會議時間：2026年4月16-17日
會議地址：江蘇?蘇州尹山湖希爾頓酒店（吳中區郭巷街道環湖路1688號）
主辦單位：Flink啟明產鏈、蘇州晶和半導體科技有限公司
協辦單位：國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）
會議主席：梁劍波，國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）首席科學家
面對未來產業高性能芯片熱管理的迫切需求，4月16-17日，江蘇蘇州，Flink啟明產鏈&晶和科技共同主辦2026（第二屆）未來半導體產業創新大會。本屆大會將以金剛石、碳化硅、氮化鎵、氧化鎵等（超）寬禁帶半導體材料為核心，緊扣“材料-器件-工藝-裝備”與“異質集成-熱管理-封裝應用”兩大鏈條，特別設置【（超）寬禁帶半導體材料與器件創新論壇】、【金剛石/碳化硅熱管理與微通道散熱】2大平行論壇，聚焦寬禁帶半導體材料與器件、高導熱基底、異質集成、先進封裝、襯底精密加工、激光微納加工、微通道散熱等關鍵領域，探討下一代芯片材料與電子器件散熱趨勢。游天桂，中國科學院上海微系統與信息技術研究所副主任/研究員
報告題目：《化合物半導體異質集成材料與器件》
游天桂，中國科學院上海微系統與信息技術研究所研究員、博士生導師，國家級青年人才，國家重點研發計劃（青年）首席科學家，主要從事基于離子束技術的化合物半導體異質集成材料與器件研究。入選WR計劃青年拔尖人才、上海市東方英才、上海市啟明星、上海市“科技青年35人引領計劃”等，已發表研究論文100余篇，申請國內外發明專利100余件，其中授權國內外專利60余件，14件專利獲得成果轉化。研究成果獲得中國科學院杰出科技成就獎、中國半導體十大研究進展（提名獎）等。
報告摘要：
隨著集成電路技術的不斷發展，傳統平面晶體管技術已經不能滿足器件尺寸微縮和高度集成的需求。將不同半導體材料進行單片式異質集成，已經成為國際微電子領域研究的熱點，這也是我國集成電路技術進入3-5納米節點后實現差異化發展路線的重要方向。在材料異質集成方面，傳統的異質外延生長方法存在著晶格失配、晶型失配、互擴散與反相疇等多種物理失配問題，嚴重影響了薄膜質量和異質集成的靈活性。離子束剝離與轉移技術是有別于傳統外延生長的一種新穎的單晶薄膜制備與異質集成技術。該技術可以從任意單晶襯底上剝離厚度在納米尺度的薄膜，并將其與異質材料進行組合，為研制高質量異質集成材料提供了簡單、高效的手段。基于離子束剝離與轉移技術制備了硅基InP、高導熱Ga2O3等異質集成材料體系，并實現高性能功率器件等。研究結果表明離子束剝離與轉移技術可以發展成為制備寬禁帶半導體異質集成材料的通用技術。
大會名稱：2026（第二屆）未來半導體產業創新大會
大會日期：4月16-17日
大會地址：江蘇?蘇州尹山湖希爾頓酒店（吳中區郭巷街道環湖路1688號）
主辦單位：Flink啟明產鏈、蘇州晶和半導體科技有限公司
協辦單位：國家第三代半導體技術創新中心（蘇州）
承辦單位：寧波啟明產鏈信息科技有限公司
