7月7日，三星電子發布2026年第二季度業績指引。三星預計，第二季度營收將達到171萬億韓元（約合7585.95億人民幣），同比增長129%；營業利潤將達到89.4萬億韓元（約合3978.22億人民幣），同比暴增近19倍，甚至超過過去3年的累計營業利潤。
上周，三星電子半導體部門（DS部）業務戰略總裁金勇寬在半導體部門管理層會議上表示，設備解決方案部門今年的凈利潤，有望超過三星進入半導體業務40年來的總和。
有分析人士表示，三星利潤在第三季度和第四季度仍有望繼續環比增長。關鍵是增長速度到底有多快。
圖源：韓國中央日報
三星利潤暴漲的核心還是存儲芯片漲價。
不過本次內存芯片價格的攀升，不局限于HBM，也拓展到了傳統的DRAM和NAND產品。
相關研究表示，第二季度DRAM和NAND平均售價分別環比上漲44%和53%。
此外，客戶越來越傾向于簽訂長期供貨協議，對于三星等擁有大規模生產能力的制造商是非常有利的。
據市場消息，三星在2026年第一季度已將通用DRAM價格較2025年第四季度基準價上調約90%，第二季度又環比再漲50%至60%。
以LPDDR5X 12GB合約價為例，自2025年第一季度以來已經上漲近3倍，從76.2美元漲至145美元。僅今年以來，就上漲了68.8美元（約 468.21 元人民幣）。
此外，三星目前還在與通用DRAM客戶談判，計劃第三季度繼續環比漲價約20%。
圖源：三星
除了傳統DRAM和NAND漲價，HBM依舊是增長的一個重要來源。
今年2月，三星電子宣布HBM4已經開始量產，并向客戶出貨商用產品。
今年4月，三星現有HBM4產能已經被全部預訂。預計從第三季度開始，HBM4營收占全部HBM業務收入的比重將超過50%；全年HBM營收中，也將有一半來自HBM4。
5月底，三星又宣布HBM4E樣品已經開始向全球主要客戶送樣。
這款HBM4E產品可以實現14Gbps的穩定引腳傳輸速率，性能最高可擴展至16Gbps。相比HBM4，整體性能提升超過20%，單堆棧內存帶寬最高可達3.6TB/s。
工藝方面，三星HBM4E采用第六代10nm級DRAM工藝，也就是1c工藝，并搭配三星晶圓代工4nm邏輯基底芯片，以提升工藝穩定性和量產可行性。
圖源：韓國時報
雖然三星已經撥出資金，向半導體員工發放巨額獎金，但在強勁的價格周期和AI需求推動下，利潤依然大幅增長。
核心原因是AI基礎設施投資還在繼續擴大。
相關報告估計，2025財年至2030財年間，Meta、微軟、亞馬遜和Alphabet四大超大規模數據中心運營商，在AI領域的資本支出總額將達到5.3萬億美元（約 36.07 萬億元人民幣）。
AI需求增長太快，而存儲產能擴張太慢，自然而然就漲價了。
與此同時，美光科技公布營收同比增長近 196%。
據其公布的2026財年第三季度財報顯示，公司營收達到414.56億美元（約 2821.25 億元人民幣），同比增長約346%；GAAP營業利潤達到333.18億美元（約 2267.42 億元人民幣），主要受益于HBM、服務器DRAM和數據中心存儲需求爆發。
