在第三代半導體材料從實驗室研究邁向規模化量產的過程中，“中試”往往是決定技術能否真正落地的關鍵階段。中試設備不僅需要兼顧工藝驗證與穩定性，還要在尺寸、產能與一致性上為后續量產預留空間，其性能直接影響材料技術的轉化效率和產業化進程。
近日，山東晶升電子科技有限公司面向產業實際需求，自主研發推出 6 英寸 HVPE（Hydride Vapor Phase Epitaxy，氫化物氣相外延）氣相外延沉積設備，聚焦第三代及新型寬禁帶半導體材料的中試與規模化應用，為相關材料外延生長提供關鍵裝備支撐。
此次推出的 HVPE 氣相外延沉積設備（6 英寸），主要面向藍寶石、碳化硅等襯底材料，可用于 Ga?O?、GaN 薄膜及厚膜生長、晶體生長，同時兼容 AlN 等材料的外延生長需求。在尺寸覆蓋上，設備支持 2–4 英寸、6 英寸及 8 英寸 等多種規格配置，能夠適配不同階段的研發驗證、中試放大及未來量產需求。
