1.5A/2=3.75A,如果你的MOS管限流點比較低,可能觸發誤保護;同時需要在輸出端增加一顆22μF電容來吸收多出來的紋波才行。
當然現在MLCC很普及了,MLCC電容具有極低的等效串聯電阻、高紋波電流承載能力且無干涸老化問題,所以咱們將r值提升至0.6甚至更高也問題不大,這樣做雖然會增加電流波動,但能使電感體積顯著縮小30%~50%,而由此增加的電容體積微乎其微。
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