2026年5月13日，高精度射頻與微波仿真模型領域的領先提供商Modelithics, Inc.宣布，來自Guerrilla RF, Inc.（OTCQX: GUER）的六款大功率氮化鎵器件非線性模型已正式納入Modelithics COMPLETE Library。這些模型通過Guerrilla RF以贊助型MVP（Modelithics Vendor Partner，即Modelithics供應商合作伙伴計劃）身份與Modelithics合作開發完成，即日起向全球射頻功率放大器設計工程師開放使用。
建模的意義：從“接近實際”到“直接可用”
在射頻功率放大器設計流程中，晶體管模型的精度直接決定了首次設計成功率和整體開發周期。傳統的器件數據手冊通常僅提供有限偏置條件下的S參數，而實際工作狀態下的非線性行為——包括增益壓縮、諧波失真、AM-PM轉換和熱效應——往往依賴設計人員憑經驗估算或通過大量流片迭代來補償。這種不確定性在寬頻帶、高功率密度的GaN-on-SiC HEMT設計中尤為突出。
非線性模型的價值在于，它將器件的非線性行為用數學形式精確描述，使設計人員能夠在仿真環境中提前評估電路在真實工作條件下的性能，從而減少原型迭代次數，縮短產品上市時間。
Modelithics COMPLETE Library正是基于這一行業需求而構建。該庫集成了來自超過80家制造商的約29,000個組件的仿真模型，為射頻和微波設計工程師提供了一個統一的、經過驗證的建模環境。此次與Guerrilla RF的合作，是該庫在大功率GaN器件模型領域的又一重要擴展。
從2025年底的規劃到2026年5月的正式入庫：一項持續半年的合作推進
本次合作并非一蹴而就，而是經過了一個完整的從規劃到落地的過程。
最早可追溯至2025年11月，Modelithics宣布Guerrilla RF以贊助級別加入MVP計劃，當時透露的信息是，六款GaN HEMT功率晶體管的非線性模型正在開發中，覆蓋15W至150W功率范圍和DC-8GHz頻段。
根據Modelithics官網的介紹，MVP計劃分為多個級別，贊助級別意味著供應商以付費方式獲得模型開發服務，并可在入庫后享受優先的技術支持、市場推廣以及在COMPLETE Library庫中建立專屬產品頁面等權益。作為贊助方，Guerrilla RF還向所有設計工程師提供了旗下組件全套Modelithics模型的90天免費使用權益。
經過約半年的建模與驗證工作，2026年5月13日，首批六款模型的正式入庫正式對外公布，標志著Guerrilla RF GaN-on-SiC HEMT產品線完成了從器件量產到設計支持基礎設施的最后一塊拼圖。
六款模型的技術參數與應用覆蓋
本次入庫的首批模型對應Guerrilla RF的六款未匹配離散GaN-on-SiC HEMT器件，功率等級覆蓋15W至150W：
所有六款器件均已量產并可供采購。Guerrilla RF方面表示，其GaN-on-SiC HEMT產品線實際上覆蓋5W至150W，支持28V和50V工作電壓，且全部符合EAR99出口分類標準。更高功率的變體型號將在未來幾個月內陸續推出。
這些模型已在Keysight ADS和Cadence AWR Design Environment兩大主流EDA仿真工具中得到全面驗證，并支持跨寬頻帶S參數和大量程負載牽引條件下的性能仿真。模型采用經過增強的Angelov非線性模型拓撲結構——該模型拓撲專為GaN和GaAs HEMT器件的建模而優化，是業界公認的HEMT器件非線性行為描述的主流方法之一。模型經過了寬頻帶多頻率S參數和大信號負載牽引實測數據的嚴格驗證，使設計人員能夠在寬范圍的偏置、頻率和熱條件下進行射頻功率放大器性能的仿真評估，進而顯著降低原型迭代次數，加速設計導入流程。
在制造工藝層面，該系列器件基于SiC襯底的GaN HEMT工藝平臺，支持包括脈沖操作在內的多種工作模式，在熱管理和功率密度方面具備固有優勢。SiC襯底的高導熱系數使GaN-on-SiC HEMT在高溫和高功率密度條件下相比GaN-on-Si方案表現出更優的散熱性能和長期可靠性，使其成為航空航天、防務通信等要求高可靠性的射頻功率放大器設計的首選工藝路線之一。
應用指向：航空航天、防務、無人機與寬帶無線通信
Guerrilla RF首席執行官兼創始人Ryan Pratt在新聞稿中明確指出了公司在這一領域的定位。他表示：“市場整合和競爭對手的退出在高功率GaN領域留下了一個真正的空白——Guerrilla RF就是為填補這一空白而存在的。我們在無人機、反無人機和戰術無線電臺應用中看到的需求激增，要求超寬帶功率放大器在不妥協的前提下實現高性能。”
從器件指標的設定來看，該系列產品的目標應用場景相當清晰：
DC-8GHz的工作頻段覆蓋，涵蓋了從VHF/UHF通信到C波段雷達的廣泛頻譜資源；
15W至150W的飽和功率（PSAT）等級，適合無人機通信鏈路、戰術無線電臺功率末級、電子對抗系統中的寬帶功放模塊等場景；
支持脈沖和線性兩種操作模式，這意味著器件既能滿足雷達系統的脈沖發射需求，也能適應通信系統的線性放大要求。
Modelithics總裁兼CEO Larry Dunleavy對此表示，與Guerrilla RF建立合作并開發GaN功率晶體管系列的非線性模型，是COMPLETE Library的一項重要擴展，這些模型將為射頻設計工程師帶來可靠的工具支撐。此次合作也表明，Modelithics在射頻和微波建模領域的布局，正向大功率GaN-on-SiC HEMT方向持續深化。
聯盟解讀：EDA生態與GaN器件產業之間的橋梁
從更寬的行業視角來看，此次合作傳遞了一個值得關注的信號：高功率GaN器件正在從提供“硬件能力”向提供“完整設計工具鏈”轉變。對于無人機、戰術通信、航空航天等領域的射頻系統設計團隊而言，能夠獲得經過驗證的非線性模型，意味著在設計階段就能夠對大功率放大器的效率、線性度和熱性能進行系統性優化，從而減少后期硬件迭代的成本和時間損耗。
Modelithics的COMPLETE Library目前已累計覆蓋超過80家制造商的產品，其作為EDA工具生態中的“中間件”角色日益重要。此次Guerrilla RF以贊助型MVP身份加入，既是對Modelithics建模能力的認可，也反映出射頻半導體供應商在市場競爭中越來越重視設計工具鏈的完整性和易用性。
綜合來看，此次Modelithics與Guerrilla RF的贊助型MVP合作，是大功率GaN-on-SiC HEMT器件邁向成熟商業化進程中一個重要且必要的環節。當器件本身已具備量產能力和性能優勢，配套的設計支持工具是否完備，往往決定了這些器件能否真正進入主流射頻系統設計的選型清單。
信息來源：businesswire
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