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無源器件寄生電感： 電阻和電容都存在寄生電感，貼片封裝的約0.4nH，插件的約4nH。
抑制高帶寬晶體管振蕩： 為防止高帶寬晶體管振蕩，可在其至少兩個引腳間放置損耗元件，或使用鐵氧體磁珠。
直流測試異常： 當電路進行直流測試結果不合理時，應懷疑電路存在振蕩。
運放驅動容性負載： 運放驅動容性負載時常會發生振蕩。
小信號晶體管Vbe特性： 小信號晶體管的基-射極電壓Vbe約為0.65V，隨溫度升高以約2mV/℃的速度降低。
電阻噪聲計算： 1Hz帶寬下電阻噪聲電壓為0.13nV乘以電阻阻值的平方根，總噪聲電壓再乘以帶寬（Hz）的平方根。
約翰遜噪聲電流： 約翰遜噪聲電流隨電阻的增加而降低。
晶體管射極阻抗： 室溫下，晶體管射極輸入阻抗約為26Ω/Ie (Ie單位為mA)。
放大器特性： 所有的放大器都是相對于某個地電平的差分放大。
金屬薄膜電阻溫度系數： 典型的金屬薄膜電阻溫度系數約為100 ppm/℃。
運放噪聲特性： 低噪聲運放輸入噪聲電壓可達1nV/√Hz，但也有高達20nV/√Hz的。雙極性前端運放電壓噪聲低但電流噪聲高，FET前端則相反。
LC電源濾波器風險： LC電源濾波器在諧振頻率處可能放大電源噪聲，應選用低Q值電感來克服。
比較器與運放功能： 比較器用于比較，運放用于放大，兩者功能不應混用。
陶瓷電容介質選擇： 除NPO介質外，其他介質的陶瓷電容僅應用于旁路。
N溝道增強型MOSFET導通條件： N溝道增強型MOSFET需要柵源間施加正電壓才能導通。
低漏電流二極管實現： JFET短接源漏極，或小信號雙極性晶體管B-C短接，可作為低漏電流二極管使用。
低通濾波器類型選擇： 貝塞爾（Bessel）濾波器時域過沖最小；考爾（Cauer）或橢圓（Elliptic）濾波器頻率域滾降最快。
分貝定義： 分貝（dB）是兩個功率比值的10倍對數。
晶體管電流相位： 晶體管集電極電流在低頻與基極電流同相，高頻時滯后90度，理解此特性對高頻振蕩器設計很重要。
FR4板材特性與阻抗走線： FR4板材介電常數約4.3。實現100Ω特性阻抗時，走線寬度約為板厚0.4倍；實現50Ω時，走線寬度約為板厚2倍（參考地在背面）。
可編程動態電流源： 若需可編程動態電流源，可考慮跨導運算放大器，但關鍵在于明確何時需要此類源。
CMOS驅動繼電器： CMOS輸出結合射極跟隨器可有效驅動5V繼電器（通常3.5V即可工作），節省功耗且無需續流元件。
熱電偶信號處理： 典型熱電偶電位約30uV/℃。差分信號布線應走相同路徑避免溫差。切換時，DPDT自鎖繼電器可避免發熱，影響測量精度。
設計直覺： 當設計看起來雜亂無章或不直接時，這通常暗示存在更好的設計方案。
電位器滑動端電流： 避免從電位器滑動端抽取電流，以防接觸電阻引起局部發熱、噪聲和偏移等問題。
數字鑒相器死區： 數字鑒相器存在死區，模擬輸出在輸入重合的小范圍內不變化，這會導致PLL噪聲大。可使用大阻值泄放電阻確保死區內電流流動。
PLL相位噪聲： 鎖相環（PLL）中VCO的相位噪聲，在比較頻率與VCO輸出頻率之間的每個八度音程內，比分頻參考源差至少6dB。應避免低比較頻率。
雙極性晶體管引腳識別： 使用歐姆表可辨別雙極性晶體管引腳：基-射（b-e）和基-集（b-c）結表現為二極管，正向偏置時b-c結讀數略小于b-e結。
差分放大器低失真： 為降低失真，差分放大器前端的漏極（或集電極）應自舉至源極（或射極），以防止輸入信號調制器件電壓。
成本優化： 若設計使用3美元運放且需生產一千個，總成本為3000美元。是否能找到方法改用0.3美元的運放替代以節省成本？
LC諧振電路Q值： LC諧振電路的Q值主要由電感的串聯損耗電阻決定：Q = ωL/R。
漏電流與溫度： 漏電流每升高10℃約增加一倍。
JFET運放輸入超出共模范圍： 當JFET運放輸入超出共模范圍時，輸出可能反相。
開關類型： 選擇開關時，需理解“先接后斷”（make-before-break）與“先斷后接”（break-before-make）的區別。
TO-220三端穩壓器： TO-220封裝的三端穩壓器便宜、堅固、帶熱保護，用途廣泛，可作為受保護的功率晶體管或AM功率調制器。
快速邊沿生成： 需要小于100pS的快速邊沿時，使用階躍恢復二極管（熱載流子二極管更快）。
723穩壓器： 723穩壓器仍是低噪聲穩壓器之一（2.5uVrms, 100Hz-10kHz）。
簡易振蕩器： 可用雙向觸發二極管（diac）、電容和電阻構建簡易振蕩器。
NPN與PNP晶體管性能： NPN晶體管性能通常優于PNP晶體管。
