Infineon Hall 7 / Booth 470 的官方主題順序?qū)懙煤芮宄?/span>Future-proof Power Infrastructure → AI Data Centers → Electro-mobility → Robotics。汽車(chē)被放在了第三位，這是過(guò)去五年第一次。
onsemi Hall 9 / Booth 332 的主視覺(jué)是 "AI data centers. GaN. EliteSiC. Next."，AI 直接頂在最前面，汽車(chē)主驅(qū)被收進(jìn)了 system-level demo 的一個(gè)分支里。
Wolfspeed 主舞臺(tái)的第一張幻燈片是 "Meeting Power and Cooling Demands for AI Datacenters"，汽車(chē)放在第四張。
Navitas 整個(gè)展區(qū)直接做成了 AI 數(shù)據(jù)中心電源主題館。
看起來(lái)，AI 今年搶走了往年本屬于汽車(chē)的麥克風(fēng)站在了C位。聲量的變化是敘事先于落地的常態(tài)。
我們都知道，AI 數(shù)據(jù)中心在搶"下一代功率器件的定義權(quán)"，因?yàn)檫@是個(gè)新增市場(chǎng)，誰(shuí)先做出系統(tǒng)級(jí)標(biāo)桿產(chǎn)品（OCP PSU 規(guī)范、SST 拓?fù)洹VDC sidecar 架構(gòu)）誰(shuí)就拿到話(huà)語(yǔ)權(quán)；汽車(chē) SiC 已經(jīng)過(guò)了定義權(quán)競(jìng)爭(zhēng)階段，進(jìn)入了規(guī)模化降本和工藝迭代的深水區(qū)，敘事性不強(qiáng)但現(xiàn)金流厚實(shí)，所以汽車(chē)仍是繞不開(kāi)的核心，那我們就具體來(lái)看看，今年的PCIM有哪些看點(diǎn)吧：
下面分三層把這次展會(huì)的真正硬貨拆開(kāi)看。
Infineon CoolSiC JFET 是這次展會(huì)上最具技術(shù)深度的展品之一。
750 V 版本 R<sub>DS(on)</sub> 1.5 mΩ，1200 V 版本 2.3 mΩ，封裝在 Q-DPAK（頂冷）里，配合 .XT 燒結(jié)互連。器件本身的指標(biāo)夠硬，但更關(guān)鍵的是 Infineon 把它做成了一整套固態(tài)斷路器（SSCB）Demo Stack——μs 級(jí)故障隔離、雙向阻斷、可堆疊擴(kuò)流。
為什么 JFET 在 2026 年這個(gè)時(shí)間點(diǎn)重新被推出來(lái)？
技術(shù)原因是 AI 數(shù)據(jù)中心架構(gòu)正在從 48 V 母線(xiàn)往 ±400 V/800 V HVDC sidecar 遷移，傳統(tǒng)機(jī)電斷路器在毫秒量級(jí)響應(yīng)，根本兜不住高壓直流的故障電流，必須用半導(dǎo)體器件做保護(hù)。
MOSFET 在這個(gè)場(chǎng)景下有一個(gè)先天劣勢(shì)——體反向二極管在反向阻斷時(shí)會(huì)導(dǎo)通，需要額外的反串結(jié)構(gòu)。JFET 的常開(kāi)特性配上 cascode 驅(qū)動(dòng)反而變成了優(yōu)勢(shì)，單器件就能做雙向阻斷，電路簡(jiǎn)潔、損耗小。
onsemi 的 800 V SiC JFET 模塊走的是另一條思路——把 JFET 直接做成模塊級(jí)產(chǎn)品，對(duì)接 AI 數(shù)據(jù)中心的 hot-swap 和 E-Fuse 應(yīng)用，配合一塊 33 kW 的"Grid-to-Chip"完整電源樹(shù) demo 一起展示。這個(gè) demo 是這次展會(huì)上最完整的系統(tǒng)級(jí)演示之一，從電網(wǎng)入口的中壓隔離一直做到芯片端的 PoL 轉(zhuǎn)換。
而目前國(guó)內(nèi)廠商在 JFET 這條線(xiàn)上暫時(shí)還沒(méi)有對(duì)位產(chǎn)品。
或許這不是技術(shù)能力的問(wèn)題，是商業(yè)判斷的問(wèn)題——JFET 在過(guò)去 15 年里一直是一個(gè)"技術(shù)上有意思但商業(yè)上不性感"的器件，國(guó)內(nèi)沒(méi)人愿意投。
