2026年8月4日，存儲芯片大廠SK海力士與閃迪（Sandisk）在“FMS 2026”閃存峰會上聯合發布了高帶寬閃存（High Bandwidth Flash，簡稱HBF）的首個標準規范，同時公布了完整的性能規格、生態合作及量產路線圖。
HBF被定義為介于高帶寬內存（HBM）與固態硬盤（SSD）之間的全新存儲層級。該技術既具備接近HBM的高速數據傳輸能力，又依托NAND閃存實現了容量的顯著擴展。在AI推理應用加速普及、數據處理規模持續激增的背景下，HBF因能夠同時滿足帶寬與容量擴展需求而備受業界關注。
此次發布的HBF標準規范，是SK海力士自2025年8月與閃迪啟動HBF標準化合作、并于2026年2月成立HBF聯盟以來，歷時約6個月推出的首項重大成果。該規范已通過全球最大開放式數據中心技術組織OCP（Open Compute Project）正式公開發布，定位為面向全行業的開放式標準，而非企業專有技術。
根據標準規范，HBF提供兩種堆疊配置方案——8層和16層NAND芯片堆疊，最高支持512GB容量。帶寬劃分為三個等級（Grade 1~3），可實現約0.4TB/s至3.0TB/s的可擴展性能。
在接口方面，HBF采用了行業標準UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）互聯方案，為HBF與GPU、CPU等不同類型處理器之間的靈活連接奠定了基礎。
目前，谷歌（Google）與Tenstorrent已作為成員加入HBF聯盟，參與了技術驗證與標準制定工作。SK海力士計劃依托開放合作模式，進一步擴大聯盟規模，加速HBF在AI存儲市場的規?；涞?，并持續提升技術成熟度與市場接受度。
FMS 2026多維度展示
在此次峰會上，SK海力士安排了高規格的展示議程：
開幕日主題演講：SK海力士解決方案開發部門負責人Kim Chun-sung與下一代產品規劃負責人Kang Uk-song聯合發表主題演講，基于“層級內存（Tiered Memory）”架構理念，提出面向下一代AI基礎設施的解決方案。
專題小組討論：8月6日，SK海力士、谷歌DeepMind與閃迪共同參與以“用HBF突破內存墻”為主題的圓桌論壇，探討HBF在AI基礎設施中的關鍵作用與潛力。
展臺重磅亮相：SK海力士首次公開展示了正在研發中的第十代（V10）375層4D NAND晶圓與產品。與前代產品相比，該產品的單位功耗性能提升了2.5倍，更加適配數據中心等要求高能效的AI基礎設施環境。
量產計劃與市場前景
SK海力士宣布，計劃于2027年初啟動基于375層4D NAND高性能、高容量企業級SSD（eSSD）的量產，以進一步鞏固其在AI NAND市場的領先地位。
SK海力士解決方案開發部門負責人Kim Chun-sung表示：“隨著AI應用的快速普及，我們正處在數據處理器架構需要全面重新設計的關鍵時刻。通過HBF，我們將擴展內存與存儲之間的邊界，為提升系統整體效率的新架構貢獻力量?！?/span>
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