參數考量： 數據手冊中的典型參數僅供參考，設計時應始終考慮最壞情況參數。
避免盲目抄襲： 未完全理解電路原理和元件取值原因前，不應直接照抄應用手冊設計。
晶振電路設計： 設計晶振電路時，需理解串聯諧振與并聯諧振的區別：串聯電感會略微降低頻率，串聯電容會略微升高頻率。
功率MOSFET導通電阻溫漂： 功率MOSFET在低電流水平下具有負溫度系數的導通電阻，這在并聯器件時很重要。
射頻晶體管噪聲系數： 射頻晶體管的最低噪聲系數不一定在輸入端，需尋找最佳工作點。
射頻器件穩定化： 不穩定的射頻器件可通過在輸入或輸出端串聯或并聯電阻來穩定。
增益與帶寬權衡： 增益與帶寬之間存在權衡關系。
推挽逆變電源選擇： 雙極性晶體管的推挽逆變電源有飽和磁芯的風險（因磁滯），建議使用功率MOSFET。
磁芯Al值： 磁芯的Al值在電流瞬態變化下會增加50%或更多。
開關電路漏感： 開關電路中需注意漏感效應：V=L(dI/dt)。
功率晶體管開關時間： 功率晶體管導通越快，關斷時間越長（在此過程中器件內部焦耳熱損耗）。
米勒效應： 永遠記住米勒效應（米勒電容）。
故障排查勿忽略： 電路故障排查時勿忽略顯而易見的問題（如供電）。
地回路： 了解地回路及其避免方法。
LM3XX穩壓器電阻選擇： LM3XX可調穩壓器中，使用120Ω電阻通常比240Ω能提供更好的空載電流、電壓精度和負載調整率。
555定時器比較器： 老式555定時器內部的下比較器可能具有較長的存儲時間。
零ESR電容： 零ESR電容可能弊大于利。
AB類功放失真： 正確配置的AB類音頻功放，在A/B切換時因增益突變，反而會增加失真。
星形接地： 接地時應采用星形連接方式。
Zobel網絡： 了解何時需要使用Zobel網絡。
電流鏡： 使用電流鏡來復制電流。
散熱器效率與海拔： 散熱器效率隨海拔高度增加而降低。
散熱器顏色： 啞光黑色散熱器比亮面散熱器效率更高。
二次擊穿： 忽略二次擊穿效應可能導致高昂代價。
保險絲選擇： 掌握保險絲的類型（快/慢）和額定值，并了解何時使用半導體保險絲。
高壓電容器組： 串并聯高壓電容器組必須使用充電平衡電阻。
DC恢復： 必須理解DC恢復，否則難以設計CRT的Z調制電路。
示波器3dB帶寬測量： 低頻時顯示6格，逐漸增加頻率（保持源幅值不變），當顯示降至4.2格時，該頻率即為3dB帶寬（需匹配輸入阻抗）。
數字萬用表測紋波： 無示波器時，可用數字萬用表交流電壓檔快速測量直流電路電源紋波。
示波器延遲時基： 示波器的延遲時基（或觸發延遲）功能非常有用，前提是掌握其使用時機、原因和方法。
測量前預期： 測量前需預知期望結果，否則測量將毫無意義。
運放輸出擺動方向： 運放輸出會朝使反相輸入電壓趨近于非反相輸入電壓的方向擺動。
關鍵概念理解： 理解虛地、擺率、共模抑制比（CMRR）和電源抑制比（PSRR）。CMRR隨頻率升高而降低。
頻譜儀測量誤差： 在頻譜分析儀噪聲底限附近進行測量會引入3dB誤差。
振蕩器測量限制： 測量振蕩器時，需理解分析儀相位噪聲的限制。
LC振蕩器溫漂補償： LC振蕩器中，加入負溫度系數電容可抵消電感的正溫度系數，以最小化溫度漂移。
電容并聯減少溫漂： 通過并聯多個電容，可將振蕩電流分散在更大面積上，減少熱效應，從而降低漂移。
Clapp與Colpitts振蕩器： 相同LC組合下，Clapp振蕩器比Colpitts振蕩器具有更大的調諧范圍。
高Q值LC濾波器： 高Q值調諧LC濾波器具有更大的插入損耗。
運放設計威廉姆法則： 高精度運放設計中，應盡量采用反相連接。
Cuk直流斬波電路： Cuk直流斬波電路并非簡單升壓，其不能提高帶負載能力。
改進設計方法： 不知如何改進設計時，可先找出導致設計變差的因素。
阻抗反射： 阻抗會以匝數比之平方反射回去（阻抗變換）。
客戶溝通： 當客戶缺乏基本測試設備（如示波器）時，應警惕設計溝通的難度。
規格差異： 銷售人員給出的規格通常優于工程師給出的實際規格。
歸咎于工具： 糟糕的工程師總是歸咎于工具。
SPICE仿真結果： 不應完全相信SPICE仿真結果。
電阻色環識別： 匆忙時容易混淆12Ω和1kΩ電阻的色環。
晶體測試： 在微處理器晶體引腳上進行探針測試時，應串聯10kΩ左右的電阻，以防止負載效應導致振蕩停止。
示波器觸發： 使用示波器時，將一個通道觸發到CPU時鐘，更容易觀察到端口發生了什么故障。
差勁的運放： 國家半導體公司多年前生產過一個差勁的運放，有些工程師稱之為“果凍豆”（寓意：要有懷疑的眼光看問題）。
示波器失真： 當你開始在示波器上注意到失真時，其實它已經遠超可接受的范圍。
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