Infineon 這次把它和 SSCB 這個(gè) 5 年內(nèi)規(guī)模會(huì)做到 10 億美元級(jí)別的新市場(chǎng)綁定在一起，相當(dāng)于硬生生造出了一個(gè)細(xì)分賽道。國(guó)內(nèi)廠商現(xiàn)在追的窗口期大約是 18–24 個(gè)月，我們已經(jīng)看到國(guó)內(nèi)不少公司已經(jīng)開(kāi)始了嘗試。
第 5 代 SiC MOSFET 集中亮相，標(biāo)志著主驅(qū)市場(chǎng)的下一輪換代開(kāi)始。
Wolfspeed Gen 5 的 1200 V 車(chē)規(guī) bare die（EM50120-025D10）在 PCIM 2026 現(xiàn)場(chǎng)首發(fā)，瞄準(zhǔn) 800 V EV 平臺(tái)主驅(qū)，2027 年大規(guī)模上車(chē)。ROHM 第 5 代今年 3 月完成開(kāi)發(fā)，bare die 業(yè)務(wù) 2025 下半年已經(jīng)先期投放給少數(shù) Tier-1 客戶(hù)驗(yàn)證。
Infineon TSJ（溝槽超結(jié)）作為另一條技術(shù)路線(xiàn)，1200 V ID-PAK 已經(jīng)在現(xiàn)代汽車(chē)下一代 EV 平臺(tái)試產(chǎn)，比導(dǎo)通電阻能降 40%、電流密度提升 25%。
這一代器件的核心賣(mài)點(diǎn)其實(shí)不在某個(gè)單一指標(biāo)，而在把性能-成本曲線(xiàn)整體下推一檔。R<sub>DS(on)</sub>·A 降 30–40% 意味著同樣規(guī)格的 die size 縮小 1/4，對(duì)應(yīng)到 EV 主驅(qū)模塊就是同樣的功率密度下 die 用量減少、模塊成本降低、車(chē)端銅纜和熱管理簡(jiǎn)化。
這是 SiC 在 EV 主驅(qū)市場(chǎng)份額從 2026 年的 25% 沖到 2028 年 50% 以上的關(guān)鍵支點(diǎn)——不是技術(shù)變好了，而是成本曲線(xiàn)終于追上 Si IGBT 方案。
國(guó)內(nèi)廠商在這一代上的位置，需要把車(chē)規(guī) SiC 主驅(qū)這條線(xiàn)單獨(dú)拆開(kāi)看——這是過(guò)去 18 個(gè)月里國(guó)內(nèi)進(jìn)展最快、也是最值得重新評(píng)估的細(xì)分。三年前，中國(guó)新能源汽車(chē)的主驅(qū) SiC 幾乎 100% 依賴(lài)國(guó)際廠商；今天這個(gè)數(shù)字已經(jīng)被改寫(xiě)。
國(guó)內(nèi)廠商在器件層的位置大致是這樣的：過(guò)去兩年內(nèi)，芯聯(lián)動(dòng)力、方正微、士蘭微、比亞迪半導(dǎo)體等公司推出的1200 V 平面柵 SiC MOSFET 已經(jīng)在國(guó)內(nèi)主機(jī)廠大規(guī)模裝車(chē)，性能能打到國(guó)際第 3-4 代產(chǎn)品的水平；
溝槽柵 SiC MOSFET 在研發(fā)或小規(guī)模量產(chǎn)階段，距離 Infineon TSJ、Wolfspeed Gen 5 這樣的第 4–5 代產(chǎn)品還有 1.5–2 代的差距；JFET 這條新賽道可以說(shuō)還是暫時(shí)空白；
除此之外，國(guó)產(chǎn)芯片在柵氧可靠性、閾值電壓漂移、長(zhǎng)壽命數(shù)據(jù)積累這些"看不見(jiàn)但關(guān)鍵"的車(chē)規(guī)指標(biāo)，國(guó)際頭部廠商有 10–15 年實(shí)測(cè)庫(kù)，國(guó)內(nèi) SiC 主驅(qū)實(shí)測(cè)窗口最長(zhǎng)也只有 3–4 年。這個(gè)差距不是靠設(shè)計(jì)追上的，是靠時(shí)間和裝車(chē)量積累的，不過(guò)裝車(chē)量這個(gè)因子，國(guó)產(chǎn)廠商正以每年翻倍的速度補(bǔ)——方正微 3000 萬(wàn)顆主驅(qū)、芯聯(lián)集成超百萬(wàn)臺(tái)裝車(chē)、比亞迪自家?guī)装偃f(wàn)輛車(chē)的滾動(dòng)數(shù)據(jù)。裝車(chē)量帶來(lái)的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)迭代速度，是國(guó)產(chǎn)追趕的真正杠桿。
