安森美發布 GaNEXUS? 氮化鎵功率產品組合

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安森美（onsemi）宣布推出全新 GaNEXUS? 氮化鎵（GaN）功率產品組合。該系列專為在人工智能（AI）數據中心、工業自動化、機器人及能源基礎設施等應用中實現更高能效、更高功率密度及更優熱性能而設計。首批產品包括覆蓋40V至650V電壓范圍的GaNEXUS FET樣品，其中包括集成保護功能的650V GaN FET——GaNEXUS Smart器件，可簡化系統集成并提升整體可靠性。

新聞亮點

• 安森美的GaNEXUS產品組合為下一代電源架構帶來更快開關速度、更低開關損耗、更高功率密度及更優熱性能

• 覆蓋40V至650V的GaNEXUS FET及集成保護功能的650V GaN FET ——GaNEXUS Smart器件，現已開始提供樣品

• 結合安森美集成感知、控制、保護和電源管理功能的Treo平臺，GaNEXUS可實現更智能、更可靠、更穩健的系統級電源解決方案

• 結合安森美的硅、EliteSiC與GaNEXUS技術，為客戶優化整個電力傳輸鏈的能效、熱性能、系統尺寸及總成本提供更大靈活性

安森美（美國納斯達克股票代號：ON）推出GaNEXUS?氮化鎵功率產品組合，首批樣品包括覆蓋40V至650V電壓范圍的GaNEXUS FET，以及650V GaN FET ——GaNEXUS Smart器件。該產品組合適用于對電力需求高的應用場景，包括AI數據中心供電、48V系統、機器人與工業自動化，以及能源基礎設施等。

GaNEXUS 的加入擴展了安森美智能電源產品組合的能力，能夠為不同應用、電壓域和性能要求提供優化的電源解決方案。GaNEXUS、硅和 EliteSiC 技術構成了安森美廣泛的電源產品組合，為客戶在整個電力傳輸架構中優化性能、能效、熱性能及系統總成本提供更大靈活性。

隨著AI基礎設施、電氣化、工業自動化及能源系統的快速發展，對更高能效和更緊湊電源架構的需求持續增長，設計人員在能耗、熱管理及系統尺寸方面面臨日益嚴峻的挑戰。

與傳統硅基方案相比，GaNEXUS通過實現更快開關速度、更低開關損耗、更高功率密度及更優熱性能，有效應對上述挑戰。這些優勢幫助客戶能夠在AI數據中心供電、電動汽車充電、機器人及工業電源系統等應用設計中，縮小磁性元件及散熱系統尺寸，同時提升整體系統能效與響應速度，并降低系統成本。

GaNEXUS旨在優化現代電源系統中的電能轉換與電源管理。將GaNEXUS與安森美的Treo平臺（集成感知、控制、保護及電源管理）配合使用時，可提供完整的系統級電源解決方案，實現更智能、更可靠、更穩健的系統表現。這種系統級方案有助于客戶簡化整個電力傳輸鏈的設計復雜性，加速開發與認證速度，降低散熱與冷卻需求，并優化性能。

在包括AI服務器48V中間母線轉換器 （IBC）、電池備用單元（BBU）及電機驅動等中低壓系統中，GaNEXUS可實現：

• 磁性元件尺寸縮小約30–60%

• 功率密度提升約1.5–2倍

• 能效提升約0.5–2%（取決于拓撲結構）

• 降低開關損耗，改善熱性能與控制穩定性

在AI電源機架、高壓DC-DC轉換、PFC及LLC功率級等高壓應用中，GaNEXUS可實現：

• 在高頻AC-DC與諧振級中，磁性元件尺寸最多可縮減約60%

• 在PFC、LLC及高壓DC-DC架構中，功率密度提升約1.5–2倍

• 能效提升約0.5–1%，在規模化部署時顯著改善熱性能及運營成本

• 更低損耗可減輕緊湊型高功率系統中的熱應力

• GaNEXUS Smart降低系統風險，簡化功率級設計，從而加快認證速度并提升可靠性

GaNEXUS 器件采用增強散熱的封裝，具備行業標準的引腳布局，支持雙源供貨，例如 TOLL 底部散熱、TOLT 頂部散熱，以及 3.3mm x 3.3mm 和 5mm x 6mm 的雙面散熱封裝。

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