2026年寬禁帶半導體地方政策密集落地，各地產業布局加速深化

進入2026年，寬禁帶半導體產業的地方政策競爭明顯提速。此前數年“國家定調、地方跟進”的節奏已經改變，各省市正以顯著增強的政策密度和資金力度，將寬禁帶導體深度嵌入各自的“十五五”發展藍圖。從廣東針對設備投資和流片環節的專項激勵，到浙江率先將氧化鎵、金剛石寫入省級新型工業化規劃，再到湖北、安徽等省份在“十五五”規劃綱要中明確落子，一場以碳化硅、氮化鎵為核心，延伸至氧化鎵、金剛石等超寬禁帶材料的產業布局，正在大范圍內加速鋪開。

廣東依然是第三代半導體地方政策最為密集的省份。2026年3月以來，深圳各區正將半導體產業扶持從“市一級統籌”快速推進至“各區自主兌現”階段。

2026年4月17日，深圳市寶安區發展和改革局正式啟動半導體與集成電路產業集群支持項目申報，申報窗口期為4月20日至5月19日，企業可通過寶安區親清政企服務直達平臺在線提交材料。這一申報通道的開啟，標志著寶安區在半導體領域的扶持措施從文件正式進入資金撥付環節。

更早前的3月，深圳市龍崗區工業和信息化局發布《2026年龍崗區半導體與集成電路產業政策扶持的申報指南》，明確扶持方向覆蓋重大項目投資、平臺建設與運營、芯片流片、測試驗證、企業用人成本等八大領域。龍崗區作為深圳半導體制造業的重要承載地，此次大規模啟動申報受理，顯示出深圳各區正加速將半導體產業鏈的制造和封裝測試環節穩定在本地。

近期受到廣泛關注的政策信號來自湖北。2026年4月下旬，經湖北省第十四屆人民代表大會第四次會議表決通過，《湖北省國民經濟和社會發展第十五個五年規劃綱要》正式發布。

《綱要》在“培育壯大新興產業和未來產業”章節中，明確將“先進化合物半導體材料”列為重點發展方向，提出重點發展先進化合物半導體材料、關鍵光刻材料、超高純氫氟酸等，推進石墨基材料、超導與超構材料等前沿新材料技術研發與迭代應用。寬禁帶半導體材料首次以獨立條目形式出現在湖北省五年規劃綱要當中，意味著化合物半導體已從產業培育對象躍升為省級戰略性前沿新材料。

在技術攻關層面，湖北九峰山實驗室近期成功研制出基于國產同質外延片的擊穿電壓超過9000V的氧化鎵橫向MOSFET，標志著其在超高壓氧化鎵功率器件技術領域達到國際先進水平。政策戰略定位與技術前沿突破協同推進，使湖北正快速成長為中國中部化合物半導體領域的核心研發與產業化基地。

浙江省在寬禁帶半導體材料布局上展現了明顯的前瞻性。2026年1月，《浙江省“十五五”新型工業化規劃（征求意見稿）》正式發布，規劃期限覆蓋2026年至2030年。

《規劃》明確將氧化鎵、金剛石、碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體材料列為新一代半導體領域的重點發展方向，與先進制程工藝突破、半導體設備研發等任務并列推進，旨在構建具有全球競爭力的半導體產業生態，為建設全球先進制造業基地提供支撐。《規劃》提出，到2030年浙江省集成電路產業營收目標將達4500億元，氧化鎵、金剛石等第四代半導體與碳化硅、氮化鎵的協同推進，將成為實現該目標的重要增長極。

產業落地方面，士蘭微電子投資120億元建設的8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線已于2026年1月正式通線，達產后將形成年產72萬片芯片的產能。2026年3月，杭州錢塘區印發《關于加快半導體產業高質量發展的若干措施》，對晶圓制造、半導體材料等制造業項目，按實際完成固定資產投資額最高給予25%補助，單個項目補助總額不超過1億元；潔凈室裝修補助最高50%，研發投入補助最高30%。

安徽省在2026年3月下旬發布的《安徽省國民經濟和社會發展第十五個五年規劃綱要》中，將寬禁帶半導體材料列為“前沿材料”板塊重點突破方向。

《綱要》在“前瞻布局未來產業”章節中明確提出，重點發展新一代電子材料、新型能源材料、先進金屬材料、高性能復合材料以及其他前沿材料產品，加速突破寬禁帶半導體材料、鈣鈦礦、高純銅等領域，布局納米材料、石墨烯、超導材料等前沿方向。在“新一代半導體”獨立條目下，《綱要》進一步提出加快發展新型半導體材料芯片以及芯粒、三維集成等先進封裝芯片，重點突破存算一體、3D-DRAM等新架構芯片。

成都市在2026年4月發布的集成電路產業政策中，明確將化合物半導體列為重點支持方向。政策提出，重點支持集成電路線寬小于28納米的12英寸先進生產線，以及化合物半導體、數模混合電路、IGBT等特色工藝生產線建設項目。成都高新區將流片補貼力度進一步提高——全掩膜首輪工程產品流片按重點方向費用50%給予補助，年度總額最高可達1000萬元。

中部和西部其他地區同樣有所動作。甘肅武威市在2026年4月發布新材料產業鏈投資機會清單，共71個項目，總投資413.90億元，其中多個碳化硅項目入選，包括年產30000片6英寸N型4H-SiC單晶襯底及莫桑晶體生產線項目，預計可帶動就業500人，中國西北地區正以碳化硅原材料為切入點，接入全球寬禁帶半導體產業鏈。

回顧近期各地密集出臺的政策，寬禁帶半導體已從國家層面的戰略性新興產業，進一步落實為多個省份競相推動的重點產業方向。這一輪政策推進具有幾個突出特征：其一，“十五五”規劃成為地方將寬禁帶半導體制度化、長期化的核心平臺，浙江、湖北、安徽、四川等省份均在省級規劃中明確寫入相關材料體系，政策的連續性和資金支持穩定性明顯增強。其二，各地政策正從普惠式扶持走向精準化、差異化，廣東著重以補貼力度促進制造落地，浙江側重材料體系的前瞻布局，湖北強化平臺驅動與技術突破，省份間依據自身產業基礎選擇不同發展路徑的格局逐步清晰。其三，第四代超寬禁帶半導體材料已正式進入地方政策安排，氧化鎵、金剛石等體系被明確寫入規劃和攻關目錄，這將可能在未來五年對中國寬禁帶半導體產業的技術路線和空間格局產生深遠影響。