模組這一層是本屆展會(huì)真正密集的"硬創(chuàng)新"集中區(qū)。
USI（環(huán)旭電子）的 SiC chip-embedded ABF 模塊是這次最具關(guān)注度的封裝方案。
SiC 芯片直接預(yù)埋（chip embedding）到多層 ABF（Ajinomoto Build-up Film）基板里，配合 SSC（Single-Side Copper Exposed）模塊封裝技術(shù)，把陶瓷絕緣層直接做進(jìn)封裝本體，同時(shí)取消傳統(tǒng)的鍵合線(xiàn)（wire-bondless）。
技術(shù)上的意義是三件事：第一，消除鍵合線(xiàn)之后寄生電感能壓到傳統(tǒng) DBC 模塊的 1/3 量級(jí)，對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)速度可以再提一檔而不引發(fā)振鈴；第二，陶瓷基板內(nèi)置絕緣，省掉外部隔離結(jié)構(gòu)，封裝更薄；第三，無(wú)鍵合線(xiàn)架構(gòu)允許大芯片整合在薄型封裝里，功率密度可以做得更激進(jìn)。
這條路徑過(guò)去主要在高端 IC 封裝里跑（AMD、Intel 的某些 chiplet 產(chǎn)品），第一次大規(guī)模遷移到功率器件。這是封裝層面對(duì) SiC 極限性能的一次"再解鎖"。
Wolfspeed 的 LM 平臺(tái)和 WolfPACK 模塊走的是另一條路徑——銅 die-top（銅直接鍵合在芯片頂部，替代鋁鍵合線(xiàn)）+ 銀燒結(jié) die-attach。這次首發(fā)的 HAB900C33LM4（3.3 kV 半橋基板模塊，>800 A）和 IBB020A33GM4/IBB020A33GM4T（3.3 kV 全橋無(wú)基板 WolfPACK 模塊）就是用了這套封裝。實(shí)測(cè)開(kāi)關(guān)損耗比同類(lèi) SiC 模塊低 42%，比 IGBT 低 90%（1.8 kV 母線(xiàn)、125 °C 工況）。
3.3 kV 這一檔電壓本屆集體亮相：Wolfspeed、Microchip、Navitas/GeneSiC 都拿出了對(duì)位產(chǎn)品，對(duì)應(yīng)的應(yīng)用是固態(tài)變壓器（SST）、電網(wǎng)級(jí)儲(chǔ)能 PCS、AI 數(shù)據(jù)中心的中壓配電。這是 SiC 模塊第一次真正打入傳統(tǒng)上被 IGBT 模塊和半控型器件統(tǒng)治的高壓工業(yè)市場(chǎng)。國(guó)內(nèi)在這一檔電壓的 SiC 模塊上幾乎是空白，比亞迪 1500 V 是車(chē)規(guī)場(chǎng)景，工業(yè) 3.3 kV/6.5 kV 這條線(xiàn)國(guó)內(nèi)還沒(méi)有真正能拿出去打的產(chǎn)品。
Infineon 1300 V SiC 模塊，205 °C 連續(xù)工作溫度——這個(gè)溫度等級(jí)是本屆模塊里最高的之一。意義在于：連續(xù)工作溫度抬高 30 °C，對(duì)應(yīng)的冷卻系統(tǒng)可以大幅簡(jiǎn)化，整機(jī)系統(tǒng)成本降低。瞄準(zhǔn)的應(yīng)用是工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)、軌交牽引、高壓儲(chǔ)能這類(lèi)對(duì)冷卻空間敏感的場(chǎng)景。
ROHM 的 EcoSiC? molded power module 走的是模塑（transfer mold）封裝路徑，針對(duì)車(chē)載 OBC 優(yōu)化。模塑工藝成本比傳統(tǒng)灌封低、可靠性更好，是車(chē)規(guī)模塊里的另一條主流路徑。
