盛美半導體亮出硬核技術！高溫 SPM 工藝斬獲行業重大突破

美國時間5月18日，在全球半導體表面制備與清洗領域一流的行業盛會——SPCC 2026(Surface Preparation and Cleaning  Conference)上，盛美半導體資深專家Deepak  Kumar介紹了公司的獨特的高溫SPM工藝，是單片高溫硫酸清洗自進入市場十幾年來所出現的一個重大技術突破。

盛美此次公布的技術提升核心在于：高溫SPM方案在15nm顆粒標準下，控制水平可低至15顆以內，顯著優于市場主流方案。

與市場主流方案需要定期通過DI水清洗腔體及周邊環境，去除清洗腔及外圍環境高溫SPM氣體殘留物的方案不同，盛美獨特的噴嘴設計(全球專利申請保護中)可有效避免相關污染問題，無需周期性DI水清洗即可實現穩定的清洗效果。

這不僅有助于提升邏輯及存儲客戶產品良率，還可以通過免去外部腔體清潔，顯著降低設備的維護需求。公司也已規劃了進一步的性能提升路線，目標將顆粒尺寸進一步降低至13nm，以應對未來全球更先進工藝的需求。

這一技術性能的跨越式提升，將為GAA邏輯器件以及DRAM/HBM器件的良率提升帶來重要支持。芯片制程邁入GAA架構后，結構愈發精密，清洗工藝需精準除殘且無損納米級架構，對顆粒控制標準極高，盛美高溫SPM技術升級后足以滿足該嚴苛工藝需求。

在存儲領域，DRAM進入FinFET結構工藝易因顆粒缺陷影響良率，而盛美獨特噴嘴設計實現的顆粒控制能力飛躍，預計有力提升DRAM的量產良率，同時增加HBM產量，產業價值與應用前景可期。