6 月 29 日，韓國總統李在明在青瓦臺主持國家級半導體與 AI 產業戰略會議，三星電子會長李在镕、SK 集團會長崔泰源兩大存儲龍頭高管列席，正式公布半導體、物理人工智能、AI 數據中心三大國家級超級項目，計劃斥資萬億級韓元重構全國半導體產業布局，應對全球芯片、AI 算力競爭，鞏固韓國全球內存龍頭地位。
李在明開篇定調：當前全球芯片與人工智能競爭白熱化，AI 算力爆發帶來存儲芯片需求指數級增長，韓國現有首都圈晶圓廠水資源、電力、土地資源已達承載極限，必須加速西南部全新芯片生產基地落地，快速擴充本土存儲供給能力。
區域投資完整明細：
西南核心制造集群（光州、全羅南道，韓國第二半導體基地）
區域綜合開發基礎投資
西南片區配套基建、土地、產業園開發項目投資區間5 萬億 —20 萬億韓元，為政府配套基礎設施投入；市場早期誤傳 “光州全羅投資 520 萬億韓元”，實際 520 萬億為兩大企業片區內分階段投資總和，并非區域總開發資金。
4座存儲晶圓廠主體投資：800 萬億韓元
由三星電子、SK 海力士各承建 2 座 12 英寸存儲晶圓廠，選址光州廢棄空軍基地，主攻 DRAM、3D NAND、中端 HBM 高帶寬內存制造；高端 HBM 產線仍保留平澤原廠，形成高低產能分層布局。
三星：2 座 Fab，主打 AI 服務器 DDR5、中端 HBM 批量產能；
SK 海力士：2 座 Fab，擴容通用 DRAM、消費級 NAND 產能；
政府配套加速供水、供電、道路審批，大幅縮短建廠周期，原 2040 年落地計劃提前至 2030 年中期完成。
中部忠清道：全國先進封裝集群
專項投資81 萬億韓元，聚焦 2.5D/3D 堆疊、HBM 封裝、存儲測試產線，承接西南晶圓廠制造后的芯片封裝需求，打通 “晶圓制造 — 先進封裝” 本土完整產業鏈，配套三星、SK 海力士 HBM 堆疊產能擴張。
長期芯片研發專項資金（15 年周期）
韓國政府承諾未來 15 年至少投入 30 萬億韓元，專項覆蓋下一代存儲、邊緣 AI 芯片、軍工半導體、芯片材料四大方向，補貼企業研發、人才培養、設備國產化驗證，對沖海外技術競爭壓力新浪財經。
配套 AI 全產業鏈大額投入
同步公布 AI 數據中心專項投資約 550 萬億韓元，與西南芯片基地形成協同，支撐 AI 服務器、算力集群本地落地，消化新增 DRAM、HBM 產能；官方將 “存儲芯片、物理機器人 AI、算力數據中心” 定義為韓國產業升級三大支柱。
核心產業目標
DRAM 產能五年翻倍
韓國產業通商資源部長官金正官明確：以 2026 年當前產能為基數，5 年內本土 DRAM 生產規模提升 100%，依托西南 4 座新晶圓廠持續釋放產能，牢牢鎖定全球 DRAM 超 70% 市場份額，對沖cx存儲、美光擴產沖擊。
全球內存市場五年增長四倍
政府機構測算，AI 大模型、AI 服務器、自動駕駛、邊緣算力需求持續爆發，2031 年全球 DRAM+NAND 整體市場規模將達到當前 4 倍，韓國提前擴產搶占增量市場紅利。
規劃核心戰略邏輯：
破解首都圈產業瓶頸
過去韓國半導體高度集中于首爾周邊京畿道平澤、龍仁，土地、工業用水、電力供給飽和，無法大規模新增晶圓廠；西南光州、全羅南道土地充足、水資源富余，承接存儲產能外遷，實現全國產業均衡發展，帶動地方經濟就業。
鞏固全球存儲壟斷優勢
三星、SK 海力士合計占據全球 DRAM 約 75%、NAND 約 45% 份額，本次 800 萬億韓元新建 4 座 Fab，疊加忠清封裝集群，形成制造 + 封裝一體化本土產能閉環，降低海外建廠地緣風險，優先供給北美、全球 AI 算力客戶。
綁定 AI 長期需求
規劃同步配套千億級 AI 數據中心投資，自產 DRAM、HBM 直接供給本土算力產業，形成 “芯片制造 —AI 算力” 內循環，規避海外芯片出口管制風險。
消息發布當日韓國股市早盤大幅下挫，KOSPI 指數一度跌超 3%；芯片擴產規劃公布后，半導體板塊快速拉升，大盤翻紅，收盤上漲 0.47%。三星電子、SK 海力士、半導體設備、封裝材料板塊全線走強，資金看好存儲周期上行 + 長期產能擴張邏輯。
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2025-2027年DRAM、NAND市場及價格走勢分析
一文看懂存儲器分類：DRAM：DDR、LPDDR、HBM丨NAND：eMMC、UFS、eMCP、uMCP詳細介紹
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