碳化硅的封裝標(biāo)準(zhǔn)還沒(méi)有正式確立。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，你還是可以看到同一類(lèi)應(yīng)用（比如 800V EV 主驅(qū)），你在不同展位上能看到至少四種互不兼容的封裝路徑在被同等力度地推。
Si IGBT 時(shí)代標(biāo)準(zhǔn)件已經(jīng)收斂到 HybridPACK、EconoDUAL、62mm 這幾款，客戶(hù)能跨廠家 pin-to-pin 替換。SiC 模塊走的是反方向——每家一套，沒(méi)有一家做完整 pin-to-pin 的 second source。主機(jī)廠選定一家 SiC 模塊供應(yīng)商，等于綁定那家未來(lái) 5–7 年的封裝路線(xiàn)。
更深的分歧在嵌入式 vs 傳統(tǒng)模塊這條主路線(xiàn)之爭(zhēng)。USI、Schweizer + Infineon、保時(shí)捷代表的嵌入式封裝，本質(zhì)上是把功率器件從"模塊"重新定義成"PCB 板載組件"——整個(gè)電驅(qū)總成的物理結(jié)構(gòu)都要重做，沒(méi)有外殼、沒(méi)有 busbar、沒(méi)有底板。Wolfspeed 銅 die-top 銀燒結(jié)路線(xiàn)則是在"模塊"這個(gè)形態(tài)內(nèi)部把性能壓到極限，保留傳統(tǒng)電驅(qū)設(shè)計(jì)語(yǔ)言。這兩條路對(duì) Tier-1 和主機(jī)廠的產(chǎn)線(xiàn)投資、設(shè)計(jì)資源、供應(yīng)鏈管理完全不同——選錯(cuò)一邊可能意味著下一代平臺(tái)推倒重來(lái)。
AQG 324 車(chē)規(guī)模塊認(rèn)證這兩年在更新，但 SiC 模塊封裝的機(jī)械尺寸、引腳定義層面沒(méi)有強(qiáng)制標(biāo)準(zhǔn)。JEDEC 的 SiC 模塊封裝標(biāo)準(zhǔn)提案還在工作組階段。沒(méi)有標(biāo)準(zhǔn)就沒(méi)有真正的 multi-source 市場(chǎng)——這件事至少要拖到 2028 年才會(huì)有眉目。
如果說(shuō)器件層是工藝仗，模組層是封裝仗，那系統(tǒng)級(jí)解決方案層就是商業(yè)仗。
本屆展會(huì)在系統(tǒng)級(jí)解決方案上最具代表性的幾個(gè)展品：
onsemi 的 33 kW "Grid-to-Chip" 全電源樹(shù) demo——從中壓電網(wǎng)入口的隔離、800 V SiC JFET 模塊做的 SSCB 保護(hù)、中間 IBC（Intermediate Bus Converter）轉(zhuǎn)換、到芯片端 PoL（Point of Load）的整套電源鏈路，端到端做了一遍。同臺(tái)展示 SiC JFET + GaN HEMT 兩種器件協(xié)同。
Infineon 的 "One Inverter, One Infineon" 系統(tǒng)方案——SiC + 柵驅(qū) + AURIX TC4xx MCU + XENSIV 傳感器 + secured-by-design 安全模塊，對(duì)接 EV 主驅(qū)、OBC、DC-DC、BMS 全套子系統(tǒng)。
Navitas + EPFL 的 800 V DC AI 數(shù)據(jù)中心 SST——用 GeneSiC? 3300 V 和 1200 V SiC MOSFET 做的固態(tài)變壓器原型，配套 8.5 kW、98% 效率、137 W/in3 的 OCP PSU。這是本屆 AI 數(shù)據(jù)中心電源敘事最完整的一個(gè) demo。
Wolfspeed + NXP 的 800 V EV 主驅(qū)逆變器參考設(shè)計(jì)——YM 模塊 + 柵驅(qū)動(dòng) + MCU 控制板 + 功能安全文檔，一整套交鑰匙方案。
這一層的本質(zhì)不是"賣(mài)系統(tǒng)"，是"賣(mài)解決方案"。客戶(hù)買(mǎi)的不是器件，是"我?guī)湍阕鐾旯こ舔?yàn)證、給你完整的設(shè)計(jì)文檔、保證你下一代產(chǎn)品能按時(shí)上市"這個(gè)承諾。
國(guó)內(nèi)廠商在這一層的差距，是產(chǎn)業(yè)代際而不是產(chǎn)品代際。
