全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）宣布，其750V耐壓SiC MOSFET已被應用于AI服務器電源的BBU（電池備份單元）中。隨著生成式AI的普及，AI服務器電源正加速向更高電壓及HVDC（高壓直流供電）架構演進，在這種背景下，羅姆的SiC MOSFET產品被選定為支撐下一代電源系統的SiC功率器件。
隨著生成式AI的普及，GPU的性能不斷提升，數據中心的功耗急劇增加。針對這一課題，相關產品正在加速采用旨在降低輸電損耗的HVDC架構。在這種大功率、高電壓環境中，為了在停電或瞬停等異常情況下保護系統及海量數據，以服務器機架為單位進行電力補償的BBU和CU（電容單元）的作用變得越來越重要。
此次被采用的產品是750V耐壓的SiC MOSFET“SCT4013DLL”，配置于AI服務器用±400V供電架構的電源單元中。該產品可充分發揮SiC的特性，具備最高結溫（Tj）達175°C的優異耐高溫性能，即使在因電壓和功率密度日益提升而導致發熱量增加的BBU中也能穩定工作。
另外，在下一代800VDC供電架構中，由于供給BBU內部電池組的電源電壓約為560V，因此同樣可以使用750V耐壓的羅姆 SiC MOSFET。
下一代AI服務器的HVDC電源所需的備份系統，要能夠在發生異常時，以瞬時響應且低損耗的方式控制高電壓和大電流。針對這樣嚴苛的要求，兼具高耐壓、低損耗、耐高溫特性的SiC功率器件，作為電力控制核心的關鍵器件備受期待。
羅姆今后將繼續著眼于AI服務器及數據中心市場的發展，不斷加強采用SiC、GaN及硅材料的功率元器件的開發與供應。同時，通過提供與模擬IC等產品相組合的綜合解決方案，為提高電力效率和實現可持續發展的社會貢獻力量。
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EcoSiC?是采用了因性能優于硅（Si）而在功率元器件領域備受關注的碳化硅（SiC）的元器件品牌。從晶圓生產到制造工藝、封裝和品質管理方法，羅姆一直在自主開發SiC產品升級所必需的技術。另外，羅姆在制造過程中采用的是一貫制生產體系，目前已經確立了SiC領域先進企業的地位。
EcoSiC?是ROHM Co., Ltd.的商標或注冊商標。
羅姆已在官網上公開了SiC功率器件的概要、便于按條件選型的“簡易搜索”功能，以及支持評估和引入的各種設計模型。技術資料及本文相關資料參見下方鏈接：
· 應用筆記：第4代SiC MOSFET分立器件的特性和電路設計的注意點
· 應用筆記：第4代SiC MOSFET使用時的應用優勢
· 白皮書：ROHM面向AI服務器的800VDC架構解決方案
· 訪談文章：數據中心的電力問題日益嚴重——Delta與ROHM傾力打造HVDC的原因
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