
會議時間:2026年4月16-17日
會議地址:江蘇?蘇州尹山湖希爾頓酒店(吳中區郭巷街道環湖路1688號)
主辦單位:Flink啟明產鏈、蘇州晶和半導體科技有限公司
協辦單位:國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)
會議主席:梁劍波,國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)首席科學家



王守志,山東大學
報告題目:《超寬禁帶半導體AlN單晶襯底制備及應用》
山東大學晶體材料全國重點實驗室教授/博導,齊魯青年學者,主要從事寬禁帶半導體GaN、AlN單晶襯底制備研究;研制雙溫區PVT生長系統并制備4英寸AlN單晶襯底;研發HVPE生長設備攻克并4英寸GaN單晶的襯底剝離難題。主持國家自然科學基金等10余項,累計超1000萬元。以第一/通訊作者發表Adv. Mater.等國際高水平SCI論文40余篇;申請/授權專利40余項。孵化山東晶鎵半導體有限公司,任總經理,從事GaN和AlN單晶襯底的研發、生產和銷售。
報告摘要:
近年來,隨著新能源汽車、5G通信、深紫外LED消毒、軌道交通以及智能電網等行業的迫切需求,以氮化鋁(AlN)為代表的新一代半導體材料的重要性日益凸顯。報告主要介紹本研究團隊近年來以物理氣相傳輸(PVT)方法生長AlN晶體的新突破以及以及其在功率及射頻器件等領域的應用。我們期望通過這些分享,能夠引起更多科研工作者對AlN單晶材料的關注,共同推動寬禁帶半導體產業鏈的創新發展。
第二屆未來半導體產業創新大會
INFORMATION
會議信息
大會名稱:2026(第二屆)未來半導體產業創新大會
大會日期:4月16-17日
大會地址:江蘇?蘇州尹山湖希爾頓酒店(吳中區郭巷街道環湖路1688號)
主辦單位:Flink啟明產鏈、蘇州晶和半導體科技有限公司
協辦單位:國家第三代半導體技術創新中心(蘇州)
承辦單位:寧波啟明產鏈信息科技有限公司
SCHEDULE
會議日程

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