不是說(shuō)國(guó)內(nèi)廠商做不出系統(tǒng)級(jí) demo——做得出。
差距在于：歐美 IDM 一個(gè)系統(tǒng)級(jí)方案背后是幾十年的應(yīng)用工程師團(tuán)隊(duì)、幾千個(gè)量產(chǎn)項(xiàng)目的故障數(shù)據(jù)庫(kù)、和 Tier-1+主機(jī)廠的深度綁定。當(dāng)寶馬新平臺(tái)的電驅(qū)總成 SiC 出現(xiàn)一個(gè)未預(yù)期的柵氧老化現(xiàn)象，Infineon 可以在 48 小時(shí)內(nèi)從慕尼黑派出一個(gè) 5 人專(zhuān)家組到客戶(hù)現(xiàn)場(chǎng)，調(diào)出過(guò)去 12 年里類(lèi)似失效模式的全部數(shù)據(jù)。這種能力不是技術(shù)問(wèn)題，是商業(yè)基礎(chǔ)設(shè)施問(wèn)題。
PCIM 現(xiàn)場(chǎng)看得最清楚：歐美 IDM 的展位主視覺(jué)都是"系統(tǒng)電源樹(shù)"，中國(guó)廠商的展位主視覺(jué)還是"產(chǎn)品矩陣"。這不是設(shè)計(jì)審美的差異，是商業(yè)模式的差異——一個(gè)在賣(mài)能力，一個(gè)在賣(mài)產(chǎn)品。
定價(jià)權(quán)在哪里，差距就在哪里。
談?lì)A(yù)測(cè)容易寫(xiě)飄，所以只談手里有 demo 樣品、有客戶(hù)立項(xiàng)、有量產(chǎn)時(shí)間表的幾條線(xiàn)。
第一條：AI 數(shù)據(jù)中心 HVDC + SiC JFET SSCB 的組合，2026 下半年開(kāi)始批量部署。
OCP和 ODCC 的 ±400 V HVDC sidecar 標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)定稿，Meta、Microsoft、Google、字節(jié)、騰訊的下一代液冷機(jī)柜規(guī)格里基本都把 HVDC 母線(xiàn)寫(xiě)進(jìn)去了。SiC JFET 在 SSCB 上的位置已經(jīng)被 Infineon 和 onsemi 鎖死，國(guó)產(chǎn)替代短期還看不到機(jī)會(huì)。
這是一個(gè)新增市場(chǎng)而不是替換市場(chǎng)，意味著先到的廠商能拿到未來(lái) 5 年的安裝基數(shù)。國(guó)內(nèi)廠商需要在 2027 年底之前拿出可用的 SiC JFET 產(chǎn)品和 SSCB 方案，否則這條線(xiàn)會(huì)被鎖死。
第二條：800 V 主驅(qū)平臺(tái)的第 5 代 SiC 切換，2027 年集中爆發(fā)。
Wolfspeed Gen 5、ROHM 第 5 代、Infineon TSJ、都把量產(chǎn)窗口對(duì)準(zhǔn) 2027 年。現(xiàn)代、奔馳、寶馬、比亞迪、小鵬、理想這幾家的下一代 800 V 平臺(tái)正在做樣件評(píng)估。
真正的商業(yè)意義不在器件本身，在于它讓 SiC 主驅(qū)的 BOM 成本第一次真正逼近 Si IGBT 方案。這是 SiC 在 EV 主驅(qū)市場(chǎng)份額沖到 50% 以上的關(guān)鍵支點(diǎn)。國(guó)內(nèi)廠商在這一代上的位置——芯聯(lián)、比亞迪、士蘭微等會(huì)跟得較緊，其他梯隊(duì)還明顯落后。
第三條：嵌入式封裝 + 頂冷封裝的組合，把 SiC 模塊功率密度再推一檔。
USI 的嵌入式封裝、Wolfspeed 的銅 die-top + 銀燒結(jié)、Nexperia/SemiQ 的 TSPAK/D2PAK-7 頂冷，方向是一致的：消除鍵合線(xiàn)、縮短電流路徑、把熱阻砍掉一半以上。客戶(hù)拉力來(lái)自三個(gè)方向——EV 主驅(qū)要求 50 kW/L 以上功率密度、AI 數(shù)據(jù)中心 PSU 要求 137 W/in3 以上密度、人形機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)要求極致緊湊。
