來源：中國科學院微電子研究所
中國共產黨的優秀黨員，我國杰出的微電子科學家，中國科學院院士，中國科學院微電子研究所研究員、原中國科學院微電子中心主任，第九屆、第十屆全國人民代表大會常務委員會委員，中國科學院技術科學部第八屆常務委員會委員、第九屆常務委員會副主任，中國科學院信息技術科學部第十二屆常務委員會委員，第四屆中國科學院學部主席團成員吳德馨同志，因病醫治無效，于2026年3月23日13時15分在北京逝世，享年90歲。
吳德馨同志1936年12月生于河北樂亭，1979年6月加入中國共產黨，1961年畢業于清華大學無線電電子工程系，成為清華大學第一批半導體專業畢業生。畢業后被分配至中國科學院半導體研究所工作，1986年調入中國科學院微電子中心（現中國科學院微電子研究所）工作至今，歷任助理研究員、研究員、中心副主任、主任，1991年當選為中國科學院院士（學部委員）。先后榮獲國家科技進步二等獎、北京市科學技術一等獎、中國科學院科技進步一等獎、何梁何利基金科學與技術進步獎等多個重要獎項。
吳德馨同志是我國半導體與集成電路研究領域的開拓者之一，為國家微電子事業發展做出了卓越貢獻。在半導體所工作期間，她作為課題負責人承擔了解放初期“12年科學規劃”中的“平面型高速開關晶體管的研究”，獨立自主地解決了提高開關速度的關鍵問題，開關速度達到當時國際同類產品水平。該技術在中國科學院109廠和上海器件五廠進行了推廣，打破了西方國家對我國的封鎖，為“兩彈一星”配套的“109丙”計算機提供了核心器件，產生了重大的經濟和社會效益，獲全國新產品一等獎。
1986年，吳德馨同志調入中國科學院微電子中心任副主任、研究員。作為主要負責人從事N溝MOS 4K、16K和64K動態隨機存儲器（DRAM）的工藝研究，首次在國內成功研制出4K、16K位DRAM。成功開發出雙層多晶硅和差值氧化工藝，打破了我國大規模集成電路成品率長期低下的局面，為我國集成電路的工業生產奠定了基礎。
1991年，吳德馨同志擔任中國科學院微電子中心主任。她大膽改革、努力創新，積極探索新的科研和開發領域，領導開發了0.8微米CMOS全套工藝，科研成果和產品開發等效益不斷增加，開創了微電子中心發展的新局面。
離開領導崗位的吳德馨先生并未放松科學研究，她領導科研人員研究成功0.1微米砷化鎵/鋁鎵砷異質結場效應晶體管，研究具有高密度二維電子氣的多層異質外延結構，低電阻率的T形柵結構、超深亞微米微細加工技術和高功函數的肖特基柵結構。在國內首次研制成功全功能砷化鎵/銦鎵磷HBT 10Gbps光纖通信光發射驅動電路。在國內率先提出了利用MEMS結構實現激光器和光纖的無源耦合，并進行技術研發提高了耦合的合格率。作為國家攀登計劃首席科學家負責“深亞微米結構器件及介觀物理”項目研究，開展了12項課題研究，總評為優秀，為介觀物理基礎和新結構期間的進一步研究打下堅實的基礎。
任全國人大常委會委員期間，吳德馨同志認真履行職能，積極建言獻策，多次向中央領導匯報微電子技術的發展趨勢并提出建議，多次參加國家和中國科學院發展規劃的制定，多次主持執筆兩院院士對國家集成電路發展咨詢報告的撰寫等工作，有力推動了我國半導體事業的發展。
吳德馨同志將六十余載光陰全部奉獻給祖國的半導體與微電子事業，用一生詮釋了愛國奉獻、嚴謹求實的科學家精神。她的逝世是我國微電子學界和科技事業的重大損失。她的崇高品德、治學精神與卓越貢獻，將永遠銘刻在我們心中。
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