英飛凌CoolSiC? MOSFET 1200V G2系列產品采用先進的Q-DPAK頂部冷卻封裝，針對高功率密度與高溫運行場景優化設計，適用于電動汽車充電、光伏、UPS、固態斷路器、工業驅動及AI等領域。我們現推出IMCQ120R017M2H與IMCQ120R034M2H兩款器件免費樣品試用活動，誠邀工程師、研發團隊及行業小伙伴們親身體驗！
為什么選擇Q-DPAK封裝？
Q-DPAK頂部散熱封裝技術旨在幫助設計師簡化制造流程并提高功率密度，其核心理念在于將器件的電氣連接（在底部）與熱界面（在頂部）分離開來，從而巧妙結合了兩種傳統封裝方式的優點。
傳統的TO-247封裝雖然能直接安裝在散熱器上以獲得良好的熱性能，但其通孔焊接（THT）工藝在PCB生產過程中需要人工處理，增加了制造復雜度。而標準的表面貼裝技術（SMT）器件（如TO-263-7）雖然支持全自動處理，但熱量必須通過導熱率有限的PCB板耗散，限制了散熱性能。采用絕緣金屬襯底（IMS）雖能改善導熱，卻又會增加成本和設計復雜性。
CoolSiC? Q-DPAK頂部散熱封裝則提供了“兩全其美”的解決方案：它既保留了SMT技術所帶來的全自動制造效率，又能實現媲美媲美甚至超越標準TO-247封裝的熱性能，通過器件頂部的專用散熱面直接連接高效散熱器，熱量得以快速耗散，從而顯著降低器件結溫，提升系統可靠性。
Q-DPAK頂部散熱設計支持更優化的PCB布局，這不僅減少了寄生參數和雜散電感的影響，從而降低了開關損耗和導通損耗，還允許在標準PCB的兩面布置元器件，使得整體系統設計更加緊湊和簡易。結合其卓越的散熱能力，設計師能夠在更小的空間內處理更大的功率，最終實現更高的功率密度。
產品速覽
CoolSiC? 1200 V G2 in Q-DPAK：在提升效率的同時，實現更高性能、更緊湊的設計。
產品特點
SMD頂部散熱封裝
雜散電感低
CoolSiC? MOSFET 1200V G2技術具備優化的開關性能和FOM
.XT擴散焊
最低RDS(on)
封裝材料CTI>600，CD>4.8mm
優異的耐濕性能
雪崩保護、短路保護和寄生導通PTO保護
應用價值
更高功率密度
支持自動化組裝
簡化設計
優異的熱性能表現
降低系統損耗
支持950V RMS工作電壓
卓越的可靠性
降低TCO成本和BOM成本
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IMCQ120R017M2H
IMCQ120R034M2H
Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供了出色的熱性能、更簡便的組裝和更低的系統成本，開創了冷卻、能源效率、設計靈活性和性能的新時代。
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