2026 年底到 2027 年中會(huì)看到第一批量產(chǎn)嵌入式 SiC 模塊，國(guó)內(nèi)對(duì)位時(shí)間表大約在 2028 年。這是中國(guó)廠商最有機(jī)會(huì)在兩年內(nèi)實(shí)質(zhì)追趕的環(huán)節(jié)——因?yàn)榇箨懛鉁y(cè)產(chǎn)能基礎(chǔ)在，缺的是工藝 know-how 而不是設(shè)備和資本。
PCIM 2026 給我留下最深的印象不是某一個(gè)具體產(chǎn)品，而是敘事的轉(zhuǎn)向和實(shí)質(zhì)的滯后之間的張力。
AI 搶走了麥克風(fēng)——主視覺(jué)、新品首發(fā)、技術(shù) session 的數(shù)量、媒體聲量上 AI 數(shù)據(jù)中心已經(jīng)反超汽車(chē)。但汽車(chē)握著賬本——營(yíng)收占比、裝機(jī)規(guī)模、單品價(jià)值、量產(chǎn)成熟度上汽車(chē)仍然是絕對(duì)主力。這種"敘事先于落地"的狀態(tài)會(huì)持續(xù) 18–24 個(gè)月，到 2027–2028 年 AI 數(shù)據(jù)中心 SiC 市場(chǎng)規(guī)模做到 20–30 億美元的時(shí)候，賬本會(huì)逐漸和麥克風(fēng)對(duì)齊。
對(duì)中國(guó)廠商來(lái)說(shuō)，機(jī)會(huì)和危險(xiǎn)都在這個(gè)時(shí)間窗口里。
機(jī)會(huì)在于：內(nèi)循環(huán)（國(guó)內(nèi)主機(jī)廠、儲(chǔ)能廠、光伏廠的供應(yīng)鏈替換）已經(jīng)具備規(guī)模效應(yīng)，足以支撐國(guó)產(chǎn) SiC 在 2027–2028 年達(dá)到全球 30–40% 的份額；比亞迪、StarPower、芯聯(lián)集成在車(chē)規(guī) SiC 模塊上已經(jīng)具備國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力；
危險(xiǎn)在于：JFET 這條新賽道目前空白；不同的新的封裝 know-how 還在追趕；3.3 kV 以上的高壓工業(yè)模塊幾乎是真空；系統(tǒng)級(jí)解決方案的差距是產(chǎn)業(yè)代際而非產(chǎn)品代際。頭部歐美 IDM 已經(jīng)在用"系統(tǒng)平臺(tái)"而不是"產(chǎn)品矩陣"的方式重新定義這個(gè)行業(yè)，如果繼續(xù)按"賣(mài)器件"的思路走，會(huì)在下一輪競(jìng)爭(zhēng)中失去定價(jià)權(quán)。
10 年前 Si IGBT 這局，中國(guó)廠商從模仿到追平用了 15 年時(shí)間，最后贏的是性?xún)r(jià)比和供應(yīng)鏈效率，但定價(jià)權(quán)和應(yīng)用定義權(quán)始終在 Infineon、Mitsubishi、Fuji 手里。SiC 這一局留給中國(guó)廠商的窗口期比 IGBT 那一局短得多——JFET、第 5 代 MOSFET、嵌入式封裝、3.3 kV 工業(yè)模塊這些下一代節(jié)點(diǎn)的卡位戰(zhàn)，幾乎都要在未來(lái) 24 個(gè)月里見(jiàn)分曉。
下一次 PCIM AI 數(shù)據(jù)中心 SiC 的第一批大規(guī)模部署數(shù)據(jù)會(huì)出來(lái)，第 5 代 SiC 在量產(chǎn) EV 上的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)會(huì)出來(lái)，國(guó)產(chǎn)嵌入式 SiC 模塊的樣品會(huì)出來(lái)，1500 V 以上高壓 SiC 在國(guó)內(nèi)儲(chǔ)能/電網(wǎng)的落地案例會(huì)出來(lái)。
這四件事里中國(guó)廠商能拿下其中兩件的卡位，這一局就算下到了均勢(shì)。
如果一件都拿不下，那就又是另一個(gè)故事了。
PS:月底我們會(huì)舉辦個(gè)小規(guī)模的沙龍，聊聊AI架構(gòu)下功率器件分工合作的這些事兒，感興趣的朋友可以?huà)叽a報(bào)名，有審核的哦~
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