8月1日，日本第三輪半導體設備出口管制新規正式落地生效，將先進封裝全鏈條核心設備納入嚴苛管控清單，采用逐案審批模式，用漫長審批周期和超高駁回率，變相對國內實現實質性斷供。
這是日本對華半導體出口管制的第三輪重要升級，重點補齊此前主要針對前道晶圓制造設備的短板，將先進封裝全鏈條核心設備納入嚴格管控。
第一輪（2023年7月）：日本將23類先進半導體制造設備納入出口管制，包括清洗、沉積、熱處理、光刻、刻蝕、檢測等，主要針對可生產14nm及以下邏輯芯片的設備。
第二輪（2025年）：進一步收緊并擴大管制清單，加強光刻膠、材料及補充性（catch-all）管制。
第三輪（2026年5月公布，8月1日生效）：2026年5月29日日本經濟產業省（METI）修訂《外匯及外貿法》相關清單，首次把先進封裝（Chiplet/3D 堆疊 / CoWoS/TSV）全套后道封測設備納入出口管制清單。
新增重點管制物項（約20大類，核心涉及后道封測）：高端固晶機（Die Bonder）、超薄晶圓減薄/研磨機、DISCO等激光切割/隱切機、TSV（硅通孔）設備、凸點制作/微凸點電鍍設備、高精度芯片分選機、混合鍵合機、柔性貼合設備及相關高端檢測設備等。
此前美日荷的封鎖，大多聚焦光刻機、刻蝕機這類晶圓前道制造設備。而這一輪管制，日本找準了短板：先進封裝設備。
如今芯片先進制程已經逼近物理極限，想要低成本做出高性能算力芯片、HBM高速顯存芯片，Chiplet小芯片、3D堆疊封裝是最可行的突圍路徑，而超薄晶圓減薄機、激光隱切機、高端固晶機、TSV硅通孔設備，就是這條路線的硬件根基，長期由日本DISCO等企業壟斷市場。
按照新規要求，今后所有這類設備對華新增訂單都要單獨申請出口許可，審批周期長達3-6個月，先進工藝設備申請駁回率接近80%。8月1日前簽訂的存量老訂單僅有一個月履約過渡期，過渡期結束后，新機采購、原廠維保服務都會徹底斷掉。
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