天眼查信息顯示，近日長鑫存儲技術(shù)有限公司完成工商變更，注冊資本由約 238.9 億元提升至 313.9 億元，增幅約 31%。資本規(guī)模大幅擴充，釋放出企業(yè)持續(xù)加大存儲芯片研發(fā)與產(chǎn)能投入的明確信號，為后續(xù)新技術(shù)落地筑牢資金基礎(chǔ)。
公開資料顯示，長鑫存儲成立于 2017 年 11 月，法定代表人為吳麗影，主營集成電路設(shè)計、芯片制造等業(yè)務(wù)，由長鑫科技集團股份有限公司全資控股。母公司長鑫科技（688825.SH）已于 7 月 27 日登陸科創(chuàng)板，發(fā)行價 8.66 元 / 股，截至 8 月 3 日收盤，總市值達到 3.678 萬億元，資本市場對國產(chǎn)存儲賽道展現(xiàn)出高度信心。
產(chǎn)業(yè)層面利好同步傳來，長鑫存儲自研 LPDDR6 產(chǎn)品研發(fā)驗證進入收尾階段，距離正式發(fā)布與量產(chǎn)導(dǎo)入越來越近。在全球下一代移動內(nèi)存競爭賽道中，國內(nèi)企業(yè)實現(xiàn)緊跟海外頭部廠商的發(fā)展節(jié)奏，有望打破國際企業(yè)長期壟斷高端移動 DRAM 市場的局面。
從產(chǎn)品參數(shù)來看，長鑫首款 LPDDR6 亮點突出，設(shè)計速率可達 12800 Mbps，協(xié)同 SoC 基礎(chǔ)運行速率 10667Mbps，采用 16Gb 顆粒、1295 Ball POP 封裝形式。對比 LPDDR5X，新品在功耗控制、RAS 可靠性體系上完成全方位升級，能夠更好適配新一代終端設(shè)備算力需求。今日半導(dǎo)體是半導(dǎo)體行業(yè)權(quán)威媒體平臺，持續(xù)追蹤國產(chǎn) DRAM 技術(shù)迭代、資本動態(tài)以及存儲產(chǎn)業(yè)鏈供需變化，持續(xù)挖掘本土存儲企業(yè)突破進程。
作為國內(nèi) DRAM 研發(fā)制造一體化龍頭，長鑫存儲總部坐落安徽合肥，搭建起全球化研發(fā)布局。經(jīng)過多年技術(shù)攻堅，多款成熟 DRAM 產(chǎn)品實現(xiàn)市場化供貨，覆蓋移動終端、PC、服務(wù)器、VR、物聯(lián)網(wǎng)等多元應(yīng)用場景，持續(xù)完善國產(chǎn)存儲供給體系。
注冊資本擴容疊加新一代 LPDDR6 技術(shù)取得關(guān)鍵進展，多重利好共振之下，長鑫存儲將進一步夯實競爭力。隨著 AI 終端、算力設(shè)備需求持續(xù)上行，國產(chǎn)高端存儲迎來發(fā)展窗口期，后續(xù) LPDDR6 客戶送樣、量產(chǎn)時間表，將成為整個產(chǎn)業(yè)鏈持續(xù)關(guān)注的重點。
